澜起科技：预计 DDR5 第二子代 RCD 芯片出货量明年将持续提升

澜起科技：预计DDR5第二子代RCD芯片出货量明年将持续提升澜起科技近日接待机构调研时表示，随着支持DDR5第二子代内存产品（数据速率为5600MT/S）的服务器CPU平台即将发布，预计DDR5第二子代RCD芯片的出货量将在明年持续提升。另外，公司今年10月试产的DDR5第三子代RCD芯片支持6400MT/S的数据速率。根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图，其支持内存速率6400MT/S的新一代服务器CPU平台计划于明年发布，因此，DDR5第三子代RCD芯片将跟随该CPU平台的发布而开始规模出货。

澜起科技：MRCD/MDB 芯片及 CKD 芯片均属于增量蓝海市场

澜起科技：MRCD/MDB芯片及CKD芯片均属于增量蓝海市场澜起科技在互动平台表示，作为内存接口技术的领导者，澜起科技在全球微电子行业标准制定机构JEDEC中牵头制定DDR5RCD、MDB芯片国际标准，并保持高水平研发投入，持续对产品进行迭代升级。目前公司在内存接口芯片领域的研发进度保持相对领先。DDR5内存接口芯片未来的应用趋势主要包括以下几方面：1.DDR5渗透率将进一步提升，同时DDR5内存接口芯片将持续进行子代迭代。行业预期DDR5下游渗透率将在今年年中超过50%。2.在服务器端，随着AI相关应用的快速发展，对系统主内存的带宽提出了更高的要求，将增加对新型高带宽内存模组MRDIMM的需求。由于MRDIMM采用“1颗MRCD+10颗MDB”的架构，MRDIMM逐步渗透将带动MRCD/MDB芯片需求的增加。3.在客户端，由于AIPC需要更高带宽的内存提升整体运算性能，将增加对更高速率DDR5内存的需求。当DDR5数据速率达到6400MT/s及以上时，客户端内存模组如CUDIMM、CSODIMM等需要配置CKD芯片，将增加行业对CKD芯片的需求。MRCD/MDB芯片及CKD芯片均属于增量蓝海市场。

澜起科技接受调研时表示，随着支持DDR5第二子代内存产品（数据速率为5600MT/S）的服务器CPU平台即将发布，预计DDR5第

澜起科技接受调研时表示，随着支持DDR5第二子代内存产品（数据速率为5600MT/S）的服务器CPU平台即将发布，预计DDR5第二子代RCD芯片的出货量将在明年持续提升。另外，公司今年10月试产的DDR5第三子代RCD芯片支持6400MT/S的数据速率。根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图，其支持内存速率6400MT/S的新一代服务器CPU平台计划于明年发布，因此，DDR5第三子代RCD芯片将跟随该CPU平台的发布而开始规模出货。

Montage Technology推出业内首款Gen1 DDR5时钟驱动器工程样品

MontageTechnology推出业内首款Gen1DDR5时钟驱动器工程样品业内领先的数据处理和互连IC设计公司MontageTechnology，刚刚推出了面向顶级DRAM内存供应商的首款Gen1DDR5时钟驱动器（CDK/DDR5CK01）样品。此举旨在帮助合作伙伴开发用于新一代台式机和笔记本电脑的DDR5内存模块，但此前多年，CDK一直被集成到寄存器（RCD）设备中，并且主要面向服务器平台、而不是消费级PC市场。随着DDR5数据速率的大幅提升，时钟信号的频率也越来越高。与之一同到来的，还有日渐具有挑战性的时钟信号完整性问题。在DDR5速率达到6400MT/s及以上后，这一问题会变得愈加凸显。无论是台式机、还是笔记本电脑，其使用的UDIMM/SO-DIMM等内存模组，都将需要一个on-DIMM时钟驱动器，来缓冲并重新驱动内存模块的时钟信号，以满足高速时钟信号的完整性与可靠性要求。凭借近20年的专业知识积累、以及对内存接口产品的深入了解，MontageTechnology得以紧跟内存市场的趋势，并且成为了首个推出DDR5CK01芯片的业内领先的制造商。据悉，该芯片主要用于缓冲来自台式机/笔记本电脑的CPU时钟信号，接着重新输出以驱动内存模块上的DRAM芯片。MontageTechnology宣称DDR5CK01芯片符合JEDECDDR5CK01标准，且支持高达6400MT/s的数据速率、以及低功耗管理模式。最后，MontageTechnology总裁StephenTai表示：公司很高兴向业界领先的DRAM供应商交付我们的首个DDR5CK01工程样品，以支持新一代PC内存的开发。同时MontageTechnology将继续促进技术创新，为内存供应商提供完整和一流的内存接口解决方案。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1311565.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1311565.htm

美光推出基于1β工艺的16 Gb DDR5-7200 MT/s内存

美光推出基于1β工艺的16GbDDR5-7200MT/s内存美光基于1β的DDR5内存采用先进的高K值CMOS器件技术、4相时钟和时钟同步技术，与上一代产品相比，性能提升高达50%，每瓦性能提高33%。随着CPU内核数的增加以满足数据中心工作负载的需求，对更高内存带宽和容量的需求也大幅增长，以克服"内存墙"的挑战，同时优化客户的总体拥有成本。用于客户端和数据中心平台的1βDDR5DRAM的大批量生产和上市也标志着该行业的一个重要里程碑。1βDDR5DRAM允许计算能力以更高的性能进行扩展，从而支持跨数据中心和客户端平台的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。新的1βDDR5DRAM产品线提供当前的模块密度，速度从4800MT/s到7200MT/s，适用于数据中心和客户端应用。美光的1β技术使美光能够提供广泛的基于内存的解决方案组合，包括使用16Gb、24Gb和32GbDRAM芯片的DDR5RDIMM和MCRDIMM、使用16Gb和24GbDRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。新的美光16GbDDR5内存产品将通过直销和渠道合作伙伴提供。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389279.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389279.htm

美光确认：DDR5 内存 PMIC、VRM 电源芯片双双短缺

美光确认：DDR5内存PMIC、VRM电源芯片双双短缺DDR5内存将供电电路移至PCB的做法，可以更好地发挥内存条的超频潜能，保证供电更稳定，并有助于在服务器上的应用，但是这一做法使得每条内存都需要增加额外的供电电路，大幅提高了厂商采购元器件的难度和成本。DDR5内存的供电电路包含PMIC电源管理芯片、VRM电压调节芯片、封闭式电感、MLCC电容等等。美光表示，自家可以生产足够的DDR5内存芯片，但是电源芯片的短缺，限制了内存条的产能。（）