三星发布高性能大容量的下一代 microSD 卡

三星发布高性能大容量的下一代microSD卡三星电子宣布，已开始提供256GBSDExpressmicroSD卡样品，并于今年晚些时候推出；同时开始批量生产1TBUHS-1microSD卡，并将于2024年第三季度推出。三星表示，256GBSDExpressmicroSD卡的数据读取速度高达800MB/s，“比SATASSD（最高560MB/s）快1.4倍，比传统UHS-1存储卡快四倍以上。”但由于SDExpress卡的速度更快，温度可能高达96°C，因此三星推出了动态热防护技术，有助于保持卡的最佳温度。通过推出下一代microSD卡系列，三星旨在提供未来移动计算和设备上人工智能应用所需的差异化内存解决方案。——

三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB / s，拥有 15.36TB 容量

三星宣布高性能PCIe5.0固态硬盘开发成功：顺序读取速度13000MB/s，拥有15.36TB容量https://www.ithome.com/0/594/232.htm三星宣布已开发出用于企业服务器的PM1743固态硬盘。PM1743固态硬盘拥有最新的PCIe5.0接口和三星的第6代V-NAND闪存技术三星PM1743拥有13000MB/s的顺序读取速度和每秒2500K输入/输出操作（IOPS）的随机读取速度，与此前基于PCIe4.0的产品相比，速度分别提升了1.7倍和1.9倍

M3 MacBook Air SSD 升级，不再阉割256GB 读写速度

现在，256GB M3MacBookAir读取速度显著提高，达到每秒2672MB。这意味着苹果决定使用两个较小的芯片是最佳举措，而不是使用单一较大的芯片。在M2版本中，256GB只使用了一颗快闪晶片作为储存。而其他型号则使用两颗并行运作的晶片，比如两颗256GB晶片组成一个512GB，但256GB型号则使用了一颗256GB快闪晶片，而不是两个128GB的版本。这导致入门型号在储存读写速度上显著较慢。标签:#Apple#MacBook#SSD频道:@GodlyNews1投稿:@GodlyNewsBot

三星计划2027年推出 UFS 5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上

三星计划2027年推出UFS5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上三星半导体日前在官方公众号上公布了新品路线图，其中包含了UFS4.04和UFS5.0。三星表示，近年来，端侧(End-to-End)人工智能在智能手机市场上热度很高为了实现大语言模型的端侧运行，研究人员针对模型尺寸开展了多种研究众所周知，轻量化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升UFS接口速度。三星正在研发一款新产品，这款产品使用UFS4.0技术，但将通道数量从目前的2路提升到4路同时，预计2025年量产，顺序读取速度达到8GB/s。三星称，“提升顺序读取速度能够缩短模型载入时间”。新品路线图还显示，三星计划2027年推出UFS5.0产品，顺序读取速度有望提升至10GB/s以上。——、

三星全新移动固态硬盘T9上架 读取/写入速度达2000MB/s

三星全新移动固态硬盘T9上架读取/写入速度达2000MB/sT9移动固态硬盘（1TB），价格为829元，定金100元尾款立减30元，首发到手价799元T9移动固态硬盘（2TB），价格为1359元，定金100元尾款立减60元，首发到手价1299元T9移动固态硬盘（4TB），价格为2399元，定金100元尾款立减100元，首发到手价2299元三星表示，T9固态硬盘身材小巧、性能强劲、耐用可靠，可为专业人士提高工作效率，主要特点包括：是三星首款采用USB3.2Gen2x2接口的移动固态硬盘，顺序读取/写入速度高达2000MB/s，提高用户工作效率;兼容Windows、macOS、Android系统手机和平板电脑，另外还有游戏机和12K相机;具备高达3米的抗跌落能力。由于重量仅为122克，加上采用了点状防滑表面处理，T9固态硬盘握感舒适且防止滑落，方便用户随身携带。T9固态硬盘还配备了三星的动态散热防护装置，尽可能地减少因过热导致的性能下降，保持快速的传输速度。此外，T9固态硬盘的设计符合国际安全标准IEC62368-1，同时还可以使用AES256位加密密码进行安全保护。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388421.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388421.htm

任天堂Switch 2可能使用三星第五代V-NAND 读取速度达1.4GB/s

任天堂Switch2可能使用三星第五代V-NAND读取速度达1.4GB/s在主要成就中，这位前三星员工还列出了由三星存储器第五代V-NAND闪存驱动的安全增强型eMMC卡的开发，这似乎不仅与用于未指定任天堂游戏卡的NAND闪存控制器设备相吻合，而且还与其他一些信息相吻合，如创新未指定专有硬件的安全性和设计新的PUFIP（物理不可克隆功能）。任天堂Switch2需要比上一代产品更快的读取速度并不完全令人惊讶，但任天堂使用三星第5代V-NAND仍然是个好消息，尽管以今天的标准来看，这已经是有些过时的技术了，因为三星正在开发第9代和第10代V-NAND，后者计划于2025年发布。不过，第5代产品高达1.4GB/s的速度对于任天堂的游戏来说应该绰绰有余，至少比前一代产品有了很大的提升。关于NintendoSwitch2的细节人们所知甚少，只知道它将再次采用NVIDIA硬件。据说，T239芯片将支持英伟达DLSS和光线重构等功能，这将使它成为市场上光线追踪能力最强的游戏系统。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428035.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428035.htm