三星发布32Gb DDR5 DRAM 为最高128GB容量内存模块打好基础

三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布，该公司采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前，三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位，并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示："凭借我们的12nm级32GbDRAM，我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案，使我们能够在人工智能（AI）和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位（Kb）DRAM以来，三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术，提高了集成密度并优化了设计，拥有业界最高的单个DRAM芯片容量，在相同封装尺寸下，其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前，使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而，通过使用三星的32GbDRAM，现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，与使用16GbDRAM的128GB模块相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础，三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线，通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM，该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm

SK hynix推出24GB容量12层HBM3内存 正向客户提供样品

SKhynix推出24GB容量12层HBM3内存正向客户提供样品"继去年6月量产全球首款HBM3之后，公司成功开发了24GB封装产品，该产品的内存容量比之前的产品增加了50%，"SKhynix说。"我们将从今年下半年开始向市场供应新产品，以配合人工智能驱动的聊天工具行业对高端内存产品不断增长的需求。"SKhynix的工程师通过在最新产品中应用先进的大规模回流模塑（MR-MUF）技术，提高了工艺效率和性能稳定性，而硅通孔（TSV）技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%，实现了与16GB产品相同的堆叠高度水平。"SKhynix通过其在后端工艺中使用的领先技术，能够持续开发一系列超高速和高容量的HBM产品，"SKhynix封装和测试主管SangHooHong说。"公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备，以进一步巩固其在人工智能时代的尖端DRAM市场的领导地位。"由SKhynix在2013年首次开发的HBM，因其在实现高性能计算（HPC）系统中运行的生成式人工智能中的关键作用，已经引起了存储芯片行业的广泛关注。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1355881.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1355881.htm

SK Hynix展示非常规容量的48GB和96GB DDR5 RDIMM

SKHynix展示非常规容量的48GB和96GBDDR5RDIMMSKHynix在2022年的英特尔InnovatiON活动中展示了一些非常规的服务器内存容量：48GB和96GB容量规格的DDR5RDIMMs，当然也有常见的32GB、64GB和128GB的密度，这些产品的数据速率为DDR5-5600和DDR5-6400。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1322255.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1322255.htm

SK hynix 1bnm工艺将用于DDR5 RDIMM和HBM3E DRAM解决方案

SKhynix1bnm工艺将用于DDR5RDIMM和HBM3EDRAM解决方案SKHynix还确认，下一代1bnm节点将被用于生产DDR5和HBM3E（高带宽内存）解决方案。该企业表示，XeonScalable平台获得了英特尔认证，支持在1bnm节点上构建的DDR5产品。1bnmDDR5内存的成功评估发生在1anm（第四代10nm节点）实现准备就绪并同时完成英特尔认证的时候。SKHynix预计，在成功验证了1anm服务器DDR5产品与第四代英特尔至强可扩展处理器的兼容性之后，与英特尔合作的1bnmDDR5产品的验证过程将顺利进行。在人们对内存市场将从下半年开始复苏的期望越来越高的情况下，我们相信我们业界领先的DRAM技术，通过这次1bnm工艺的大规模生产再次得到证明，将帮助我们从下半年开始提高收益。开发初期试运行的DDR5产品运行速度为4.8Gbps，而JEDEC标准中规定的DDR5的最高速度为8.8Gbps。提供给英特尔的DDR5产品的运行速度为6.4Gbps（目前为业界最高），比DDR5开发初期的测试产品的数据处理速度提高了33%。此外，1bnmDDR5内存的功耗将比1anm节点低20%，这是因为采用了高K金属栅极工艺，引入了高介电常数材料，可以防止泄漏电流并提高电容。HBM3E（HBM3扩展）：HBM3E是第五代高带宽内存产品，继承了前几代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3。SKhynix计划在下半年准备好HBM3E产品的样品，以8Gbps的数据处理速度运行，并在2024年开始大规模生产。该企业还表示，该公司将在2024年下半年前采用1bnm工艺生产基于LPDDR5T和HBM3E的产品。SKHynix计划准备以8Gbps数据处理速度运行的HBM3E产品的样品，并在2024年开始大规模生产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1362529.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1362529.htm

