消息称三星代工厂正在为高通公司生产2纳米原型产品

消息称三星代工厂正在为高通公司生产2纳米原型产品智能手机芯片组行业观察人士认为，三星3纳米GAA工艺由于据称的良品率问题，没有达到客户的预期。而台积电似乎在这一领域取得了胜利。有报道称，下一代3纳米节点的生产目标已确定为"到2024年底每月生产10万片晶圆"。Sedaily的一篇文章认为，该公司的尖端制造技术已经引起了知名厂商的兴趣："三星电子正在利用这些优势赢得2纳米项目的订单，赢得了日本最大的人工智能公司PreferredNetworks（PFN）生产2纳米人工智能加速器的订单，从而迈出了第一步。全球最大的系统半导体设计公司高通公司也已与三星电子设计高性能芯片的系统LSI部门就生产2纳米原型进行了讨论。"2023年12月的新闻报道称，三星领导层正在为考虑2纳米晶圆的代工价格提供折扣，以保持与对手的竞争力。高通公司有可能正在评估2纳米SF2GAAFET工艺，以用于未来的骁龙8"Gen5"芯片组，而三星LSI可能正在开发2纳米"Exynos2600"SoC设计。KBSecurities研究员KimDong-won提供了一些专家分析："由于开工率下降，三星代工业务自去年（2023年）下半年以来一直表现不佳......最近包括2纳米在内的先进工艺订单增加，为三星代工业务的扭亏为盈提供了机会，使其未来能够与台积电展开对等竞争。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420385.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420385.htm

NVIDIA表示除台积电和三星外 希望有第三个代工厂合作伙伴

NVIDIA表示除台积电和三星外希望有第三个代工厂合作伙伴NVIDIA用于AI/HPC和游戏芯片的大部分数据中心GPU目前由台积电生产，但就在一代产品之前，NVIDIA的游戏GPU是由三星制造的。三星工厂负责开发NVIDIA的GPU系列Ampere，该系列主要用于GeForceRTX30"游戏"显卡。不过，正如我们在之前的报道中广泛报道的那样，三星公司的目标是在未来几年中，数据中心收入将发挥更为关键的作用，因为该公司已经成为NVIDIA的亲密合作伙伴。预计台积电将保留与NVIDIA的重要合作关系，负责生产HopperH200和BlackwellB100GPU，保持其AI市场份额的势头，而三星将在需要额外订单时加码提供支持。NVIDIA还希望拥有丰富的代工合作伙伴生态系统，并对使用第三家合作伙伴（指英特尔）持开放态度。下面是NVIDIA的发言：我认为有很多优秀的代工合作伙伴。台积电就是一个很好的合作伙伴。众所周知，我们现在也在使用三星。我们希望有第三个合作伙伴吗？当然，我们希望有第三个。这需要考虑他们对服务的兴趣所在。美国的台积电可能也是我们的一个选择。不一定是不同的，但同样是在不同的地区。没有什么能阻止我们增加另一个代工厂。科莱特-克雷斯（NVIDIA首席财务官）在瑞银全球技术大会上的发言三星代工厂提供的产品迫使NVIDIA增加了对该公司的订单量，因为这家韩国巨头不仅完善了自己的流程，而且在过去两年中不断与NVIDIA合作，成为了一家可靠的供应商。与其他代工竞争对手相比，三星的优势在于其广泛的设备系列，可以满足半导体、内存和封装阶段的需求，这不仅为NVIDIA提供了一个"混合型合作伙伴"，而且如果三星提供有竞争力的价格和交货时间，也有可能为自己带来更大收益。行业消息人士提到了英特尔作为代工合作伙伴的名字。就连NVIDIA公司的首席执行官黄仁勋（JensenHuang）也暗示，即将推出的芯片将使用英特尔的代工厂。与NVIDIA达成交易对英特尔来说无疑是一笔重大交易，因为该公司的目标是在未来获得更多的IFS合作伙伴。NVIDIA和其他芯片巨头，如AMD，甚至英特尔，都依赖台积电生产芯片中的某些IP。但NVIDIA首席执行官认为，美国距离供应链独立还有几十年的时间，将台积电和其他主要晶圆厂引入美国将是实现这一目标的重要第一步。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1403213.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1403213.htm

消息称三星半导体代工部门已将 “赢得英伟达 3nm 产品订单” 作为今年首要任务

消息称三星半导体代工部门已将“赢得英伟达3nm产品订单”作为今年首要任务继HBM之后，三星电子今年的首要任务是在半导体代工方面获得英伟达的订单。据业内人士透露，三星电子半导体代工部门（DS）已在内部将“赢得英伟达3nm产品订单”作为今年的首要任务。“各部门正在全力以赴，通知集合英语流利的员工，与‘Nemo’接单相关的工作将优先于现有工作。”Nemo是三星电子内部的客户代号，用于指代英伟达。(科创板日报)

