SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。”SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E以及最新的第四代HBM3芯片。2023年4月，SK开发出全球首款12层HBM3DRAM产品，内存容量为24千兆字节(GB)，为业内最大。2023年8月，该公司推出了业界性能最佳的第五代HBMDRAMHBM3E，用于AI应用，并向其客户NVIDIACorp.提供了样品以进行性能评估。今年3月，SK海力士开始大批量生产HBM3E芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代HBM4芯片的量产提前到2025年。大容量NAND受到业界关注SK海力士副总裁兼HBM工艺集成（PI）负责人KwonUn-oh表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人SonHo-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官KwakNoh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁OhHae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心(RTC)副总裁YiJae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器(SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和相变存储器(PCM)芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIACorp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433025.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433025.htm

在Telegram中查看

相关推荐

SK 海力士 CEO 郭鲁正：2025 年生产的 HBM 产品基本售罄

SK海力士CEO郭鲁正：2025年生产的HBM产品基本售罄韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。（界面新闻）

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片预期2026年投产（来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的RadeonR9Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GBHBM3E12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任AllenCheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。”...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427912.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427912.htm

SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存1秒处理超1TB数据随后SK海力士发布公告称，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货。据介绍，在存储半导体三大巨头（三星电子、SK海力士、美光）中，SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据，相当于在1秒内可处理230部全高清（FHD）级电影。在散热方面，SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术，散热性能较上一代产品提高了10%，从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示：“公司通过全球首次HBM3E投入量产，进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示，公司积累的HBM业务成功经验，将进一步夯实与客户的关系，并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424206.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424206.htm

消息称美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK 海力士和三星电子更具优势

消息称美光下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势业内人士表示，美光正在研发的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势。美光的新HBM产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。今年年底美光HBM产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但预计明年将增加三到四倍。美光设定的目标是最早在明年下半年开发第6代HB（HBM4），并预计在2028年开发第7代HBM4E。

韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂

韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂韩国《首尔经济》1月13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。来源：https://www.jiemian.com/article/10674396.htmlVia洛天投稿：@TNSubmbot频道：@TestFlightCN

SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能

SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。SK海力士上个月表示，它计划斥资约146亿美元在韩国建造一座新的存储芯片工厂以满足这一需求。此外，该公司还将在印第安纳州建造一座耗资40亿美元的封装厂，这也是该公司在美国的第一座封装厂。在回答关于公司如何支付投资的问题时，首席财务官KimWoo-hyun表示，他预计公司将从运营中产生足够的现金，为必要的项目提供资金。从中长期来看，公司计划在考虑现金生成和财务健康之间的平衡的情况下获得资金。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429406.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429406.htm

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人