苹果独占台积电3nm产能新工艺代工价冲上2万美元

苹果独占台积电3nm产能新工艺代工价冲上2万美元在拖沓数月之后，台积电3nm制程节点终于量产。除了良品率问题，半导体供需反转，使得英特尔和苹果修改新品计划，也让台积电3nm芯片生产时间延后。据DigiTimes报道，目前台积电初代N3工艺唯一客户是苹果，不过今年第四季度出货量极低，要等到明年上半年才略微爬升。据了解，今年末台积电3nm工艺的月产能为1.5万至2万片晶圆，实际上仅生产了数千片，均为苹果的订单。即便是明年第一季度和第二季度，产量也只是略有增加而已。到了明年下半年，N3E工艺将成为量产主力，初代N3工艺也完成了阶段性任务，不会再扩充产能。N3E工艺在iPhone15系列的带动下，出货量将会有显著拉升。作为台积电3nm制程节点的延伸工艺，N3E工艺具有更好的效能、功耗和良品率，能让更多客户接受。其报价突破2万美元，相比4nm/5nm工艺高出4000美元。有业内人士表示，以苹果过往对供应链的掌握和调整，很可能也是首个N3E工艺客户。由于先进制程复杂程度日益增加，此次3nm量产的前景充满了挑战。由于报价很高，台积电似乎对3nm工艺的收益很有信心，认为量产第一年带来收益优于5nm在2020年量产时的收益，不过7到8个季度后是否能够达到台积电的平均毛利率将是更大的挑战。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1336947.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1336947.htm

