台积电路线图一览：N3X、N2P、A16 将于 2025/2026 年推出

台积电路线图一览：N3X、N2P、A16将于2025/2026年推出*台积电公布的芯片密度反映了由50%逻辑、30%SRAM和20%模拟组成的"混合"芯片密度。**面积相同。***速度相同。生产节点包括N3X（3纳米级，注重极高性能）和N2（2纳米级）。台积电表示，与N3P相比，N3X芯片通过将Vdd从1.0V降至0.9V，可在相同频率下将功耗降低7%，在相同面积下将性能提高5%，或在相同频率下将晶体管密度提高约10%。同时，与前代产品相比，N3X的主要优势在于其1.2V的最高电压，这对于桌面或数据中心GPU等超高性能应用非常重要。台积电的N2将是台积电首个使用全栅极（GAA）纳米片晶体管的生产节点，这将显著提高其性能、功耗和面积（PPA）特性。与N3E相比，在N3上生产的半导体可将功耗降低25%-30%（在晶体管数量和频率相同的情况下），将性能提高10%-15%（在晶体管数量和功耗相同的情况下），并将晶体管密度提高15%（在速度和功耗相同的情况下）。就功耗和晶体管密度而言，N2肯定是台积电无可争议的冠军，但就性能而言，特别是在高电压下，N3X有可能向其发起挑战。对于许多客户来说，N3X还将因使用成熟的FinFET晶体管而受益，因此在2025年下半年，N2不会自动成为台积电最好的节点。2026:N2P和A16下一年，台积电将再次推出两个节点，分别针对大致相同的智能手机和高性能计算应用：N2P（性能增强型2纳米级）和A16（具有背面功率传输功能的1.6纳米级）。与最初的N2相比，N2P的功耗有望降低5%-10%（速度和晶体管数量相同），性能提升5%-10%（功耗和晶体管数量相同）。同时，与N2P相比，A16的功耗最多可降低20%（速度和晶体管数相同），性能最多可提高10%（功耗和晶体管数相同），晶体管密度最多可提高10%。考虑到A16具有增强的背面功率传输网络，它很可能成为注重性能的芯片设计人员的首选节点。当然，由于背面功率传输需要额外的工艺步骤，因此使用A16的成本会更高。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431968.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431968.htm

台积电为 A16 工艺推出背面供电网络技术

台积电为A16工艺推出背面供电网络技术台积电A16工艺最重要的创新是引入了超级电源轨(SPR)，这是一种复杂的背面供电网络(BSPDN)。新工艺节点有望在相同电压下将时钟频率提高10%，在相同频率和复杂度下将功耗降低15%-20%，根据实际设计使晶体管密度提高7%-10%。BSPDN可以将信号网络和供电网络分离，提高晶体管密度并改善供电，从而影响性能。台积电的SPR使用特殊接触将背面供电网络插入每个晶体管的源极和漏极，同时还可以降低电阻，以获得尽可能高的性能和功率效率。从生产角度来看，这是最复杂的BSPDN实现之一，比英特尔的PowerVia更复杂。——

台积电董事驳晶片“去台化”：最先进制程将留在台湾

台积电董事驳晶片“去台化”：最先进制程将留在台湾台积电日前宣布将加大在美国晶圆厂的投资计划，再度引发晶片产业“去台化”的传言。对此，台积电董事成员、政府官员强调，台积电将把最先进的制程留在台湾。据台湾《自由时报》报道，台湾行政院国家发展委员会主管的国发基金是台积电单一最大的法人股东，国发会主委龚明鑫星期三（12月7日）以台积电官方董事的身分出席亚利桑那州工厂的首批装机典礼。龚明鑫会后接受台湾媒体访问谈到台积电在美国的投资。他说，无论创造地方的就业机会，或是美国想要扭转局面、将关键制造业移回本土，重新领导世界经济，台积电都扮演举足轻重的角色。龚明鑫称，美国拥有最强的IC半导体设计公司，台湾拥有世界最强的晶圆代工，两个最强的第一名结合起来，造就了全世界最好的供应链。在这样互信关系下，不只半导体，更扩及其他产业，包括他今年6月率团访美的5G通讯技术，都有进一步合作的机会。龚明鑫称，所谓“去台化”是错误的想法。他说，台积电美国厂量产之后，即便2026年盖好第二期，美国厂的产能占台积电总体不到3%，况且台积电一定会把最先进的制程留在台湾，台湾的厂仍会是全世界最赚钱的厂。他认为，台积电在美设厂不但为美国创造就业机会，同时对台积电本身也能提升竞争力。同场出席活动的美台商业协会（USTBC）会长韩儒伯（RupertHammond-Chambers）接受媒体访问时也回应类似的话题。韩儒伯指出，台积电是台湾的金鸡母、硅盾，不但为台湾创造繁荣的经济，同时吸引世界各国与台湾交朋友，保障台湾的安全，因此台湾人民任何关于台积电可能被挖空的担忧，都是可以理解的。他认为，既然台湾人民有这样的担忧，美国政府在迎接台积电投资的同时，要向台湾人民保证，台湾是全球企业可以在这里安全进行生意往来的地方，台美经贸关系的未来仍是一片光明，这是美国政府义不容辞要做的事。...发布：2022年12月7日8:50PM

