三星积极推进第五代HBM3e 传输速度高达1.228 TB/s

三星积极推进第五代HBM3e传输速度高达1.228TB/s同时“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。据悉，HBM（HighBandwidthMemory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3e是HBM3的扩展（Extended）版本。HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390965.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390965.htm

美光将于2024年初向英伟达交付HBM3E内存

美光将于2024年初向英伟达交付HBM3E内存美光公司总裁兼首席执行官SanjayMehrotra在公司财报电话会议上表示："我们推出的HBM3E产品受到了客户的强烈关注和热捧。"美光在HBM市场上处于劣势，仅占10%的市场份额，而领先于竞争对手三星和SKHynix推出HBM3E（该公司也称之为HBM3Gen2）对美光来说是一件大事。该公司显然对其HBM3E寄予了厚望，因为这很可能使其领先于竞争对手（赢得市场份额）提供优质产品（提高收入和利润）。通常情况下，内存制造商往往不会透露其客户的名称，但这次美光强调，其HBM3E是客户路线图的一部分，并特别提到英伟达（NVIDIA）是其盟友。与此同时，NVIDIA迄今公布的唯一支持HBM3E的产品是其GraceHopperGH200计算平台，该平台采用了H100计算GPU和GraceCPU。Mehrotra说："在整个开发过程中，我们一直与客户密切合作，并正在成为他们人工智能路线图中紧密结合的合作伙伴。美光HBM3E目前正处于英伟达计算产品的资格认证阶段，这将推动HBM3E驱动的人工智能解决方案的发展。"美光的24GBHBM3E模块基于8个堆叠的24Gbit内存模块，采用公司的1β（1-beta）制造工艺。这些模块的日期速率高达9.2GT/秒，使每个堆栈的峰值带宽达到1.2TB/秒，比目前最快的HBM3模块提高了44%。同时，该公司不会止步于基于8-Hi24Gbit的HBM3E组件。该公司已宣布计划在开始量产8-Hi24GB堆叠之后，于2024年推出容量更高的36GB12-HiHBM3E堆叠。美光首席执行官补充说："我们预计在2024年初开始HBM3E的量产，并在2024财年实现可观的收入。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1387065.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1387065.htm

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中 将于2025年亮相

16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中将于2025年亮相该公司目前的HBM产品组合包括作为顶级产品的HBM3E"Shinebolt"，采用24GbDRAM，容量达36GB，传输速度达9.8Gbps。该内存技术采用2.5D封装，支持12Hi的堆叠。三星HBM产品组合的下一个演变将以HBM4的形式出现。这种特殊内存的代号目前尚不清楚，但它应该会有更大的发展。从规格开始，三星的HBM4内存预计将包含多达16-Hi堆栈，如果我们使用相同的24Gb模块可以组合出高达256GB的HBM4容量，速度非常快，而目前的峰值约为10Gbps。三星表示：首先是"细分"。在早期市场，硬件的通用性非常重要，但在未来，随着围绕杀手级应用的服务日趋成熟，硬件基础设施将不可避免地经历一个针对每种服务进行优化的过程。三星电子计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（如8H、12H和16H）来应对。目前，NVIDIA的BlackwellB100/B200和AMD的InstinctMI300GPU可提供高达192GB的HBM容量。前者采用较新的HBM3E标准，后者采用HBM3DRAM解决方案。这两款GPU都有8个HBM位点，每个位点都有12-Hi堆栈，因此如果将这些位点升级到较新的16-Hi堆栈，就可以获得256GB的容量。这还不算HBM4将推出的更密集的DRAM模块（24Gb+）。如果说从下一代HBM4开始，为解决功耗墙问题而进行的第一次创新是从推出使用逻辑工艺的基础芯片开始的，那么随着从目前的2.5DHBM逐步发展到3DHBM，将出现第二次创新。随着DRAM单元和逻辑的发展，预计将出现第三次创新，如HBM-PIM。目前，我们正在与客户和合作伙伴讨论如何实现这些创新，并将积极规划和准备开拓市场。此外，HBM4背后的另一项关键技术将是3D封装的利用。最近，JEDEC放宽了对HBM4内存的要求，允许公司利用现有的粘合技术。下一代3D封装还可能克服与混合粘合相关的一些价格问题。AMD预计将通过MI350和MI370系列更新其MI300产品线，这些产品线预计将增加容量，而NVIDIA则可能在HBM4供应稳定后更新其BlackwellGPU，以便在未来推出速度更快的产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427795.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427795.htm

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s秒传百部电影HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行质量测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。与HBM3相比，Shinebolt的最大数据传输速度（带宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高清电影（每部容量5GB）HBM的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM生产之初就一直的采用是热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然，这二者孰优孰劣还是要交给市场来评判。由于已经在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。其中最主要的就是加速开发可能改变HBM规则的“混合连接”工艺。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390807.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390807.htm

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存1秒处理超1TB数据随后SK海力士发布公告称，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货。据介绍，在存储半导体三大巨头（三星电子、SK海力士、美光）中，SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据，相当于在1秒内可处理230部全高清（FHD）级电影。在散热方面，SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术，散热性能较上一代产品提高了10%，从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示：“公司通过全球首次HBM3E投入量产，进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示，公司积累的HBM业务成功经验，将进一步夯实与客户的关系，并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424206.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424206.htm