台积电最新路线图重申先进工艺留在台湾

台积电最新路线图重申先进工艺留在台湾生产节点为N3X（3纳米级，注重极限性能）和N2（2纳米级）。台积电表示，与N3P相比，N3X制造的芯片可以通过将Vdd从1.0V降低至0.9V，在相同频率下降低功耗7%，在相同面积下提高性能5%，或者将晶体管密度提高约相同频率下10%。同时，与前代产品相比，N3X的主要优势在于其最大电压为1.2V，这对于桌面或数据中心GPU等超高性能应用非常重要。台积电的N2将是台积电首个采用全栅(GAA)纳米片晶体管的生产节点，这将显著提升其性能、功率和面积(PPA)特性。与N3E相比，在N3上生产的半导体可将其功耗降低25%-30%（在相同的晶体管数量和频率下），将其性能提高10%-15%（在相同的晶体管数量和功率下），并将晶体管密度提高15%（在相同的速度和功率下）。虽然N2在功耗和晶体管密度方面肯定是台积电无可争议的冠军，但在性能方面，N3X可能会挑战它，尤其是在高电压下。对于许多客户来说，N3X还将受益于使用经过验证的FinFET晶体管，因此N2在2025年下半年不会自动成为台积电的最佳节点。明年，台积电将再次提供两个针对普遍相似的智能手机和高性能计算应用的节点：N2P（性能增强的2纳米级）和A16（具有背面供电的1.6纳米级）。与最初的N2相比，N2P的功耗有望降低5%-10%（在相同的速度和晶体管数量下），性能有望提高5%-10%（在相同的功耗和晶体管数量下）。与此同时，与N2P相比，A16的功耗有望降低高达20%（在相同的速度和晶体管数量下），性能有望提高高达10%（在相同的功耗和晶体管数量下），晶体管密度有望提高高达10%。请记住，A16具有增强的背面供电网络，因此它很可能成为注重性能的芯片设计师的首选节点。但当然，使用A16会更昂贵，因为背面供电需要额外的工艺步骤。先进工艺，将留在台湾中国台湾新任科技部部长吴正文表示，他相信台积电能够保护其专有的先进技术，并在向国际扩张的同时继续在台湾建设其尖端晶圆厂。据彭博社报道，吴正文保证，尽管台积电在全球发展，但其最先进的技术开发仍将在台湾得到保障。台积电在台湾生产了世界上大多数最先进的处理器，但最近该公司改变了战略，将制造业务主要留在台湾，并在美国建立晶圆厂生产先进芯片，在日本生产相当先进的处理器，并在欧洲生产专用芯片。吴强调，虽然台积电承诺在海外拥有先进的制造能力，但它首先在台湾建立这些技术，确保最关键的开发留在台湾。台积电近期也证实，其海外晶圆厂复制了台湾首次采用的技术和工艺配方。吴表示，台积电将维持其在台湾的主要研发业务，并强调公司在扩张的同时会遵守国际法规，科技委员会将支持台积电和台湾的半导体产业。此次疫情凸显了可靠半导体供应的重要性，促使各国确保自己的芯片生产能力。因此，台湾的外交和技术接触有所增加，许多国家向台湾示好以确保供应或吸引投资。吴的委员会在新一轮科技外交浪潮中发挥着核心作用。吴还强调了台湾科技实力在岛内的益处。科技创新中心旨在利用科技促进台湾的社会和文化进步。例如，该组织计划鼓励开发更高效的电源芯片，以支持可持续产业。能源效率是台湾关注的重点，而这一领域的进步是当务之急。台积电全球工厂复制计划在上周举行的欧洲技术研讨会上，台积电透露了其全球超级晶圆厂制造计划的一些细节，该计划是该公司在其多个超级晶圆厂站点复制其制造流程的战略。目前，大型跨国晶圆厂需要有一套流程来复制其设施，这一点已有充分记录。由于Gigafab尺寸的扩大意味着缩小，芯片制造商需要能够快速将新的和更新的制造工艺移植到其他设施，以达到其必要的吞吐量，并避免出现多个季度的瓶颈来自必须重新调整晶圆厂。而英特尔则拥有一个著名的“精确复制”计划，这是该公司的主要竞争优势之一，它允许其在世界各地的晶圆厂之间共享工艺配方，以最大限度地提高产量并降低性能波动性。与此同时，随着台积电在世界各地建设额外的产能，它已经到了需要一个类似计划的地步，以便迅速最大限度地提高其在日本和美国新晶圆厂的产量和生产力。在某些方面，台积电的计划甚至比英特尔更进一步，更加注重可持续性和社会责任。台积电晶圆厂运营副总裁YLWang表示：“正如去年研讨会上提到的，[全球超级晶圆厂制造]是一个强大的全球制造和管理平台。我们实现了单一晶圆厂管理，以确保我们的超级晶圆厂在全球范围内实现一致的运营效率和生产质量。此外，我们还在全球业务范围内追求可持续发展，包括绿色制造、全球人才发展、供应链本地化以及社会责任。”谈到工艺技术的改进，主要有两种机制：持续工艺改进(CPI)以提高产量，以及统计过程控制(SPC)减少性能变化。为此，该公司拥有多种内部技术，这些技术依赖于基于机器学习的工艺控制、持续质量测量和各种生产力改进方法。借助全球Gigafab制造，台积电可以使用CPI和SPC通过在不同站点之间共享知识来提高全球范围内的产量和性能。“当我们将一项技术从台湾移植到亚利桑那州时，无论是晶圆厂的设置、流程控制系统，一切实际上都是从台湾复制的，”业务开发和海外运营办公室高级副总裁兼副联席首席运营官张凯文说在台积电。台积电尚未开始在其位于德国、日本和美国的晶圆厂生产芯片，因此该代工厂以多快的速度将其Fab23（位于日本熊本）和Fab21（位于日本熊本）的良率提高到台湾水平仍有待观察。亚利桑那州），他们将于2024年和2025年开始运营，但随着全球Gigafab制造计划的到位，这很可能会迟早发生。相关文章:台积电路线图一览：N3X、N2P、A16将于2025/2026年推出...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432013.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432013.htm

