江波龙发布首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash：带宽400MB/s 可用于SSD

江波龙发布首颗自研32Gb2DMLCNANDFlash：带宽400MB/s可用于SSD据介绍，江波龙近年来在存储芯片的自主研发投入了大量的精力和资源，引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。不仅精通闪存芯片的设计技术，并且对于流片工艺制程、产品生产过程有着深入了解，对于4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富的经验。存储芯片设计的每个阶段都有其独特的挑战和重要性，从逻辑功能、模拟电路设计、仿真验证、物理设计等，都需要经过精心策划和严格实施，才能确保最终产品的实现。目前，江波龙已具备SLCNANDFlash、MLCNANDFlash、NORFlash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415403.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415403.htm

三星带头 NAND Flash“涨声”响起！

三星带头NANDFlash“涨声”响起！这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。而这似乎也与最新的“模组厂将配合原厂报价调高8~10%”的传闻相呼应。据供应链最新消息称，三星已暂停第六代V-NAND成熟制程型产品报价，低于1.6美元全面停止出货。已有厂商私下证实这一消息，并表示“先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了”。TrendForce的数据显示，在下半年供应商大幅削减产量后，NANDFlash现货价格不再出现低价交易，连续数周出现止跌趋势；本周现货市场512GbTLCwafer现货上涨0.28%，来到1.440美元。日系投资机构也表示，从本周起，中国大陆NANDFlash模组制造商开始合力支撑价格。江波龙（Longsys）和佰维科技（Biwin）等领先NANDFlash模组厂已开始停止降价，NANDFlash晶圆厂也在减少供应。另外，金士顿指出，由于价格便宜，从8月起拒绝客户降价，并且会重建部分NANDFlash库存。日系投资机构认为，NANDFlash价格短期内进入底部和拐点，后续有望上涨5%~10%。NANDFlash市场已触底？一位存储供应链从业者对芯智讯表示：“此番NANDFlash原厂酝酿涨价背后的主要原因有三点：一是‘再全球化’期间全球芯片制造供应链的重构导致的成本增加；二是存储价格跌破成本线，给各家原厂带来了巨大的财务压力；三是头部原厂在主动持续减产之后，三季度NANDFlash的价格目前已经触底。”TrendForce的数据显示，2023年第一季NANDFlash价格跌幅将自2022年第四季度的20~25%收窄至10~15%。2023年二季度NANDFlash下跌幅度将进一步收窄至5%至10%，已经跌破了制造成本。因此，我们可以看到，去年下半年NANDFlash大厂铠侠就率先宣布了减产，随后美光、SK海力士在遭遇严重亏损后也纷纷跟进。即便是一向逆周期扩张的三星也不得不在一季度半导体业务巨亏后，于4月首度宣布减产。为了在三季度实现NANDFlash价格的止跌企稳，美光、三星、SK海力士等原厂自二季度以来纷纷扩大减产规模或进一步拉长减产时间。6月底，美光在（截至2023年6月1日）2023财年第三财季的财报会议上表示，其DRAM和NAND晶圆将进一步减少近30%，预计减产将持续到2024年。在7月下旬的二季度的财报会议上，为了加速存储市场的触底企稳，三星宣布下半年继续削减NANDFlash为核心的存储芯片产量。SK海力士也宣布下半年将再减少5%~10%的NANDFlash产量。随着NANDFlash供给量的持续缩减，以及下半年市场需求的缓慢回温，特别是随着iPhone15系列上市、“双11”、圣诞促销季的带动，厂商需要提前在三季度进行备货，NANDFlash供过于求的局面正在转变。NANDFlash控制器大厂群联CEO潘健成曾在7月上旬表示，NANDFlash原厂自二季度就开始陆续放出将涨价的信号，其中包括7月启动新订单调涨价格、或既有订单重新议价，代表NAND原厂不堪亏损。近期还出现部分NANDFlash控制芯片急单需求，甚至略微供不应求，反映出市场正逐步回暖的信号。YoleIntelligence公布最新报告也显示，NANDFlash市场将中止近两年的下滑趋势，将于今年第三季度出现再次增长。国内存储厂商会如何跟进？在NANDFlash市场逐步回暖，龙头大厂三星酝酿涨价背景之下，国内相关存储厂商也很难不跟进。目前国内的模组/品牌厂商的存储晶圆主要来源于三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据和长江存储。其中，美光占比相对较高。不过，在5月21日中国网络安全审查办公室对于美光产品做出“不予通过网络安全审查的结论”，并要求关键信息基础设施的运营商停止采购之后，国内部分存储模组/品牌厂商为规避风险，大幅降低了美光晶圆的采用比例。加大了对于国产NANDFlash厂商长江存储采购比例。值得一提的是，早在今年5月，网上就有传闻称国产NANDFlash大厂——长江存储已经将面向企业级的NANDFlash进行涨价，涨价幅度大约在3-5%左右，比如256G已上涨4-5美元左右。虽然，这个传闻后续并未得到进一步的证实，但也侧面反应出了长江存储可能收到了更多来自企业级方面的需求。但是在美方拉拢日本、荷兰对中国的半导体产业的联合限制之下，长江存储的正常发展已经受到了严重影响。今年6月底的SEMICONChina2023期间，长江存储执行董事长兼CEO陈南翔博士就曾表示，在欧美推动下，半导体产业正在经历一个新阶段——“再全球化”，各国都在追求把控产业链，使芯片“本地制造”，这也使得目前行业的全球化被破坏，未来有高度的不确定性，并且如今半导体产业也仍处于低谷。以长江存储为例，由于美方的限制，不仅相关生产设备及零部件的获取受到了影响，而且此前购买的一些设备也面临不能交货或无法使用困境。美方的相关举动不仅影响到了国内相关的正常生产运营，同时也给相关厂商带来了巨大的成本和财务压力。即便是能够切换其他可以采购到的设备，也必然会影响到生产，并且会带来额外的成本。对此知乎上也有网友提出了类似的问题。所以，对于长江存储来说，其不仅面临着与三星等原厂一样的NANDFlash市场需求持续下滑、价格的持续下跌所带来的巨大财务压力影响，同时还面临着美方持续打压所带来的严峻的供应链挑战。即便NANDFlash市场回暖，长江存储在持续的供应链和财务压力之下，恐怕也难以向国内模组/品牌厂商提供足够的产能供应和更有竞争力的价格，为他们提供与国外头部存储大厂议价的筹码。在此背景之下，国产存储模组/品牌厂商很难在三星等头部NANDFlash大厂的涨价之下不去跟进。一位存储模组厂商高管告诉芯智讯：“国内NANDFlash模组厂将配合原厂涨价消息属实，涨是肯定要涨的，但目前大家都在观望，不知道涨多少合适，5%，10%，还是更高？主要还是要看市场是否接受，强拉肯定是不行的。”时创意电子董事长兼总经理倪黄忠向芯智讯回应称，“价格OK就接单”。江波龙董事长蔡华波则并未直接回应芯智讯的问题，仅表示“决定市场价格的不是模组厂，是供需。”确实，决定NANDFlash市场价格的是供需。但是需求往往是不可控的，而供应则是可控的。要知道仅三星和SK海力士两家韩国厂商就占据了全球超过50%的NANDFlash市场，他们的决策对于NANDFlash市场价格走势的影响无疑是巨大的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1377993.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1377993.htm

