美光推出基于1β工艺的16 Gb DDR5-7200 MT/s内存

美光推出基于1β工艺的16GbDDR5-7200MT/s内存美光基于1β的DDR5内存采用先进的高K值CMOS器件技术、4相时钟和时钟同步技术,与上一代产品相比,性能提升高达50%,每瓦性能提高33%。随着CPU内核数的增加以满足数据中心工作负载的需求,对更高内存带宽和容量的需求也大幅增长,以克服"内存墙"的挑战,同时优化客户的总体拥有成本。用于客户端和数据中心平台的1βDDR5DRAM的大批量生产和上市也标志着该行业的一个重要里程碑。1βDDR5DRAM允许计算能力以更高的性能进行扩展,从而支持跨数据中心和客户端平台的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。新的1βDDR5DRAM产品线提供当前的模块密度,速度从4800MT/s到7200MT/s,适用于数据中心和客户端应用。美光的1β技术使美光能够提供广泛的基于内存的解决方案组合,包括使用16Gb、24Gb和32GbDRAM芯片的DDR5RDIMM和MCRDIMM、使用16Gb和24GbDRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。新的美光16GbDDR5内存产品将通过直销和渠道合作伙伴提供。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389279.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1389279.htm

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美光推出基于32GbDDR5的128GB模块样品美光总裁兼首席执行官SanjayMehrotra说:"我们推出了基于单片芯片的128GB模块,从而扩展了我们的大容量D5DRAM模块产品组合,我们已经开始向客户交付样品,以帮助支持他们的人工智能应用需求。我们预计该产品将在2024年第二季度实现营收。"美光的单片32GbDDR5芯片是在该公司的1β(1-beta)制造工艺上制造的,这是最后一个生产节点,完全依赖于使用深紫外(DUV)光刻技术的多图案化,而不使用极紫外(EUV)光刻工具。目前,我们对美光32GbDDR5集成电路的了解仅此而已:该公司没有透露其最高速度,但我们可以预计,与两个在相同电压和数据传输速率下工作的16GbDDR5集成电路相比,其功耗将有所下降。美光公司新推出的32Gb内存芯片为只用8个独立内存芯片就能为个人电脑制造出标准的32GB模块,以及用32个这样的集成电路制造出面向服务器的128GB模块铺平了道路。此外,这些芯片使生产1TB容量的内存模块成为可能,而这在今天看来是无法实现的。这些1TB的模块现在看来可能过大,但它们有利于人工智能、大数据和服务器数据库等领域。此类模块可使服务器每个插槽支持高达12TB的DDR5内存(在12通道内存子系统的情况下)。谈到DDR5内存的总体情况,值得注意的是,该公司预计其DDR5的位产量将在2024年初超过DDR4,在行业中处于领先地位。Mehrotra说:"美光在业界向D5过渡的过程中也占据了有利地位。我们预计美光D5的产量将在2024年初超过D4,领先于业界。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386977.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1386977.htm

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