台积电准备推出基于12和5纳米节点的下一代HBM4基础芯片

台积电准备推出基于12和5纳米节点的下一代HBM4基础芯片访问：NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器作为2024年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了有关将为HBM4制造的基础芯片的一些新细节，该芯片将使用逻辑工艺构建。由于台积电计划采用其N12和N5工艺的变体来完成这项任务，该公司预计在HBM4制造工艺中占据有利地位，因为内存工厂目前没有能力经济地生产如此先进的逻辑芯片——如果他们能够生产的话他们根本。对于第一波HBM4，台积电准备使用两种制造工艺：N12FFC+和N5。虽然它们服务于相同的目的——将HBM4E内存与下一代AI和HPC处理器集成——但它们将以两种不同的方式用于连接AI和HPC应用程序的高性能处理器的内存。台积电设计与技术平台高级总监表示：“我们正在与主要HBM内存合作伙伴（美光、三星、SK海力士）合作，在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。”“N12FFC+具有成本效益的基础芯片可以达到HBM的性能，而N5基础芯片可以在HBM4速度下以低得多的功耗提供更多逻辑。”台积电采用N12FFC+制造工艺（12nmFinFetCompactPlus，正式属于12nm级技术，但其根源于台积电经过充分验证的16nmFinFET生产节点）制造的基础芯片将用于在硅片上安装HBM4内存堆栈片上系统(SoC)旁边的中介层。台积电认为，他们的12FFC+工艺非常适合实现HBM4性能，使内存供应商能够构建12-Hi(48GB)和16-Hi堆栈(64GB)，每堆栈带宽超过2TB/秒。“我们还在针对HBM4优化CoWoS-L和CoWoS-R，”台积电高级总监说道。“CoWoS-L和CoWoS-R都[使用]超过八层，以实现HBM4的路由超过2,000个互连，并具有[适当的]信号完整性。”N12FFC+上的HBM4基础芯片将有助于使用TSMC的CoWoS-L或CoWoS-R先进封装技术构建系统级封装(SiP)，该技术可提供高达8倍标线尺寸的中介层—足够的空间容纳多达12个HBM4内存堆栈。根据台积电的数据，目前HBM4可以在14mA电流下实现6GT/s的数据传输速率。“我们与Cadence、Synopsys和Ansys等EDA合作伙伴合作，验证HBM4通道信号完整性、IR/EM和热精度，”台积电代表解释道。同时，作为一种更先进的替代方案，内存制造商还可以选择采用台积电的N5工艺来生产HBM4基础芯片。N5构建的基础芯片将封装更多的逻辑，消耗更少的功耗，并提供更高的性能。但可以说，最重要的好处是，这种先进的工艺技术将实现非常小的互连间距，约为6至9微米。这将允许N5基础芯片与直接键合结合使用，从而使HBM4能够在逻辑芯片顶部进行3D堆叠。直接键合可以实现更高的内存性能，这对于总是寻求更多内存带宽的AI和HPC芯片来说预计将是一个巨大的提升。我们已经知道台积电和SK海力士在HBM4基础芯片上进行合作。台积电也可能为美光生产HBM4基础芯片。否则，我们会更惊讶地看到台积电与三星合作，因为该集团已经通过其三星代工部门拥有自己的先进逻辑工厂。台积电特殊工艺产能扩产50%随着德国和日本的新工厂全部建成，以及中国产能的扩张，台积电计划到2027年将其特种技术产能扩大50%。该公司在欧洲技术研讨会上透露本周，台积电预计不仅需要转换现有产能以满足特殊工艺的需求，甚至还需要为此目的建造新的（绿地）晶圆厂空间。这一需求的主要驱动力之一将是台积电的下一个专用节点：N4e，一个4纳米级超低功耗生产节点。“过去，我们总是对即将建成的晶圆厂进行审查阶段，但在台积电很长一段时间以来，我们第一次开始建设绿地晶圆厂，以满足未来的专业技术要求，”台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁KevinZhang博士出席活动时候说。“在未来四到五年内，我们的专业产能实际上将增长1.5倍。通过这样做，我们实际上扩大了制造网络的覆盖范围，以提高整个晶圆厂供应链的弹性。”除了N5和N3E等著名的主要逻辑节点之外，台积电还为功率半导体、混合模拟I/O和超低功耗应用（例如物联网）等应用提供一套专用节点。这些通常基于该公司的落后制造工艺，但无论底层技术如何，这些节点的容量需求都随着台积电主要逻辑节点的需求而增长。所有这些都要求台积电重新评估他们如何规划其专业节点的容量。台积电近年来的扩张战略追求几个目标。其中之一是在台湾以外建立新的晶圆厂；另一个是普遍扩大产能，以满足未来对所有类型工艺技术的需求——这就是该公司正在建设专业节点产能的原因。目前，台积电最先进的专用节点是N6e，是N7/N6的变体，支持0.4V至0.9V之间的工作电压。对于N4e，台积电正在考虑低于0.4V的电压。尽管目前台积电并未透露太多计划节点的技术细节；考虑到该公司在这里的历史，我们预计一旦新流程准备就绪，他们明年将有更多的话题可以讨论。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431253.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431253.htm

