SK hynix 1bnm工艺将用于DDR5 RDIMM和HBM3E DRAM解决方案

SKhynix1bnm工艺将用于DDR5RDIMM和HBM3EDRAM解决方案SKHynix还确认，下一代1bnm节点将被用于生产DDR5和HBM3E（高带宽内存）解决方案。该企业表示，XeonScalable平台获得了英特尔认证，支持在1bnm节点上构建的DDR5产品。1bnmDDR5内存的成功评估发生在1anm（第四代10nm节点）实现准备就绪并同时完成英特尔认证的时候。SKHynix预计，在成功验证了1anm服务器DDR5产品与第四代英特尔至强可扩展处理器的兼容性之后，与英特尔合作的1bnmDDR5产品的验证过程将顺利进行。在人们对内存市场将从下半年开始复苏的期望越来越高的情况下，我们相信我们业界领先的DRAM技术，通过这次1bnm工艺的大规模生产再次得到证明，将帮助我们从下半年开始提高收益。开发初期试运行的DDR5产品运行速度为4.8Gbps，而JEDEC标准中规定的DDR5的最高速度为8.8Gbps。提供给英特尔的DDR5产品的运行速度为6.4Gbps（目前为业界最高），比DDR5开发初期的测试产品的数据处理速度提高了33%。此外，1bnmDDR5内存的功耗将比1anm节点低20%，这是因为采用了高K金属栅极工艺，引入了高介电常数材料，可以防止泄漏电流并提高电容。HBM3E（HBM3扩展）：HBM3E是第五代高带宽内存产品，继承了前几代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3。SKhynix计划在下半年准备好HBM3E产品的样品，以8Gbps的数据处理速度运行，并在2024年开始大规模生产。该企业还表示，该公司将在2024年下半年前采用1bnm工艺生产基于LPDDR5T和HBM3E的产品。SKHynix计划准备以8Gbps数据处理速度运行的HBM3E产品的样品，并在2024年开始大规模生产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1362529.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1362529.htm

存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提

存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能，势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为，DDR5价格持续走扬态势明确，预期到了年底前还有10~20%涨幅，但若DDR5价格太高，反而可能拖延市场渗透率的起飞速度，影响下游客户采用的意愿。(台湾电子时报)

机构：HBM3 原由 SK 海力士独供，三星获 AMD 验证通过将急起直追

机构：HBM3原由SK海力士独供，三星获AMD验证通过将急起直追据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，目前2024年HBM（HighBandwidthMemory）市场主流为HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过，由于AI需求高涨，目前英伟达（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。吴雅婷表示，目前NVIDIA现有主攻H100的存储器解决方案为HBM3，SK海力士是最主要供应商，然而供应不足以应付整体AI市场所需。至2023年末，三星以1Znm产品加入NVIDIA供应链，尽管比重仍小，但可视为三星于HBM3世代的首要斩获。

机构：2024 全年 HBM 供给位元年增预估高达 260% 产能将占 DRAM 产业 14%

机构：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%产能将占DRAM产业14%由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBMTSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

机构：2024 全年 HBM 供给位元年增预估高达 260%，产能将占 DRAM 产业 14%

机构：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%据TrendForce集邦咨询预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBMTSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

HBM3e产量激增 机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%

HBM3e产量激增机构预计到2024年底将占先进工艺晶圆产量的35%HBM的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约50-60%的有限产量和比DRAM产品大60%的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的TSV容量，预计到今年年底，HBM将占先进工艺晶圆投入的35%，其余晶圆容量将用于LPDDR5(X)和DDR5产品。关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SKhynix和美光仍是主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向英伟达出货。采用1Alphanm工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。除了HBM需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达1.75TB的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石Rapids和AMDGenoa等需要DDR5内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5的渗透率将超过50%。同时，由于HBM3e的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对DDR5和LPDDR5(X)的需求预计也将增加。不过，由于2023年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于HBM生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。如果不充分扩大先进工艺的产能，对HBM生产的更多关注可能会导致DRAM供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到2024年底，现有设施将全部使用完毕。新的P4L工厂计划于2025年完工，而15号生产线工厂将从1Y纳米工艺过渡到1beta纳米及以上工艺。SKhynix的M16工厂的产能预计将在明年扩大，而M15X工厂也计划于2025年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于2025年竣工，随后进行设备安装，并计划于2026年量产。TrendForce指出，虽然新工厂计划于2025年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于2024年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于2025年量产的GB200将采用HBM3e192/384GB，有可能使HBM产量翻番。随着HBM4的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM的优先发展可能会导致DRAM因产能限制而供应不足。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431653.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431653.htm