高通和三星探索未来骁龙8系统芯片的双源选择 N3E和3nm GAA节点成为可能

高通和三星探索未来骁龙8系统芯片的双源选择N3E和3nmGAA节点成为可能骁龙8代"Galaxy"定制品牌可能会被保留，用于完全依靠三星的制造技术批量生产的SoC。随着三星在其最新季度财报中宣布其3纳米GAA技术的进展，Revegnus报道说，该公司的晶圆产量似乎表现良好。消息人士认为，这就是高通和这家韩国巨头合作打造高端骁龙8号芯片组的变种的原因。例如，假设该计划在2024年初实现，那么常规的骁龙8代将在台积电的N3E工艺上交付，这是公司3纳米架构的改进迭代。第二个版本将采用三星的3纳米GAA工艺制造，并可能被命名为"Snapdragon8Gen4forGalaxy"，并为GalaxyS25系列保留。此前有传言称，高通公司将转向双源方案，因为从商业角度来看，这是节约成本的最明智选择。据说今年只有苹果在台积电的3纳米工艺上大规模生产芯片组，高额的晶圆价格使高通和联发科不愿意下订单。然而，这并不意味着台积电的N3E工艺会更便宜，因此转向三星的3纳米GAA节点将是正确的做法。不幸的是，就今年而言，高通似乎没有计划利用三星的下一代3纳米GAA技术。相反，即将发布的骁龙8Gen3据说将在台积电的N4P工艺上进行量产，为未来的GalaxyS24机型带来稍好的电源效率。过去发布的Snapdragon8证明了台积电的代工厂比三星的代工厂更有优势，因此后者正在加快步伐，再次确保与前客户的业务往来，这一点也不令人惊讶。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1357397.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1357397.htm

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相第二代SF33nm今年投产SF2将于六月亮相三星计划在6月19日举行的2024年超大规模集成电路研讨会（VLSISymposium2024）上披露其SF2制造技术的关键细节。这将是该公司基于全栅极（GAA）多桥沟道场效应晶体管（MBCFET）的第二个主要工艺节点。与前代产品相比，SF2将采用"独特的外延和集成工艺"，这将使该工艺节点比基于FinFET的传统节点具有更高的性能和更低的漏电率（尽管三星并未透露与之比较的具体节点）。三星表示，SF2使N型和P型窄晶体管的性能分别提高了29%和46%，使宽晶体管的性能分别提高了11%和23%。此外，与FinFET技术相比，它还将晶体管的全局变化减少了26%，并将产品漏电率降低了约50%。该工艺还通过加强与客户的设计技术合作优化(DTCO)为未来的技术进步奠定了基础。在SF2的背景下，三星没有提到的一点是背面电源传输，因此至少目前没有迹象表明三星将在SF2上采用这种下一代电源路由功能。三星表示，SF2的设计基础架构（PDK、EDA工具和授权IP）将于2024年第二季度完成。一旦完成，三星的芯片开发合作伙伴就可以开始为这一生产节点设计产品。同时，三星已经开始与Arm合作，针对SF2工艺共同优化Arm的Cortex内核。SF3：2024年下半年有望实现作为首家推出基于GAAFET节点的工厂，三星一直处于芯片制造的最前沿。但与此同时，这也意味着他们是第一个遇到并解决如此重大的晶体管设计变更所带来的不可避免的磨合问题的工厂。因此，虽然三星的第一代SF3E工艺技术已经投产不到两年时间，但迄今为止公开披露的采用该工艺制造的芯片都是相对较小的加密货币挖矿芯片--这正是在新工艺节点上表现出色的流水线部件。有了这些经验，三星正准备利用GAAFET制作更大更好的芯片。作为其财报公告的一部分，该公司已确认其去年推出的更新SF3节点仍将按计划于2024年下半年投入生产。SF3从一开始就是一个更加成熟的产品，准备用于制造更大的处理器，包括数据中心产品。与它的前身SF4相比，SF3承诺在相同功耗和晶体管数量下性能提升22%，或在相同频率和复杂度下功耗降低34%，逻辑面积减少21%。总体而言，三星对这项技术寄予厚望，因为这一代3nm级技术有望与台积电的N3B和N3E节点相抗衡。SF4：准备进行3D堆叠最后，三星还在准备将其最终FinFET技术节点SF4的一个变体用于3D芯片堆叠。随着晶体管密度的提高不断放缓，三维芯片堆叠已成为不断提高整体芯片性能的一种方法，尤其是在现代多层处理器设计中。有关该节点的详细信息还很有限，但三星似乎正在做出一些改变，以考虑/优化在三维堆叠设计中使用SF4芯片的情况，在这种设计中，芯片需要能够上下层通信。根据该公司的第一季度财务报告，三星预计将在本季度（第二季度）完成堆叠芯片SF4变体的准备工作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429312.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429312.htm

三星电子预计5年内将在芯片代工领域超过主要竞争对手台积电

三星电子预计5年内将在芯片代工领域超过主要竞争对手台积电如今，三星正努力在芯片代工制造领域占据领先地位，而台积电早已确立了自己作为全球领先代工芯片制造商的地位。虽然三星电子在先进制程工艺的量产时间上基本能跟上台积电的节奏，但它在代工市场上的份额与台积电相比有明显差距，后者长期占据超过50%的市场份额。三星电子总裁兼代工业务负责人SiyoungChoi表示，台积电在芯片制造方面远远领先于三星。他认为，三星需要五年时间才能赶上并超过台积电。据悉，三星电子领先其竞争对手台积电，率先开始量产3纳米芯片，这使其成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂。与台积电的3纳米制程工艺不同，三星的3纳米制程工艺采用的是更先进的GAA晶体管，而不是鳍式场效应晶体管（FinFET）。外媒称，三星电子计划通过在3纳米制程工艺上采用GAA晶体管，缩小其与台积电的技术差距。该公司认为，随着它和台积电推出下一代2纳米制程工艺，它可以在5年内超过台积电。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358341.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358341.htm