华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术

华为和中芯国际为5纳米生产准备四重半导体图案化技术在7纳米工艺中,中芯国际最有可能使用自对准双图案技术(SADP)和DUV工具,但为了提高5纳米节点的密度,需要将SAQP提高一倍。在半导体制造过程中,光刻工具需要多次转动来蚀刻硅晶片上的设计。特别是随着更小的节点对密度的要求越来越高,使用DUV工具蚀刻10纳米以下的设计变得越来越具有挑战性。这就是ASML的极紫外光(EUV)工具发挥作用的地方。使用EUV,光刻打印机的波长比DUV小14倍,仅为13.5nm,而ArF浸透DUV系统的波长为193nm。这就意味着,如果没有EUV,中芯国际就必须寻找SAQP等替代方案来提高节点密度,结果会增加复杂性,并可能降低产量。例如,英特尔曾试图在其首批10纳米节点中使用SAQP,以减少对EUV的依赖,结果造成了一系列延误和并发症,最终将英特尔本身也推向了EUV。虽然华为和中芯国际可能会为SAQP开发出更高效的解决方案,但由于普通DUV无法跟上半导体节点密度的不断提高,因此使用EUV已迫在眉睫。鉴于ASML无法将其EUV设备运到中国,据称华为正在开发自己的EUV设备,但可能还需要几年时间才能展示出来。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424936.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424936.htm

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华为专利披露三纳米级工艺技术规划今年早些时候,当华为和中芯国际为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化(SAQP)光刻方法专利时,大多数人都认为这两家公司正在使用其5纳米级制造工艺制造芯片。显然,这并不是他们计划的极限,因为华为现在也期待将四重图案化用于3纳米级制造技术。与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司(SiCarrier)也获得了SAQP专利,这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。SAQP指的是在硅片上反复雕刻线条,以提高晶体管的密度,降低功耗,从而提高性能。——

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华为与中芯国际据报去年利用美国技术生产七纳米芯片要求匿名的知情人士说,中国通讯设备巨头华为和芯片制造商中芯国际,去年依靠美国技术在中国生产了一款先进的七纳米芯片。彭博社星期五(3月8日)引述知情人士报道,总部位于上海的中芯国际去年利用美国应用材料公司(AppliedMaterials)和半导体生产设备制造商泛林集团(LamResearch)的设备为华为生产了一款先进的七纳米芯片。知情人士说,中芯国际是在2022年10月美国对先进半导体设备实施禁令前,取得这些设备。美国近年来与日本、荷兰等半导体生产大国合作对中国实施科技围堵,以期达到遏制其科技进步并获得军事优势的目的。不过,华为去年8月仍出人意料地推出具有5G功能和尖端处理器的新款智能手机。彭博社委托半导体行业观察机构TechInsights拆解这款手机后发现,这款芯片由中芯国际生产,且采用了七纳米芯片技术,表明其制造能力远远超出美国试图阻止中国达到的技术水平。美国去年11月发布的报告认为,尽管面临大范围的限制,中国依然能绕过限制取得先进的半导体制造设备。彭博社去年10月报道,华为新款智能手机的先进处理器,是由中芯国际使用荷兰半导体设备巨头阿斯麦设备生产。但美国商务部官员认为,他们还没有看到证据表明中芯国际能大规模生产七纳米芯片。阿斯麦首席执行官温彼得(PeterWennink)也认同这一说法。温彼得1月底接受彭博社采访时说,如果中芯国际想要在没有阿斯麦最先进极紫外光刻系统的情况下推进技术,他们将面临技术挑战而无法生产具有商业意义的芯片。2024年3月8日11:18AM

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