SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存1秒处理超1TB数据随后SK海力士发布公告称,其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产,并将从本月下旬起向客户供货。据介绍,在存储半导体三大巨头(三星电子、SK海力士、美光)中,SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级电影。在散热方面,SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术,散热性能较上一代产品提高了10%,从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示:“公司通过全球首次HBM3E投入量产,进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示,公司积累的HBM业务成功经验,将进一步夯实与客户的关系,并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424206.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424206.htm

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德邦证券:SK 海力士 HBM3E 良率接近 80% HBM 供不应求

德邦证券:SK海力士HBM3E良率接近80%HBM供不应求德邦证券发布研报称,5月21日,SK海力士高层KwonJae-soon表示,SK海力士的HBM3E良率接近80%,他强调SK海力士今年重点是生产8层堆叠HBM3E。此前,SK海力士CEO郭鲁正于5月2日宣布,公司HBM今年已经全部售罄,明年也基本售罄,并且预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品,并准备在第三季度开始量产。同时,美光CEOSanjayMehrotra也表示HBM产能今年已经全部售罄,并且预计其HBM产品在第三财季可为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。建议关注HBM产业链:赛腾股份(603283.SH)、通富微电(002156.SZ)、联瑞新材(688300.SH)、华海诚科(688535.SH)、香农芯创(300475.SZ)、精智达(688627.SH)等。

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HBM3E芯片供不应求 SK海力士明年产能都被预定一空

HBM3E芯片供不应求SK海力士明年产能都被预定一空相比传统内存技术,HBM带宽更高、功率更低、功耗更低、尺寸更小,能够使AI服务器的传输速率和数据处理量大幅提升,因此HBM也成了AI服务器的标配。正如台积电垄断了先进封装一般,HBM的供应也被SK海力士垄断,市占率超过95%,也是目前唯一能量产HBM3E的厂商。HBM3E作为HBM3的升级版本,预计将为英伟达明年即将量产的GH200提供强大支持。此外SK海力士还预计,即使HBM3E的需求强劲,也不会对现有HBM3产品的平均售价造成影响。主要是因为对DRAM的需求预计将从2024年开始恢复,而对HBM3的需求仍然强劲。因此SK海力士计划在2024年增加投资以应对不断扩大的需求,还计划以HBM为中心不断提升其产能。根据媒体报道,SK海力士今年三季度的营业亏损环比下降了1万亿韩元(约合54.2亿元人民币),而这主要就得益于其DRAN业务的利润。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1392603.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1392603.htm

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SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中,SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示:“纵观当前的市场形势,大型科技客户正在加快新产品的发布时间,以确保在AI领域领先。因此,我们也在提前讨论今年和明年的计划,以确保及时供应下一代HBM产品。”SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商,但却是HBM的主要供应商,HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商,并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E以及最新的第四代HBM3芯片。2023年4月,SK开发出全球首款12层HBM3DRAM产品,内存容量为24千兆字节(GB),为业内最大。2023年8月,该公司推出了业界性能最佳的第五代HBMDRAMHBM3E,用于AI应用,并向其客户NVIDIACorp.提供了样品以进行性能评估。今年3月,SK海力士开始大批量生产HBM3E芯片,这是业界推出的另一个公司,同时表示将把第六代HBM4芯片的量产提前到2025年。大容量NAND受到业界关注SK海力士副总裁兼HBM工艺集成(PI)负责人KwonUn-oh表示:“通过先发制人地确保技术和量产专业知识,我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人SonHo-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示,受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动,预计今年全球DRAM市场规模将达到65%,达到117万亿韩元(850亿美元)。本月初,首席执行官KwakNoh-jung在新闻发布会上表示,其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁OhHae-soon表示,NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示:“随着对大规模AI服务器的需求不断增长,eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心(RTC)副总裁YiJae-yun表示,公司还在密切关注新兴存储芯片,如仅选择器存储器(SOM)、自旋存储器和突触存储器,这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格,以及磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和相变存储器(PCM)芯片。分析师表示,在存储芯片制造商中,SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者,因为它是NVIDIACorp.的最大AI芯片供应商,而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示,如果SK海力士看到AI芯片融资需求,该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433025.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1433025.htm

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SK 海力士:12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成 下半年整体内存供应可能面临不足

SK海力士:12层堆叠HBM3E开发三季度完成下半年整体内存供应可能面临不足SK海力士表示,12层堆叠(12Hi)HBM3E内存开发有望三季度完成,而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8HiHBM3E内存,SK海力士将为明年客户对12HiHBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估,如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽,内存市场将面临紧张局势。

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三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品,但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日,三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H(12层堆叠)HBM3EDRAM内存。据介绍,HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量,相比于8层堆叠的HBM38H,在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠,其AI训练速度平均提高34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上,英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍,B200拥有2080亿个晶体管,采用台积电4NP工艺制程,可以支持多达10万亿个参数的AI大模型,还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

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SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片预期2026年投产(来源:SK海力士)背景:什么是高带宽内存众所周知,高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔(TSV)连接这些芯片,从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功,后来被称为HBM1的芯片通过AMD的RadeonR9Fury显卡首次登陆市场。后续,HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称,HBM3E带来了10%的散热改进,同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。(HBM3E芯片成品,来源:SK海力士)技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言,根据英伟达官方的规格参数表,H100产品主要搭载的是80GB的HBM3,而使用HBM3E的H200产品,内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么?在此次合作前,所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺,包括制造封装内最底层的基础裸片,然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。(HBM3E演示视频,来源:SK海力士)两家公司在公告中表示,从HBM4产品开始,准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能,公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外,双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合(2.5D封装)。通过与台积电的合作,SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商,海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片,今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言,AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下,维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间,约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息,目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下,这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月,美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月,正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GBHBM3E12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证,以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算,2024年的HBM市场里,SK海力士能够占到52.5%的份额,三星和美光则占42.4%和5.1%。另外,在动态随机存取存储器(DRAM)行业内,HBM的收入份额在2023年超过8%,预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事,普华永道高科技行业研究中心主任AllenCheng认为是“明智的举措”。他表示:“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户,进一步加深伙伴关系,意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。”...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427912.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1427912.htm

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