三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm

三星据称将于 2024 年生产 300 层 V-NAND

三星据称将于2024年生产300层V-NAND目前，三星最先进的堆叠式NAND是236层产品，比美光和YMTC多四层，但比SK海力士少两层。在《首尔经济日报》的新闻报道中，最引人注目的是与SK海力士的三层堆叠三明治不同，三星显然将坚持使用两层堆叠。这意味着三星的目标是每层堆叠超过150层的NAND，这在产量方面似乎要冒很大的风险。堆叠越高，堆叠失败的几率就越大。但三星也许已经找到了解决这一潜在问题的办法。由于现代3DNAND依赖于通孔硅，因此与过去使用线键合相比，更容易制造更密集的堆栈，但即便如此，三星似乎仍要冒很大的风险。尽管如此，考虑到目前的低需求和进一步减产的消息，三星利用其晶圆厂来测试这种新的、堆叠密度更高的NAND也许是个不错的时机。三星的路线图要求在2030年之前生产出1000多层的V-NAND产品，但实现这一目标的道路似乎仍然漫长而复杂。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1377953.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1377953.htm

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

三星准备于5月推出290层3DNAND计划于明年提升到430层据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。报道第9代V-NAND的同一消息来源还称，该公司计划在2025年初推出其后续产品--第10代V-NAND。第10代V-NAND闪存预计将达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层（第9代V-NAND闪存比上一代增加54层）。这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨，向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427377.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427377.htm

获“无限期豁免”后 三星西安工厂将升级236层NAND技术

获“无限期豁免”后三星西安工厂将升级236层NAND技术△三星1TbitGen8V-NAND芯片报道引用消息人士的说法指出，三星已开始预定和购买最新的半导体设备以用于接下来的制程转换动作。预计，新设备将在2023年底交货，并在2024年于西安工厂陆续引进可生产三星第8代V-NAND的技术，堆叠层数将达到236层，相比其第7代V-NAND的176层数增长了34%。这也被业界视为在当前全球NANDFlash闪存需求疲软，导致产能下降的应对计划。根据公开数据显示，三星中国半导体有限公司在2012年正是落脚中国西安高新区。其中，三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外内存半导体生产基地，于2014年开始运营，并在2020年增建第二座工厂后，主要以生产128层堆叠NANDFlash闪存为主，月产能达20万片12寸晶圆，占三星NANDFlash产总量的40%以上。资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3DNAND闪存芯片。三星中国西安工厂的第一期工程投资108.7亿美元，而在2017年开始，三星开始展开第二期工程，两期工程先后共投资了150亿美元。目前，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391579.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391579.htm

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1TbTLCV-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428345.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428345.htm

三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第8代V-NAND闪存持续改进存储密度与传输性能三星正准备量产第8代V-NAND闪存，包括即将推出的PCIe5.0SSD在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着V-NAND升级到236层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第7代V-NAND已提供176层、且支持高达2.0GT/s的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代V-NAND的UFS3.1（以及最新的UFS4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的3D-NAND也并非易事，尽管三星早在2013年就率先发布了初代V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。于是在突破200层大关的时候，三星分别被美光（232L）和SK海力士（238L）给反超。直到去年提供超过200层的V-NAND闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。虽然我们尚未知晓三星第8代V-NAND的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。作为参考，美光声称其232层NAND可实现单颗2TB容量，以及11.68GB/s读取和10GB/s的写入速度。在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。最后，随着AMD锐龙7000和英特尔RaptorLake平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量@10+GB/s速率的固态驱动器。相关文章:SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306233.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306233.htm