消息：苹果暂缓采购长江存储NAND闪存

消息：苹果暂缓采购长江存储NAND闪存日媒引述消息人士报道，苹果暂缓了从中国新崛起NANDflash存储芯片供货商长江存储科技采购iPhone零部件的计划。据日经中文网报道，多位相关人士接受采访时透露，苹果一直计划在iPhone上采用长江存储科技生产的“NAND型闪存”，但由于地缘政治风险加大和受到美国当局批判，苹果改变了方针。一位相关人员说：“苹果进行了长江存储的产品验证，但开始量产（9月上市的）新款iPhone时，并没有把这些长江存储的存储芯片投入正式量产生产线”。苹果和长江存储科技对此均未发表评论。NANDflash芯片在智能手机、个人计算机及服务器等多种电子产品上都是必须的重要关键零组件。知情人士介绍，长江存储科技的产品虽然比韩国三星电子和美国美光科技落后一到二代，但是是中国企业中最领先拥有最强的技术实力的一家，同时如果采用长江存储芯片，采购成本会比采购世界一流供货商如三星，美光，铠侠要低20％以上。10月7日，美国政府以无法确认产品最终供货客户及用途为由，将长江存储科技列入了限制企业名单（UnverifiedList）。熟悉美国出口管制法律的哈利·克拉克(HarryClarke)律师介绍：“基本上，从清单上的企业采购零部件本身不会受限”，但美国企业如果没有获得批准，任何美国公司无法向这些企业提供设计、技术和档案。发布：2022年10月19日10:56AM

江波龙上海总部4万平方米高端存储研发综合体顺利封顶

江波龙上海总部4万平方米高端存储研发综合体顺利封顶根据规划，江波龙上海总部将建设多个研发区域与实验室，引进尖端技术配套设施，专注于企业级、工规级、车规级存储产品研发和存储芯片设计，广泛应用于数据中心、智能汽车、智能电网、安防监控、工业物联网等领域。高端产品研发区域将开发用于数据中心等大规模计算的企业级SSD存储器和存储系统软件，以及符合车规级、工规级可靠性标准的大容量UFS存储芯片，为高性能、高可靠性存储应用领域赋能。存储芯片设计研发区域则聚焦NORFlash、SLCNANDFlash、存储控制器芯片及存储周边芯片等，以满足微型化、精密化存储市场需求。高端存储研发综合体将进一步提升江波龙自主创新能力，推动存储技术在各个领域的发展与应用。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373669.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1373669.htm

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员HanDong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NANDFlashQ4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NANDFlash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388411.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388411.htm

雷科防务：公司研发自主可控 SATA 控制器成功适配大容量国产 NAND FLASH

雷科防务：公司研发自主可控SATA控制器成功适配大容量国产NANDFLASH雷科防务在互动平台表示，公司安全存储业务以国产化自主可控闪存控制技术为基础，面向大数据、云计算、人工智能以及特种行业打造了芯片级存储、嵌入式存储、加固式存储、记录仪存储及系统级存储全系列产品线，向客户提供完整、高性能、高可靠软硬件存储解决方案，产品广泛应用于各类企业数据中心，以及车载、船载、弹载、机载、航天等领域。公司研发自主可控SATA控制器成功适配大容量国产NANDFLASH，实现国内单盘2TBSLC模式的全国产化SATA硬盘。频道：@TestFlightCN