Intel 3工艺官方揭秘:面积缩小10%、能效飙升17%

Intel3工艺官方揭秘:面积缩小10%、能效飙升17%按照Intel的最新官方数据,Intel3相比于Intel4逻辑缩微缩小了约10%(可以理解为晶体管尺寸),每瓦性能(也就是能效)则提升了17%。Intel解释说,半导体行业目前的惯例是,制程工艺节点的命名,不再根据晶体管实际的物理特征尺寸,而是基于性能和能效一定比例的提升进行迭代。可以粗略地理解为,Intel3的性能水平,大致相当于其他厂商的3nm工艺。Intel3其实就是Intel4的升级版本,主要变化之一是EUV极紫外光刻的运用更加娴熟,在更多生产工序中使用了EUV。二是引入了更高密度的设计库,提升晶体管驱动电流,并通过减少通孔电阻,优化了互连技术堆栈。此外,得益于Intel4的实践经验,Intel3的产量提升更快。未来,Intel还将推出Intel3的多个演化版本,满足客户的多样化需求。其中,Intel3-T将引入采用硅通孔技术,针对3D堆叠进行优化;Intel3-E将扩展更多功能,比如射频、电压调整等;Intel3-PT将在增加硅通孔技术的同时,实现至少5%的性能提升。Intel强调说,Intel3是一个重要的节点,大规模量产标志着“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”,还是Intel对外开放代工的第一个节点。接下来,Intel将开启半导体的“埃米时代”。Intel20A首发应用于ArrowLake消费级处理器,2024年下半年量产发布。Intel18A则是Intel20A的升级版,将在2025年用于代号ClearwaterForest的服务器处理器,以及代号PantherLake的消费级处理器,并向代工客户大规模开放。再往后,就是Intel14A。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434634.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1434634.htm

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Intel 3工艺官方深入揭秘:号称性能飙升18%

Intel3工艺官方深入揭秘:号称性能飙升18%Intel3作为现有Intel4的升级版,带来了更高的晶体管密度和性能,并支持1.2V电压的超高性能应用,不但用于自家产品,还首次开放对外代工,未来多年会持续迭代。首先强调,Intel3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场,重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等,还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压,以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡,Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合——Intel4只有前者。客户如果有不同需求,还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择:14层的成本最低,18层的性能和成本最均衡,21层的性能最高。此外,Intel3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟,在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是,Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下,相比Intel4带来最多18%的提升!Intel之前还曾表示,Intel3相比于Intel4逻辑缩微缩小了约10%(可以理解为晶体管尺寸),每瓦性能(也就是能效)则提升了17%。不过在关键尺寸方面,Intel3、Intel4是基本一致的,接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm,鳍片间距、M0间距都是30nm,另外库高度xCPP的面积除了12K,还增加了10.5K版本,也是为了优化性能和成本平衡。Intel3后续还会优化推出不同的版本,针对性加强某个角度:Intel3-T:重点引入采用硅通孔(TSV)技术,针对3D堆叠进行优化。Intel3-E:扩展更多功能,比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等,可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel3-PT:在3-E的基础上,增加9微米间距的硅通孔,以及混合键合,性能再提升至少5%,使用也更简单,可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435481.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1435481.htm

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Intel 3工艺开始量产 初期只用于生产至强处理器

Intel3工艺开始量产初期只用于生产至强处理器Intel3工艺相当于酷睿Ultra上使用的Intel4工艺的升级加强版,但只会用在需要顶级性能的数据中心至强产品线,也就是至强6这一代,同时开放对外代工。酷睿产品线不会用它,Intel4之后直接跳到全新的Intel20A,就是下半年要发布的高性能ArrowLake,而低功耗的LunarLake第一次全部交给台积电代工,核心计算模块使用台积电N3B3nm,平台控制模块使用台积电N66nm。Intel之前曾公开表示,Intel3相比于Intel4逻辑缩微缩小了约10%(可以理解为晶体管尺寸),每瓦性能(也就是能效)则提升了17%。Intel3的主要变化有:-EUV极紫外光刻的运用更加娴熟,在更多生产工序中使用EUV。-引入更高密度的设计库,提升晶体管驱动电流,并通过减少通孔电阻,优化互连技术堆栈。-产量提升更快。未来,Intel还将推出Intel3的多个演化版本,满足客户的多样化需求。-Intel3-T:引入采用硅通孔技术,针对3D堆叠进行优化;-Intel3-E:扩展更多功能,比如射频、电压调整等;-Intel3-PT:增加硅通孔技术的同时,实现至少5%的性能提升。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435457.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1435457.htm

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每瓦性能高出63% Intel“2nm”工艺纸面无敌

每瓦性能高出63%Intel“2nm”工艺纸面无敌Intel的目标是在2025年实现重返半导体工艺领先地位,能不能成功的关键就看20A及18A了。从技术上来说,20A及18A不仅是首款进入埃米节点的工艺,还会首发两大突破性技术,也就是RibbonFET和PowerVia,其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。最终到底如何?以20A为例,它的每瓦性能比Intel3高出15%,后者又比Intel4高出18%,Intel4又比当前的Intel7工艺提升20%的每瓦性能,算下来20A比当前的13代酷睿能效高出63%以上。如此夸张的能效下,有网友计算了下,这就意味着当前250W酷睿i9-13900K的性能当时候至需要90W即可,不需要高功耗就能实现强大性能释放,对笔记本来说尤其重要。当然,这些还是20A工艺的纸面性能,具体如何还要等产品上市,首发20A工艺的应该是15代酷睿ArrowLake了,明年上市。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1350319.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1350319.htm

