台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法

台积电CEO访问ASML总部预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法台积电的宿敌英特尔公司(Intel)希望在新兴的高数值孔径超紫外光刻(High-NAEUVlithography)领域取得不可逾越的领先地位。事实上,首批几台这样的机器全部出货给了英特尔的芯片制造部门。英特尔打算在其即将推出的18A(1.8纳米)工艺节点参数范围内试验高纳极致紫外线(EUV)光刻技术,然后再将其正式纳入14A(1.4纳米)制造工艺。相比之下,台积电公开表示,其现有的低噪点EUV光刻机阵容可以支持生产到2026年。对于即将到来的A16工艺节点,该公司显然满足于现有的工艺改进,包括提高生产效率的多重掩模和先进的基于纳米片的晶体管设计。这家台湾芯片制造商似乎还在依靠背面供电来提升其产品在人工智能工作负载方面的性能。这就是问题的关键所在。5月26日,台积电首席执行官魏哲家没有出席2024年技术研讨会,而是秘密访问了ASML位于荷兰的总部。根据BusinessKorea的报道,从ASML首席执行官ChristopherFuke和通快集团首席执行官NicolaLeibinger-Kammüller的社交媒体帖子中可以了解到魏访问的一些细节。根据台积电的既定计划,这家合约芯片制造商希望在推出基于1.6纳米的产品后,才采用高数值孔径EUV光刻技术。然而,魏哲家对ASML总部的秘密访问却让人颇感意外,尤其是这表明台积电目前的发展轨迹存在暗流,或许正在未来的运营策略上进行更广泛的检讨。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432586.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1432586.htm

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ASML正在开发hyper-NAEUV光刻机 他表示,在未来十年内,ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。VandenBrink进一步强调了Hyper-NAEUV工具的重要性,指出它能够简化复杂的双重图案工艺,降低生产难度。他解释说,这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是,高数值孔径EUV(high-NA)光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具,目前仅英特尔一家采用,而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用,ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室,该实验室将与Imec共同运营,为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上,该实验室的系统已经投入使用,并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据VandenBrink的最新更新,该系统已经能够产生8nm线阵图案,接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431859.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1431859.htm

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阿斯麦向客户交付第二台HighNAEUV光刻机,买家身份成谜https://www.ithome.com/0/762/592.htm然而,ASML对买家身份讳莫如深,只能猜测其身份,路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上,英特尔已经购买了首台高数值孔径EUV光刻机,用于其即将推出的14A制程节点。正如ASML在提交给美国证券交易委员会的文件(第13页)中提到的,英特尔在2024年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台TWINSCANEXE:5200系统。台积电和三星也已经确认有意采用ASML的高数值孔径EUV光刻机。

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