三大存储巨头集体向英伟达供货第五代HBM3e内存 2024年第一季度完成验证

三大存储巨头集体向英伟达供货第五代HBM3e内存2024年第一季度完成验证而HBM3e进度依据时间轴排列如下表所示：美光已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品、SK海力士已于今年8月中提供8hi（24GB）样品，三星则于今年10月初提供8hi（24GB）样品。预期2024年第一季完成HBM3e产品验证。HBM（HighBandwidthMemory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存的一种，通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起。HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。且CPU处理的任务类型更多，且更具随机性，对速率及延迟更为敏感，HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第四代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，第五代HBM3e已在路上。四代HBM规格对比至于下一代HBM新品HBM4（第六代），在堆栈的层数上除了现有的12hi(12层)外，也将再往16hi(16层)发展。预计，HBM412hi将于2026年推出，而16hi产品则于2027年问世。据悉，在HBM4中，将首次看到最底层的Logicdie（又名Basedie）将首次采用采用12nm制程晶圆，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400111.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400111.htm

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s秒传百部电影HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行质量测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。与HBM3相比，Shinebolt的最大数据传输速度（带宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高清电影（每部容量5GB）HBM的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM生产之初就一直的采用是热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然，这二者孰优孰劣还是要交给市场来评判。由于已经在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。其中最主要的就是加速开发可能改变HBM规则的“混合连接”工艺。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390807.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390807.htm

SK hynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品

SKhynix正在为NVIDIA准备HBM3E样品SKhynix与英伟达有着现有的合作关系--它在去年抵御了激烈的竞争，此后为H100"Hopper"TensorCoreGPU生产了（当前版本）HBM3DRAM。该内存制造商希望通过第五代产品保持其在HBM市场上的领先地位--副总裁ParkMyung-soo早在4月就透露说："我们正在准备今年下半年的8GbpsHBM3E产品样品，并准备在明年上半年进行大规模生产"。与英伟达的新合作关系可以帮助SKhynix在HBM制造领域扩大其与最近的竞争对手--三星之间的差距。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1365867.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1365867.htm

德邦证券：SK 海力士 HBM3E 良率接近 80% HBM 供不应求

德邦证券：SK海力士HBM3E良率接近80%HBM供不应求德邦证券发布研报称，5月21日，SK海力士高层KwonJae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%，他强调SK海力士今年重点是生产8层堆叠HBM3E。此前，SK海力士CEO郭鲁正于5月2日宣布，公司HBM今年已经全部售罄，明年也基本售罄，并且预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。同时，美光CEOSanjayMehrotra也表示HBM产能今年已经全部售罄，并且预计其HBM产品在第三财季可为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。建议关注HBM产业链：赛腾股份(603283.SH)、通富微电(002156.SZ)、联瑞新材(688300.SH)、华海诚科(688535.SH)、香农芯创(300475.SZ)、精智达(688627.SH)等。

SK hynix 1bnm工艺将用于DDR5 RDIMM和HBM3E DRAM解决方案

SKhynix1bnm工艺将用于DDR5RDIMM和HBM3EDRAM解决方案SKHynix还确认，下一代1bnm节点将被用于生产DDR5和HBM3E（高带宽内存）解决方案。该企业表示，XeonScalable平台获得了英特尔认证，支持在1bnm节点上构建的DDR5产品。1bnmDDR5内存的成功评估发生在1anm（第四代10nm节点）实现准备就绪并同时完成英特尔认证的时候。SKHynix预计，在成功验证了1anm服务器DDR5产品与第四代英特尔至强可扩展处理器的兼容性之后，与英特尔合作的1bnmDDR5产品的验证过程将顺利进行。在人们对内存市场将从下半年开始复苏的期望越来越高的情况下，我们相信我们业界领先的DRAM技术，通过这次1bnm工艺的大规模生产再次得到证明，将帮助我们从下半年开始提高收益。开发初期试运行的DDR5产品运行速度为4.8Gbps，而JEDEC标准中规定的DDR5的最高速度为8.8Gbps。提供给英特尔的DDR5产品的运行速度为6.4Gbps（目前为业界最高），比DDR5开发初期的测试产品的数据处理速度提高了33%。此外，1bnmDDR5内存的功耗将比1anm节点低20%，这是因为采用了高K金属栅极工艺，引入了高介电常数材料，可以防止泄漏电流并提高电容。HBM3E（HBM3扩展）：HBM3E是第五代高带宽内存产品，继承了前几代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3。SKhynix计划在下半年准备好HBM3E产品的样品，以8Gbps的数据处理速度运行，并在2024年开始大规模生产。该企业还表示，该公司将在2024年下半年前采用1bnm工艺生产基于LPDDR5T和HBM3E的产品。SKHynix计划准备以8Gbps数据处理速度运行的HBM3E产品的样品，并在2024年开始大规模生产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1362529.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1362529.htm

三星 HBM 芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

三星HBM芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试三位知情人事表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达的测试，无法用于这家美国公司的人工智能处理器。消息人士表示，这影响了三星的HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)芯片。这是首次报道三星未能通过英伟达测试的原因。三星在给路透社的声明中表示，HBM是一种定制的内存产品，需要“根据客户需求进行优化过程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。三星拒绝对具体客户发表评论。——