长江存储突破QLC闪存寿命 做到4000次P/E

长江存储突破QLC闪存寿命做到4000次P/E不过,长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计,走出了属于自己的特色道路,闪存寿命可靠性大大提升。比如长江存储新一代的QLC3DNAND闪存,内部代号“X3-6070”,就有着极为优秀的素质,可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。根据官方介绍,长江存储X3-6070QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同时读取、写入速度都有着接近100%的提升。更不可思议的是可靠性和寿命,它的P/E居然能做到惊人的4000次,是普通QLC闪存的4倍!据长江存储的工作人员透露,他们的QLC闪存之所以能做到这一点,一方面来自独特的Xtacking晶栈架构,另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然,不是所有的QLC都能达到这么高的水平,一要看具体品质和良品率,而要看用在什么领域,比如企业级SSD上使用的肯定寿命更长一些。比如说去年9月份发布的致态Ti600,是长江存储首款采用QLC闪存的SSD产品,面向消费级市场,其性能可媲美高端的PCIe4.0SSD。它的具体P/E次数没有公开。考虑到这类产品的写入放大一般在3-5倍,再加上固件算法设置等因素,倒推致态Ti600SSD的P/E大概在2000次左右,是普通QLC的两倍左右,相当可靠了。同时,致态Ti6001TB版本的最大写入量多达400TBW,按照五年保质期计算,平均每天可以写入219GB,完全能够满足消费级用户的使用。值得一提的是,在OEM领域,长江存储的下一代PC41QSSD也将引入QLC,可用于笔记本、台式机、一体机等设备。它支持PCIe4.0x4、NVMe1.4,读写带宽5.5GB/s,动态功耗低于4W,PS4待机功耗低于2mW。可靠性和数据保持能力方面也足以媲美TLC闪存,比如说平均故障间隔时间达200万小时,可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。可以说,QLC闪存已经到了真正可以普及的新阶段,尤其是长江存储的QLC,完全可以让普通消费者乃至企业级客户都放心长期使用,无论性能还是寿命都无需任何顾虑。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425929.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1425929.htm

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长江存储新一代长寿命QLC闪存已实现4000次PE

长江存储新一代长寿命QLC闪存已实现4000次PE它的IO接口速度达到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同时读取、写入速度都有着接近100%的提升。更不可思议的是可靠性和寿命,P/E编程擦写循环居然能做到惊人的4000次,是上代产品的4倍!要知道,常规的MLC闪存也只能做到3000次左右的P/E,TLC闪存初期仅为100-150次,成熟后不过1000次左右,企业级增强版也只有3000次。据长江存储的工作人员透露,他们的QLC闪存之所以能做到4000次P/E,一方面来自独特的Xtackig精湛架构,另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然,不是所有的QLC都有这么高的水平,仅限企业级产品,而且要看良品率,消费级最高可以做到2000次左右。具体到实际产品中,情况也会有所不同,要看产品定位和设计,要结合写入放大因素,比如长江存储自有品牌的首款QLC产品,致态Ti600,估计只有600次左右。在OEM领域,长江存储的下一代PC41Q将引入QLC,可用于笔记本、台式机、一体机等。它支持PCIe4.0x4、NVMe1.4,读写带宽5.5GB/s,动态功耗低于4W,PS4待机功耗低于2mW,并拥有媲美TLC的高可靠性和数据保持能力,平均故障间隔时间达200万小时,可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。除了QLC闪存外,长江存储还展示了企业级SSD和嵌入式UFS/eMMC等产品。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424644.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424644.htm

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长江存储展示其QLC闪存PE寿命:4000次P/E擦写

长江存储展示其QLC闪存PE寿命:4000次P/E擦写据长江存储的工作人员透露,他们的QLC闪存之所以能做到4000次P/E,一方面来自独特的Xtackig精湛架构,另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然,不是所有的QLC都有这么高的水平,要看品质和良率。在OEM领域,长江存储的下一代PC41Q将引入QLC,可用于笔记本、台式机、一体机等。它支持PCIe4.0x4、NVMe1.4,读写带宽5.5GB/s,动态功耗低于4W,PS4待机功耗低于2mW,并拥有媲美TLC的高可靠性和数据保持能力,平均故障间隔时间达200万小时,可以在30℃环境下稳定保存数据1年之久。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1425379.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1425379.htm

