ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NAEUV光刻机 他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。VandenBrink进一步强调了Hyper-NAEUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据VandenBrink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431859.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431859.htm

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机 单价翻番到26亿

ASML：所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机单价翻番到26亿ASML（荷兰阿斯麦）正抓紧研制其下一代高NA（0.55数值孔径）的EUV极紫外光刻机，在发布最新财报期间，AMSL透露，其存量EUV客户均订购了新一代设备。具体来说，在Intel和台积电之后，三星、SK海力士、美光等也下单高NAEUV光刻机了。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1329261.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1329261.htm

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶

东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶相关媒体在报道中表示，东进世美肯研发高数值孔径极紫外光刻机投产后所需的光刻胶，是为了满足阿斯麦这一类极紫外光刻机大量投产之后的需求。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，是他们在推出TWINSCANNXE:3400C、TWINSCANNXE:3600D等多个型号的极紫外光刻机之后，所研发的新一代产品，将沿用EXE系列的命名，已有TWINSCANEXE:5000和TWINSCANEXE:5200两个型号。阿斯麦高数值孔径的极紫外光刻机，数值孔径将由0.33增至0.55，用于2nm及以下的制程工艺，首台交由客户用于制程工艺研发的产品，计划在今年年底出货，用于大规模生产的，预计2025年开始在客户的工厂全面投入运营。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367465.htm

台积电CTO预计高NA光刻后时代的芯片制造成本会暴涨

台积电CTO预计高NA光刻后时代的芯片制造成本会暴涨在接受Bits&Chips采访时，台积电首席技术官MartinvandenBrink预计——在不远的将来，半导体光刻技术或走到尽头。按照现有的路线图，台积电将在极紫外光刻（EUV）之后转向高数值孔径。该公司现正携手Imec，准备2023年迎来其首台研究型High-NA扫描仪。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1321049.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1321049.htm

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机总部位于荷兰的阿斯麦今年将向台积电和三星电子出货其最新的芯片制造设备。据该公司发言人称，阿斯麦首席财务官罗杰·达森在最近的电话会议上告诉分析师，阿斯麦的三大客户台积电、英特尔和三星都将在今年年底前获得高数值孔径极紫外光刻机。英特尔已经订购了最新的高数值孔径极紫外光刻机，并于去年12月底送往俄勒冈州的制造工厂。目前尚不清楚阿斯麦最大的EUV客户台积电何时会收到这台设备。这家台湾芯片制造商的一位代表表示，该公司与供应商密切合作，并拒绝进一步置评。——

ASML庆祝Twinscan NXE:3800E Low-NA EUV Litho光刻设备首次安装成功

ASML庆祝TwinscanNXE:3800ELow-NAEUVLitho光刻设备首次安装成功"芯片制造商需要速度！第一台TwinscanNXE:3800E现已安装在一家芯片制造厂。凭借其新型晶圆平台，该系统将为先进芯片的印刷提供领先的生产率。我们正在将光刻技术推向新的极限。"TwinscanNXE:3800E是ASML0.33数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列中的最新平台。相关信息很少，因为ASML公司尚未发布3800E产品页面。而前一个型号--TwinscanNXE:3600D支持3纳米和5纳米的EUV量产。ASML的路线图表明，TwinscanNXE:3800E是为生产2纳米和3纳米级技术的芯片而设计的。该公司最先进的高纳极致紫外线（EUV）芯片制造工具（HighNATwinscanEXE）预计成本约为3.8亿美元。上个月的报道指出，现有的低纳极致紫外线光刻系统"的价格可能为1.83亿美元。另一台低噪点EUV设备将于2026年发布--ASML的下一代TwinscanNXE:4000F型号将与新兴的（更昂贵的）高噪点解决方案并存。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424138.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424138.htm