华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术
华为和中芯国际为5纳米生产准备四重半导体图案化技术在7纳米工艺中,中芯国际最有可能使用自对准双图案技术(SADP)和DUV工具,但为了提高5纳米节点的密度,需要将SAQP提高一倍。在半导体制造过程中,光刻工具需要多次转动来蚀刻硅晶片上的设计。特别是随着更小的节点对密度的要求越来越高,使用DUV工具蚀刻10纳米以下的设计变得越来越具有挑战性。这就是ASML的极紫外光(EUV)工具发挥作用的地方。使用EUV,光刻打印机的波长比DUV小14倍,仅为13.5nm,而ArF浸透DUV系统的波长为193nm。这就意味着,如果没有EUV,中芯国际就必须寻找SAQP等替代方案来提高节点密度,结果会增加复杂性,并可能降低产量。例如,英特尔曾试图在其首批10纳米节点中使用SAQP,以减少对EUV的依赖,结果造成了一系列延误和并发症,最终将英特尔本身也推向了EUV。虽然华为和中芯国际可能会为SAQP开发出更高效的解决方案,但由于普通DUV无法跟上半导体节点密度的不断提高,因此使用EUV已迫在眉睫。鉴于ASML无法将其EUV设备运到中国,据称华为正在开发自己的EUV设备,但可能还需要几年时间才能展示出来。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424936.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424936.htm
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