台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法

台积电CEO访问ASML总部预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法台积电的宿敌英特尔公司（Intel）希望在新兴的高数值孔径超紫外光刻（High-NAEUVlithography）领域取得不可逾越的领先地位。事实上，首批几台这样的机器全部出货给了英特尔的芯片制造部门。英特尔打算在其即将推出的18A（1.8纳米）工艺节点参数范围内试验高纳极致紫外线（EUV）光刻技术，然后再将其正式纳入14A（1.4纳米）制造工艺。相比之下，台积电公开表示，其现有的低噪点EUV光刻机阵容可以支持生产到2026年。对于即将到来的A16工艺节点，该公司显然满足于现有的工艺改进，包括提高生产效率的多重掩模和先进的基于纳米片的晶体管设计。这家台湾芯片制造商似乎还在依靠背面供电来提升其产品在人工智能工作负载方面的性能。这就是问题的关键所在。5月26日，台积电首席执行官魏哲家没有出席2024年技术研讨会，而是秘密访问了ASML位于荷兰的总部。根据BusinessKorea的报道，从ASML首席执行官ChristopherFuke和通快集团首席执行官NicolaLeibinger-Kammüller的社交媒体帖子中可以了解到魏访问的一些细节。根据台积电的既定计划，这家合约芯片制造商希望在推出基于1.6纳米的产品后，才采用高数值孔径EUV光刻技术。然而，魏哲家对ASML总部的秘密访问却让人颇感意外，尤其是这表明台积电目前的发展轨迹存在暗流，或许正在未来的运营策略上进行更广泛的检讨。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432586.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432586.htm

阿斯麦与 SK 海力士拟合作开发 EUV 光刻机氢气回收技术

阿斯麦与SK海力士拟合作开发EUV光刻机氢气回收技术韩国产业通商资源部12月13日表示，总部位于荷兰的阿斯麦公司（ASML）计划扩大与韩国芯片制造商的业务合作。除ASML计划与三星电子共同投资1万亿韩元（约合7.04亿欧元）在韩国建芯片研究中心外，ASML还与韩国第二大芯片制造商SK海力士签署谅解备忘录，以开发回收极紫外（EUV）光刻机中使用的氢气的技术，以降低极紫外线光刻机能耗。

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NAEUV光刻机 他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。VandenBrink进一步强调了Hyper-NAEUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据VandenBrink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431859.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431859.htm

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机ASMLTwinscanNXE:3800E代表了低数值孔径EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在30mJ/cm^2剂量下处理超过195个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至220wph。此外，新工具还提供小于1.1nm的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。ASML在X上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台TwinscanNXE:3800E现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和3nm级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高TwinscanNXE:3800E机器的经济效益。ASMLTwinscanNXE:3800E的性能改进预计将显着缓解EUV技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖EUV的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和SK海力士等内存制造商也至关重要。此外，TwinscanNXE:3800E的增强性能对于采用2nm以及需要EUV双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于3nm以下生产节点。（图片来源：ASML）然而，像NXE:3800E这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为1.8亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于ASML的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入NXE:3800E等更先进、更高效的EUV扫描仪对于实现这些目标至关重要。展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以TwinscanNXE:4000F的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径EUV扫描仪，预计于2026年左右发布。这一持续开发强调了ASML致力于推进低数值孔径的承诺-NAEUV制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423976.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423976.htm

华为将用于制造小于10纳米芯片的EUV光刻工具组件申请专利

华为将用于制造小于10纳米芯片的EUV光刻工具组件申请专利华为已经为EUV光刻系统中使用的一个组件申请了专利，该组件是在10纳米以下节点上制造高端处理器所必需的。它解决了紫外线产生的干扰图案问题，否则会使晶圆不平整。华为已经解决了芯片制造最后一步的一个问题，这个问题是由极紫外光（EUV）的微小波长造成的。它的专利描述了一个镜子阵列，它将光束分成多个子光束，这些子光束与它们自己的微观镜子碰撞。这些镜子中的每一个都以不同的方式旋转，在光线中形成不同的干涉模式，这样当它们重新结合时，干涉模式就会抵消，从而形成一个统一的光束。图为ASML光刻机内的镜子的效果图EUV光刻系统目前由荷兰公司ASML独家制造。EUV光刻技术依靠的是与老式光刻技术相同的原理，但使用波长约为13.5纳米的光，这几乎已经是一种X射线。ASML公司从快速移动的直径约为25微米的熔融锡液滴中产生紫外光。"当它们落下时，这些液滴首先被一个低强度的激光脉冲击中，将它们压扁成薄饼状。然后，一个更强大的激光脉冲将被压扁的液滴汽化，形成一个发射EUV光的等离子体。为了产生足够的光来制造微芯片，这个过程每秒钟要重复5万次"，ASML解释说。华为专利中的反射镜示意图ASML投入了超过60亿欧元和17年的时间来开发第一批可以销售的EUV光刻机。但在它们完成之前，美国政府向荷兰政府施压，禁止向中国出口，限制中国使用较老的DUV（深紫外）技术。目前，只有五家公司正在使用或已经宣布计划使用ASMLEUV光刻系统。美国的英特尔和美光，韩国的三星和SK海力士，以及台湾的台积电。像华为这样的中国科技公司以前可以把他们的设计送到台积电这样的工厂，用EUV光刻技术进行生产。但自从美国对一系列芯片企业实施制裁后，这种可能性就越来越小了。华为需要获得使用EUV光刻技术的先进节点，以继续改进其定制的处理器，这些处理器的目标客户包括从智能手机到数据中心。在制造自己的EUV系统之前，它还有很长的路要走，但他们得到了大量的资金和政府的支持，以实现这一目标。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1336291.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1336291.htm

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机 单价翻番到26亿

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机单价翻番到26亿ASML（荷兰阿斯麦）正抓紧研制其下一代高NA（0.55数值孔径）的EUV极紫外光刻机，在发布最新财报期间，AMSL透露，其存量EUV客户均订购了新一代设备。具体来说，在Intel和台积电之后，三星、SK海力士、美光等也下单高NAEUV光刻机了。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1329261.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1329261.htm