台积电将如期在2025年上线2nm生产工艺 2026年推出N2P工艺

台积电将如期在2025年上线2nm生产工艺2026年推出N2P工艺供应链消息称台积电的2nm工艺布局如期推进，2025年下半年在新竹市宝山乡进入量产。在2nm工艺量产1年之后，台积电将推出采用背面供电网络（BSPDN）技术的N2P工艺。2nm芯片是台积电的一个重大节点，该工艺将会采用纳米片晶体管（Nanosheet），取代鳍式场效应晶体管（FinFET），这意味着台积电工艺正式进入GAA晶体管时代。其中，2nm芯片相较于3nm芯片，在相同功耗下，速度快10~15%。在相同速度下，功耗降低25~30%。()频道：@TestFlightCN

台积电7nm以下工艺涨价6% NVIDIA、AMD、联发科已接受

台积电7nm以下工艺涨价6%NVIDIA、AMD、联发科已接受根据台积电最新公布的第三季财报显示，台积电3nm制程的营收在总营收当中的占比已达6%，这主要得益于搭载A17Pro处理器的iPhone15Pro系列的出货；5nm制程占比37%，相比二季度增长了7个百分点；7nm制程占比16%，相比二季度减少了7个百分点。7nm及更先进的制程营收的占比为59%，相比二季度减少了6个百分点。由于目前台积电3nm制程仅苹果一家大客户，这也导致台积电3nm营收占比增长有限。不过，随着后续高通、联发科旗舰芯片的相继投片，台积电先进制程营收占比将有望进一步上升。另外，在日前的三季度法说会上，台积电还表示，2nm制程有望在2025年量产，具体将会在新竹宝山与高雄2座晶圆厂同步进行。据了解，台积电的2nm制程工艺将放弃传统的FinFET晶体管工艺，转向GAA全环绕栅极晶体管架构（台积电的版本命名为Nanosheet），相较于N3E工艺同功耗下性能提升10-15%，同性能下功耗下降25-30%，但晶体管密度提升仅10-20%。另外，作为2nm制程技术平台的一部分，台积电也在研发背面供电（backsidepowerrail）解决方案，该设计最适于高性能计算相关应用。根据台积电的规划，目标是在2025年下半年推出背面供电技术供客户采用，并于2026年量产。随着台积电持续强化的策略，2nm及其衍生技术将进一步扩大台积电的技术领先优势。至于价格方面，2nm制程的晶圆代工报价可能将会由3nm的2万美元/片，进一步上涨至2.5万美元/片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391553.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391553.htm

功耗降低30% 台积电称2nm工艺客户热情高涨：2025年量产

功耗降低30%台积电称2nm工艺客户热情高涨：2025年量产台积电预计Q2季度销售额152亿美元至160亿美元；预计第二季毛利率在52-54%，预测全年资本支出320亿美元至360亿美元，相比外界的传闻而言没有削减投资。在Q1季度中，先进工艺贡献了台积电过半营收，其中7nm营收占比20%，5nm工艺出货营收占比31%，二者合计超过51%，遥遥领先其他工艺。在更先进的工艺中，台积电称3nm工艺今年下半年会放量，同时还有更低成本但密度有所减少的N3E工艺量产。再往后还有2nm工艺，台积电表示客户对2nm工艺热情高涨，将按计划在2025年量产，但没有提及具体的客户信息，不出意外还是苹果首发。台积电的2nm工艺将放弃FinFET晶体管结构，首次使用GAA晶体管，相较于其N3E（3nm的低成本版）工艺，在相同功耗下，台积电2nm工艺的性能将提升10~15%；而在相同性能下，台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%。不过2nm工艺的晶体管密度仅提升了10%，相比之前的工艺提升60-70%大为缩水，更没有达到摩尔定律所需的100%密度提升。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1355925.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1355925.htm