HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%HBM的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约50-60%的有限产量和比DRAM产品大60%的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的TSV容量，预计到今年年底，HBM将占先进工艺晶圆投入的35%，其余晶圆容量将用于LPDDR5(X)和DDR5产品。关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SKhynix和美光仍是主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向英伟达出货。采用1Alphanm工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。除了HBM需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达1.75TB的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石Rapids和AMDGenoa等需要DDR5内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5的渗透率将超过50%。同时，由于HBM3e的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对DDR5和LPDDR5(X)的需求预计也将增加。不过，由于2023年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于HBM生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能，对HBM生产的更多关注可能会导致DRAM供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到2024年底，现有设施将全部使用完毕。新的P4L工厂计划于2025年完工，而15号生产线工厂将从1Y纳米工艺过渡到1beta纳米及以上工艺。SKhynix的M16工厂的产能预计将在明年扩大，而M15X工厂也计划于2025年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于2025年竣工，随后进行设备安装，并计划于2026年量产。TrendForce指出，虽然新工厂计划于2025年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于2024年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于2025年量产的GB200将采用HBM3e192/384GB，有可能使HBM产量翻番。随着HBM4的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM的优先发展可能会导致DRAM因产能限制而供应不足。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431653.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431653.htm

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