台积电已经在探索比1.4nm更先进的工艺

台积电已经在探索比1.4nm更先进的工艺1.4nm再往下就是1nm工艺了,这也是半导体行业都在追求的工艺,去年IMEC欧洲微电子中心公布的路线图显示,2nm工艺之后是14A,也就是1.4nm工艺,预计2026年问世,再往后就是A10工艺,也就是1nm,2028年问世。当然,实际能量产的时间可能回比2028年晚一些,毕竟新技术不跳票是不可能的。与此同时,在2nm节点之后的新工艺研发生产中,EUV光刻机也要大升级一次,ASML预计会在2026年推出HighNA技术的下一代EUV光刻机EXE:5000系列,将NA指标从当前的0.33提升到0.55,进一步提升光刻分辨率。但是下一代EUV光刻机的代价也很高,售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上,最终价格可能还要涨,30亿一台设备很考验厂商的成本控制。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1373779.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1373779.htm

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Intel将冲击1nm工艺:用上下一代EUV光刻机

Intel将冲击1nm工艺:用上下一代EUV光刻机Intel的5代CPU工艺分别是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A,其中Intel7在2021年的12代酷睿上首发了,Intel4会在下半年的14代酷睿上首发,还会首次用上EUV光刻工艺。Intel3是Intel4的改良版,Intel20A及之后的18A则是重大升级,相当于友商的2nm、1.8nm节点,将在2024年上半年及下半年量产,2025年将重新夺回半导体工艺的领导地位。再往后呢?Intel目前的路线图上没有提到新的工艺,不过最新消息称Intel已经启动了未来两代工艺的定义及研发,但没有明确的信息。根据IMEC之前公布的芯片工艺路线图来看,2nm工艺之后是14A,也就是1.4nm工艺,预计2026年问世,再往后就是A10工艺,也就是1nm,2028年问世。Intel要研发的未来两代工艺应该也是1.4nm、1nm级别的,具体的命名还要等官方确定,毕竟时间还早。2nm以后的工艺还要升级装备,当前的EUV光刻机届时效率也不高了,ASML预计会在2026年推出HighNA技术的下一代EUV光刻机EXE:5000系列,将NA指标从当前的0.33提升到0.55,进一步提升光刻分辨率。不过下代EUV光刻机的成本也会大涨,当前售价在1.5亿美元左右,下代价格轻松超过4亿美元。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1343831.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1343831.htm

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台积电已在研发1.4nm制程工艺预计2027到2028年量产在IEEE国际电子器件会议(IEDM)期间台积电透露,该公司1.4nm制程工艺研发工作进展顺利。与以往制程命名不同,台积电的1.4nm制程工艺被命名为A14。台积电尚未透露1.4nm制程工艺的量产时间和具体参数,但考虑到2nm制程工艺在2025年量产,而N2P则定于2026年底量产,因此1.4nm制程工艺预计会在2027年到2028年量产。——

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苹果已基于台积电下一代2nm工艺开展芯片研发工作领英上一名认证为苹果员工的账户显示,苹果公司已经开始设计基于台积电2nm工艺的芯片,而他恰恰就参与到了该项目中。目前台积电正在积极推进2nm工艺节点,首部机台计划2024年4月进厂。之前有消息称,台积电中科2nm厂确认将延后交地,因此台积电决定将高雄厂直接切入2nm项目,预计2025年量产。此外,台积电似乎已经开始研发更先进的1.4nm芯片,预计最快将在2027年问世。还有消息称,苹果正在寻求预订台积电1.4nm和1nm技术的初始产能。线索:@ZaiHuabot投稿:@TNSubmbot频道:@TestFlightCN

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台积电不用新一代EUV光刻机2030年的1nm再说Intel此前公布的路线图上,18A之后已经安排了三个新的制程节点,但尚未具体命名。基辛格透露其中一个相当于1.5nm工艺,预计命名为15A,将在德国工厂量产。台积电对于高NAEUV光刻机引入计划则一直守口如瓶,有多个消息来源称台积电还在观望评估,目前计划要等到1nm工艺节点才会上马,而时间要等到2030年左右了。台积电目前正在冲刺2nm工艺,预计2025-2027年间量产,单芯片可集成超过1000亿个晶体管,单个封装可超5000亿个。然后是1.4nm、1nm,其中后者计划2030年左右量产,将在单颗芯片内集成超过2000亿个晶体管,单个封装内则超过1万亿个,相比N2工艺翻一倍。有趣的是,Intel也计划在2030年做到单个封装1万亿个晶体管,可谓针锋相对。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1416963.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1416963.htm

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台积电首次提及1.4nm工艺正在研发中对2nm工艺信心满满据外媒报道,这是台积电首次对外披露其1.4nm制程节点的情况,其对应工艺的正式名称为“A14”。至于A14工艺的具体规格和量产时间,暂时还不清楚。按照台积电的计划,N2工艺计划在2025年底量产,N2P工艺则是2026年底,有理由相信A14工艺的推出时间大概在2027年至2028年之间。尽管台积电正在探索下一代堆叠式CFET架构晶体管技术,不过A14工艺不太可能采用,更可能依赖于第二代或第三代Gate-all-aroundFETs(GAAFET)晶体管技术,这一点应该与N2工艺相同。此外,也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NAEUV光刻机,新设备的引入或许会为芯片设计人员和芯片制造商带来一些新挑战。像N2和A14这样的前沿半导体工艺,需要系统级协同优化,才能真正发挥作用,最终将性能、功耗和功能提升到新的水平。去年三星在“SamsungFoundryForum2022”上,公布了未来的技术路线图,其中SF1.4(1.4nm级别)工艺预计会在2027年量产,纳米片的数量从3个增加到4个,有望显著改善性能和功耗的表现。从时间上来看,台积电的A14工艺应该与三星的SF1.4工艺差不多。对于外界盛传三星在2nm上采降价策略抢夺订单,台积电董事长刘德音表示“客户还是看技术的品质”,似乎对下一代工艺非常有信心。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1404497.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1404497.htm

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ASML下代EUV光刻机年底问世:1nm工艺必备售价直逼30亿根据ASML公司高管日前透露的消息,NA=0.55的EUV光刻机今年底会出货首个商用原型,2025年会正式量产。他没有公布具体哪家公司会首发NA=0.55光刻机,但之前英特尔公司表示他们会率先使用下代EUV光刻机,已经巨资提前下单。按照2025年出货的时间点来看,台积电、英特尔、三星的2nm级别工艺是赶不上的,最快也要到1.4nm工艺才能用上NA=0.55光刻机,未来生产1nm工艺则是不可少的设备。伴随技术提升的还有售价,由于更加复杂、精密,NA=0.55的EUV光刻机价格大幅上涨,具体多少不确定,此前消息称不低于4亿美元,人民币接近30亿元了,是现在的2-3倍。这还不排除未来正式商用的时候价格进一步上涨,毕竟还要好几年才能上市。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1365835.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1365835.htm

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