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4年5代工艺:Intel 18A又拿下重要客户 2025年重回世界第一

4年5代工艺:Intel18A又拿下重要客户2025年重回世界第一Intel借此调整制程节点的命名,意在表明数字已不再表示芯片的具体物理特征,但仍然代表着性能、能效的提升。基辛格强调,在推进这一计划的过程中,Intel会坚持逐一检查每个节点的进程,这是一项扎实且严谨的工程。他还坦言:“只有在四年内推进五个制程节点,兑现承诺,实现目标,大家才会相信Intel。”基辛格介绍说,计划时间已经过半,Intel正在稳步推进:Intel7已实现大规模量产,应用于12/13/14代酷睿、5代可扩展至强。Intel4也已开始大规模量产,首次应用EUV极紫外光刻技术,将用于酷睿Ultra处理器,12月14日发布。Intel3将在2023年底做好投产准备,首批两款产品均为至强,一是2024年上半年的全能效核SierraForest,已经在晶圆厂利片,二是紧随其后的全性能核GraniteRapids,已经如期完成设计认证,开始试生产。Intel20A预计2024年上半年做好投产准备,进入埃米时代,首发产品是下一代消费级ArrowLake,已经可以点亮并运行Windows系统,功能出色。Intel18A预计2024年下半年做好投产准备,已完成0.9版本PDK(制程设计套件),即将提供给外部客户,首批产品包括用于服务器的ClearwaterForest、用于客户端的PantherLake,以及越来越多的代工服务测试芯片,2024年上半年就会在工厂内试产。值得一提的是,Intel20A/18A将首次引入PowerVia背面供电技术、RibbonFET全环绕栅极晶体管技术,已经完成研发。基辛格对这两项技术十分兴奋:“我做了四十多年芯片,还从未见过如此精美的晶体管,称得上是巧夺天工的艺术品!”基辛格展示Intel18A晶圆“四年五个制程节点”计划公布之初,曾被外界认为是“不可完成的任务”,但得到第三方客户越来越多的认可。比如,一家重要客户承诺采用Intel18A、Intel3,并支付了预付款,对它们在功耗、性能、面积效率等方面的优异表现满意。最近还会有两家专注于高性能计算的新客户签约,都将采用Intel18A。此前,新思科技已经于Intel达成战略合作协议,为客户开发基于Intel3、Intel18A制程节点的IP。Arm与Intel签署了涉及多代前沿系统芯片设计的协议,使芯片设计公司能够利用Intel18A开发低功耗计算系统级芯片。瑞典电信设备商爱立信也将使用Intel18A,打造定制化的5G系统级芯片。继续向前,Intel将在今年年底前开始安装全球首台商用高数值孔径(High-NA)EUV光刻机。明年,Intel将制定“四年五个制程节点”之后的新计划,在重获制程领先性后,继续推进创新。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395747.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1395747.htm

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Intel 14A工艺至关重要 2025年之后稳定领先

Intel14A工艺至关重要2025年之后稳定领先其中,Intel3作为升级版,应用于服务器端的SierraForest、GraniteRapids,将在今年陆续发布,其中前者首次采用纯E核设计,最多288个。Intel20A和Intel18A两个节点正在顺利推进中,分别相当于2nm、1.8nm,将继续采用EUV技术,并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。凭借它们两个,Intel希望能在2025年重夺制程领先性。之后,Intel将继续采用创新技术,推进未来制程节点的开发和制造,以巩固领先性。其中一个关键点就是HighNAEUV技术,而数值孔径(NA)正是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统,HighNAEUV光刻技术能够大幅提高分辨率,从而有助于晶体管的进一步微缩。作为Intel18A之后的下一个先进制程节点,Intel14A1.4nm级就将采用HighNAEUV光刻技术。为了制造出特征尺寸更小的晶体管,在集成HighNAEUV光刻技术的同时,Intel也在同步开发新的晶体管结构,并改进工艺步骤,如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。此外,Intel还公布了Intel3、Intel18A、Intel14A的数个演化版本,以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430442.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1430442.htm

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Intel 18A/20A工艺已经流片 潜在代工客户达43家

Intel18A/20A工艺已经流片潜在代工客户达43家事实上,Intel此前规划20A2024年上半年投产,18A2024年下半年投产,流片进度说来也算正常。另一个振奋的消息是,Intel的代工服务IFS已经有43家潜在合作伙伴正测试芯片,其中至少7家来自全球TOP10的代工客户。当然,在20A和18A之前,Intel还会推出Intel4和Intel3,其中Intel4由下半年的MeteorLake(14代酷睿)首发,全面引入EUV极紫外光刻和新的封装技术,Intel3则主要服务企业级计算产品。至于20A的看点则是首发RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电技术,每瓦性能提升15%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1348171.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1348171.htm

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