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QLC闪存性能追上TLC可靠性逆袭32PBW写不死Solidigm是SK海力士收购Intel闪存业务之后成立的合资公司,独立运营,技术体系源于之前的Intel、美光合资IMFT公司,日前推出了新一代数据中心硬盘D5-P5430系列,PCIe4.0技术的。D5-P5430有E1.S、E3.S、U2三种规格尺寸,容量3.84TB起,E1.S规格最高15.36TB容量,其他两个规格最高30.72TB,不过目前上市容量最大的依然是15.3TB,30.72TB的要到年底上市。闪存方面,它使用的是192层的3DQLC闪存,但是敢于叫板TLC闪存,Solidigm对比的都是友商的TLC闪存数据中心硬盘,7GB/s的读取速度略高于其他竞品,最大容量是友商的2-4倍。说缺点的话,写入性能3G/s依然是比不过TLC闪存的,只有友商的一半多,但是放到4K、8K等实际性能来看,也不算多差,还是能打的。QLC先天的写入性能差是硬伤,但寿命是可以优化的,这本来是QLC闪存第二大槽点,可Solidigm的192层QLC做到了0.58DWPD、总计32PBW的数据寿命。作为对比的话,美光最新的232层TLC闪存的6500IONSSD也不过是0.3DWPD,QLC几乎高出一倍的写入寿命。总之,相比TLC闪存,QLC还有写入速度的硬伤不好追,但在数据寿命上超越TLC也不是啥问题,再考虑到容量及成本上的优势,在数据中心市场依然有足够的吸引力。当然,这种QLC闪存后续也是会用到消费级SSD上的,15/30TB容量不想了,将4TB、8TB硬盘的价格打下来就行。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360621.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1360621.htm

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QLC尚未普及HLC又来写入寿命堪忧从原理看,数据是以电荷的方式存储在NAND FLASH的存储单元中。如果说NANDFLASH是一个容器,存储单元就可看做容器中的一个个“格子”,根据格子中存储数据的位数不同,就有了大家熟知的SLC、MLC、TLC、已经在市面有销售但未全面普及的QLC,以及铠侠(原东芝)刚刚开发出来的HLC。其实,从SLC到HLC,都是为了满足用户大量存储数据的需求,其中SLC每个存储单元可储存1bit数据,MLC可储存2bit数据,TLC可储存3bit数据,QLC可存储4bit数据,PLC可存储5bit数据。而铠侠HLC(Hepta-level)使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料,可存储数据达到了7bits,比QLC几乎翻倍。由此可见,可见单个存储单元存储的数据的位数越高,NAND闪存颗粒的容量就越大,PCB上的存储芯片数量也随之减少,极大降低固态硬盘的制造成本。而HLC的研制成功,则意味着即使闪存堆叠技术没有任何改进,固态硬盘的容量也能实现直接翻倍,以后千元左右的M.2固态硬盘容量做到了8TB、16TB也不是什么奇怪的事。当然,闪存容量的提升也是要做出一些牺牲和妥协的。首先是读写速度,简单来说SLC最快、价格最贵,但早已停售;MLC次之,相关产品也基本绝迹。目前市场主流产品为TLC,也有部分低价产品采用QLC,当然QLC的缓外速度已经被人嗤之以鼻了。其次是写入寿命,依然是SLC最高、MLC其次,然后是TLC,QLC依然被鄙视,而HLC也就可想而知了。不过我们也不用过于担心,毕竟QLC都开始应用于企业级了。为了保证QLC和HLC颗粒的性能和耐久度,将来的固态硬盘主控芯片也会带来更先进的损耗平衡和错误校正算法,以及更大的SLC缓存,毕竟缓外速度还不及机械硬盘,恐怕这是谁都不希望看到的。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1357577.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1357577.htm

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长江存储232层闪存揭秘:设计独特存储密度世界第一研究显示,长江存储1TbTLC芯片的存储密度已达15.47Gb每平方毫米,1TbQLC更是高达19.8Gb每平方毫米,在两种闪存类型中都无出其右者。两种闪存均基于晶栈3.0架构,数据传输率均为2400MT/s,可以搭配PCIe4.0、PCIe5.0主控,打造旗舰级SSD。不同之处在于,QLC用的是4-plane结构,可以理解为4颗芯片并排放在一起,总长度12.88毫米、宽度4.02毫米,重点优化与缩小核心面积。TLC用的则是6-plane结构,并排放置6颗芯片,追求性能最大化。TechInsights对于长江存储的成就予以了高度评价,尤其是在美国封锁之下,无法获取最新尖端技术和工具,仍然达成了世界最高存储密度,是非常了不起的,进一步凸显了其晶栈架构的优越性。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1393639.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1393639.htm

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西数、铠侠宣布218层闪存:技术很像中国长江存储但有232层值得一提的是,西数、铠侠开发了新的CBA技术,也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOSdirectlyBondedtoArray),每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造,再键合到一起,从而大大提升存储密度、I/O速度。是的没错,妥妥的长江存储晶栈Xtacing3.0技术的既视感。根据官方数据,新闪存的NANDI/O接口传输速度达到3.2Gbps,比上代提升多达60%,同时在写入性能、读取延迟方面改善了20%,整体性能、可用性再上新台阶。再加上工艺、架构方面的革新,成本方面也进一步优化。闪存类型方面,TLC、QLC都可以。不过,西数、铠侠并未透露218层新闪存何时商用,会首先用在哪些产品上。事实上,长江存储去年发布的晶栈3.0闪存就已经做到了232层,还有2400MT/sI/O速度,并应用于致态TiPlus7100SSD系列,但因为你懂的原因没有公开宣传。去年7月份,美光第一家公开了232层闪存,但受市场需求疲软影响,官方称暂时不会商用。随后,SK海力士宣布了238层堆叠,三星一般认为做到了236层。现在看来,NAND闪存这一轮的竞争,西数、铠侠不但速度最慢,反而还是最落后的了。长江存储232层闪存美光232层闪存...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1352187.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1352187.htm

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