三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1TbTLCV-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428345.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428345.htm

三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第8代V-NAND闪存持续改进存储密度与传输性能三星正准备量产第8代V-NAND闪存，包括即将推出的PCIe5.0SSD在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着V-NAND升级到236层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第7代V-NAND已提供176层、且支持高达2.0GT/s的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代V-NAND的UFS3.1（以及最新的UFS4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的3D-NAND也并非易事，尽管三星早在2013年就率先发布了初代V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。于是在突破200层大关的时候，三星分别被美光（232L）和SK海力士（238L）给反超。直到去年提供超过200层的V-NAND闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。虽然我们尚未知晓三星第8代V-NAND的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。作为参考，美光声称其232层NAND可实现单颗2TB容量，以及11.68GB/s读取和10GB/s的写入速度。在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。最后，随着AMD锐龙7000和英特尔RaptorLake平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量@10+GB/s速率的固态驱动器。相关文章:SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306233.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306233.htm

三星谈论下一代DRAM解决方案：GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND

三星谈论下一代DRAM解决方案：GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND三星公布了其下一代DRAM和内存解决方案的计划，包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。作为先进半导体技术的全球领导者，三星电子今天在2022年三星技术日上展示了一系列尖端的半导体解决方案，这些解决方案将在十年内推动数字转型。自2017年以来的年度会议，该活动在三年后回到了圣何塞希尔顿酒店的SigniabyHilton酒店亲自出席。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1324271.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1324271.htm

三星发布32Gb DDR5 DRAM 为最高128GB容量内存模块打好基础

三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布，该公司采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前，三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位，并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示："凭借我们的12nm级32GbDRAM，我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案，使我们能够在人工智能（AI）和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位（Kb）DRAM以来，三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术，提高了集成密度并优化了设计，拥有业界最高的单个DRAM芯片容量，在相同封装尺寸下，其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前，使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而，通过使用三星的32GbDRAM，现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，与使用16GbDRAM的128GB模块相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础，三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线，通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM，该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm

真的比SSD硬盘大了 三星研发1TB单条DDR5内存

真的比SSD硬盘大了三星研发1TB单条DDR5内存不考虑钱的因素，内存容量显然是越大越好，今年锐龙7000以及13代酷睿上市之后，很多人恐怕都是32GBDDR5内存起步，服务器级市场上单条64GB、128GB都不稀奇了，三星正在研发的则是单条512GB甚至1TB的DDR5内存。三星这两天跟AMD有个内存专家的沟通会，网上已经泄露了这次会议的部分内容，探讨了三星在DDR5内存技术上的新方向。跟前面的DDR4、DDR3等内存相比，DDR5电压降低到了1.1V，频率可达到7200MHz以上，bank数量翻倍到32个，预取位数也翻倍到16n，这些基础知识就不一一赘述了。在容量方面，三星研究的方向有多种，提高内存核心容量到32Gb，提高堆栈层数到8H，多种技术之下可以实现32Gb、3DS、8H堆栈，SSD硬盘还大这一天很快就到来。内存单条容量可提升到512GB，甚至1TB，系统容量则可以提升到32TB，内存容量比在DDR4时代，单条容量256GB差不多就到头了，DDR5还有潜力可挖。前不久网上有三星开发DDR6内存的消息，那时候认为新一代内存中单条1TB不是梦，现在来看三星很有可能在DDR5时代就实现1TB单条内存的设计。当然，单条1TB对消费级用户来说成本太高，未来几年没有实用的可能，但三星跟AMD合作的主要是服务器级应用，Zen4架构的EPYC7004系列可以做到96大核或者128核小核，对内存的需求也更高了，三星超大容量的DDR5内存也是为这些系统准备的...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1305627.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1305627.htm

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片2030年实现1000层该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。与老对手三星不同，SK海力士的300层NAND产品采用的是三重堆叠技术，每组分别堆叠120层、110层和91层，最后组合成一个芯片。相比于三重堆叠，双堆叠工艺在生产成本和效率上存在着不小的优势。三星此举也是为了用成本优势来超越对手，从而巩固其市场领先地位。在去年举办的三星技术日上，三星表示将在2030年实现堆叠多达1000层的技术。然而如果不采用三重堆叠工艺，要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390553.htm