消息称台积电7nm及以下制程工艺产能利用率已开始反弹

消息称台积电7nm及以下制程工艺产能利用率已开始反弹台积电的营收下滑，也就意味着他们的产能利用率有下滑。去年年底也有报道称，台积电今年上半年的产能利用率预计将降至80%，5nm和7nm这两大营收来源的产能利用率都将下滑。今年年初，则有报道称台积电5/4nm制程工艺的产能利用率可能降至70%以下。但从相关媒体最新的报道来看，台积电7nm及以下的先进制程工艺的产能利用率，在进入6月份以后已开始缓慢反弹。虽然相关媒体在报道中并未明确提及台积电7nm及以下制程工艺产能利用率反弹的原因，但预计同ChatGPT带动的人工智能芯片需求增加有关，近一段时间也有报道称主要供应商英伟达已增加了在台积电的订单。另外，相关媒体在报道中还提到，随着主要客户重新启动或扩大订单，台积电也已在准备2024年迎接新一波的芯片需求增长。产能利用率反弹、大客户重新启动或增加订单，也就意味着台积电的营收，在未来一段时间将会反弹。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1366433.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1366433.htm

三星启动五年芯片发展计划：产能扩大3倍 2027年推出1.4纳米工艺

三星启动五年芯片发展计划：产能扩大3倍2027年推出1.4纳米工艺三星宣布了为期五年的发展计划，计划在2027年提高多种高端芯片的产能。通过该发展计划，三星希望从半导体巨头台积电中夺回市场。三星电子于10月3日在美国加州硅谷召开了“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”，在随后发布的新闻稿中，三星承诺到2027年将先进节点的产能扩大“三倍以上”。该公司还计划在2025年推出2纳米工艺，到2027年推出1.4纳米工艺。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1323797.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1323797.htm

台积电产能利用率在下半年有望大幅提升 尤其是7nm及以下工艺

台积电产能利用率在下半年有望大幅提升尤其是7nm及以下工艺而相关媒体最新援引晶圆厂工具制造商消息人士的透露报道称，台积电的产能利用率，尤其是7nm及以下制程工艺的产能利用率，在今年下半年将大幅提升。值得注意的是，在5nm制程工艺开始带来营收的第二个季度，也就是从2020年的四季度开始，7nm及以下制程工艺就已是台积电主要的营收来源，当季就占到了49%，近几个季度更是超过了50%。代工价格更高的7nm及以下制程工艺产能利用率的大幅提升，也将推动台积电营收的大幅提升。台积电7nm及以下制程工艺产能利用率大幅提升，可能同苹果的订单及其他大客户转向更先进的制程工艺有关。从外媒的报道来看，苹果今秋将推出的iPhone15系列的两款Pro版，将搭载由台积电3nm制程工艺代工的A17仿生芯片，台积电4nm及5nm制程工艺将会有更多的产能满足其他厂商的需求，在苹果开始转向3nm之后，也就会更多的厂商采用台积电的5nm及4nm制程工艺。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1368027.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1368027.htm