SK Hynix宣布量产LPDDR5T 目前最快的面向移动设备的DRAM

SKHynix宣布量产LPDDR5T目前最快的面向移动设备的DRAMSKhynix解释说，LPDDR5T是实现智能手机性能最大化的最佳内存，达到了有史以来的最高速度。该公司还强调，将继续扩大该产品的应用范围，引领移动DRAM领域的世代交替。LPDDR5T16GB封装在电子器件工程联合委员会（JEDEC）规定的1.01至1.12V超低电压范围内工作，每秒可处理77GB数据，相当于在一秒钟内传输15部全高清晰度（FHD）电影。该公司最近开始向全球智能手机制造商Vivo交付产品，Vivo也宣布其最新的智能手机X100和X100Pro将配备SKhynix最新的存储颗粒。这些设备还将配合联发科技（MediaTek）最新的旗舰手机处理器Dimensity9300运行，今年8月，SKhynix确认已经完成了应用联发科技下一代移动AP的性能验证。SK海力士副总裁兼DRAM营销负责人MyoungsooPark表示："随着人工智能时代的全面到来，智能手机正成为实施On-DeviceAI3技术的重要设备。市场对高性能、大容量移动DRAM的需求日益增长。我们将继续凭借在人工智能内存领域的技术领先优势，引领高端DRAM市场，同时紧跟市场需求。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1396463.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1396463.htm

SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM

SKhynix将在清州的M15X工厂生产新型DRAM该公司计划于4月底开工，力争在2025年11月竣工，早日实现量产。随着设备投资计划的逐步增加，建设新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。作为人工智能存储器领域的全球领导者，SKhynix希望通过扩大投资来振兴国内经济，同时刷新韩国作为半导体强国的声誉。随着人工智能时代的到来，半导体行业认为DRAM市场已进入中长期增长阶段。除了预计年增长率将超过60%的HBM之外，该公司还预测，在用于服务器的大容量DDR5模块产品的带动下，普通DRAM的需求将稳步上升。由于HBM需要至少两倍于普通DRAM产品的生产能力才能保证同样的产量，因此SKhynix决定，提高DRAM能力，重点发展HBM是未来发展的先决条件。公司计划在2027年上半年龙仁半导体集群的第一座工厂竣工之前，在清州的M15X工厂生产新型DRAM。M15X位于M15工厂附近，而M15工厂一直在扩大TSV生产能力，因此最适合优化HBM生产。此外，SKhynix还将按计划进行其他国内投资，包括龙仁半导体产业园，并将向该产业园注入约120万亿韩元。龙仁项目正在加速推进，基础工程的进度已达到26%，比目标快3%。包括土地补偿程序和文化财产调查在内的主要准备工作已经完成，从水电到道路等基础设施的建设也在加速。公司计划于明年3月开始建设位于龙仁的第一座工厂，并于2027年5月竣工。就整个SK集团而言，SKhynix的投资是整个国内投资的主要支柱。自2012年并入SK集团以来，SKhynix根据其"未来愿景"计划，自2014年起已累计投资46万亿韩元，在韩国新建三座晶圆厂--利川M14晶圆厂、2018年清州M15晶圆厂和2021年利川M16晶圆厂。SKhynix预计，对M15X和龙仁集群的投资将有助于推动韩国成为更强大的人工智能半导体强国，同时为振兴当地经济提供动力。"随着向全球供应人工智能存储器的关键工厂转型，M15X将作为连接公司现在和未来的垫脚石发挥关键作用，"SKhynix总裁兼首席执行官郭能静（KwakNoh-Jung）说。"我们相信，这项投资将成为超越私营部门的巨大飞跃，为更广泛的国内经济的未来做出贡献"。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428482.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428482.htm