4年5代工艺：Intel 18A又拿下重要客户 2025年重回世界第一

4年5代工艺：Intel18A又拿下重要客户2025年重回世界第一Intel借此调整制程节点的命名，意在表明数字已不再表示芯片的具体物理特征，但仍然代表着性能、能效的提升。基辛格强调，在推进这一计划的过程中，Intel会坚持逐一检查每个节点的进程，这是一项扎实且严谨的工程。他还坦言：“只有在四年内推进五个制程节点，兑现承诺，实现目标，大家才会相信Intel。”基辛格介绍说，计划时间已经过半，Intel正在稳步推进：Intel7已实现大规模量产，应用于12/13/14代酷睿、5代可扩展至强。Intel4也已开始大规模量产，首次应用EUV极紫外光刻技术，将用于酷睿Ultra处理器，12月14日发布。Intel3将在2023年底做好投产准备，首批两款产品均为至强，一是2024年上半年的全能效核SierraForest，已经在晶圆厂利片，二是紧随其后的全性能核GraniteRapids，已经如期完成设计认证，开始试生产。Intel20A预计2024年上半年做好投产准备，进入埃米时代，首发产品是下一代消费级ArrowLake，已经可以点亮并运行Windows系统，功能出色。Intel18A预计2024年下半年做好投产准备，已完成0.9版本PDK（制程设计套件），即将提供给外部客户，首批产品包括用于服务器的ClearwaterForest、用于客户端的PantherLake，以及越来越多的代工服务测试芯片，2024年上半年就会在工厂内试产。值得一提的是，Intel20A/18A将首次引入PowerVia背面供电技术、RibbonFET全环绕栅极晶体管技术，已经完成研发。基辛格对这两项技术十分兴奋：“我做了四十多年芯片，还从未见过如此精美的晶体管，称得上是巧夺天工的艺术品！”基辛格展示Intel18A晶圆“四年五个制程节点”计划公布之初，曾被外界认为是“不可完成的任务”，但得到第三方客户越来越多的认可。比如，一家重要客户承诺采用Intel18A、Intel3，并支付了预付款，对它们在功耗、性能、面积效率等方面的优异表现满意。最近还会有两家专注于高性能计算的新客户签约，都将采用Intel18A。此前，新思科技已经于Intel达成战略合作协议，为客户开发基于Intel3、Intel18A制程节点的IP。Arm与Intel签署了涉及多代前沿系统芯片设计的协议，使芯片设计公司能够利用Intel18A开发低功耗计算系统级芯片。瑞典电信设备商爱立信也将使用Intel18A，打造定制化的5G系统级芯片。继续向前，Intel将在今年年底前开始安装全球首台商用高数值孔径（High-NA）EUV光刻机。明年，Intel将制定“四年五个制程节点”之后的新计划，在重获制程领先性后，继续推进创新。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395747.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1395747.htm

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％

Intel3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％按照Intel的最新官方数据，Intel3相比于Intel4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel解释说，半导体行业目前的惯例是，制程工艺节点的命名，不再根据晶体管实际的物理特征尺寸，而是基于性能和能效一定比例的提升进行迭代。可以粗略地理解为，Intel3的性能水平，大致相当于其他厂商的3nm工艺。Intel3其实就是Intel4的升级版本，主要变化之一是EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。二是引入了更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化了互连技术堆栈。此外，得益于Intel4的实践经验，Intel3的产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。其中，Intel3-T将引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；Intel3-E将扩展更多功能，比如射频、电压调整等；Intel3-PT将在增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。Intel强调说，Intel3是一个重要的节点，大规模量产标志着“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”，还是Intel对外开放代工的第一个节点。接下来，Intel将开启半导体的“埃米时代”。Intel20A首发应用于ArrowLake消费级处理器，2024年下半年量产发布。Intel18A则是Intel20A的升级版，将在2025年用于代号ClearwaterForest的服务器处理器，以及代号PantherLake的消费级处理器，并向代工客户大规模开放。再往后，就是Intel14A。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434634.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434634.htm

Intel 4工艺官宣大规模量产 第一次采用EUV极紫外光刻

Intel4工艺官宣大规模量产第一次采用EUV极紫外光刻目前，Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。其中，Intel7和Intel4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代酷睿。Intel3正在按计划推进，目标是2023年底。明年上半年，Intel将推出首个采用Inte3工艺的SierraForest至强处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel3工艺、P核设计的GraniteRapids。Intel20A和Intel18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel18A制程设计套件（PDK）。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389397.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389397.htm

Intel 18A工艺要到2026年才能大规模量产

Intel18A工艺要到2026年才能大规模量产它首次引入RibbonFET环绕式晶体管、PowerVia背部供电，能效比提升最多15％。至于18A工艺，也就是1.8nm级别，将会首次大规模引入新一代EUV极紫外光刻，继续优化Ribbon晶体管，再次提升10％的能效比。它也在2022年就完成了初步测试，将是Intel对外代工的主力，也是Intel反超台积电的关键点。IntelCEO帕特·基辛格最新表示，基于18A工艺的第一款客户端产品PantherLake、第一款服务器产品ClearwaterForest，将在2025年开始投产，而大规模量产则要等到2026年。这两款产品都早已出现在路线图上，但细节上未公开，只知道ClearwaterForest将是第二代基于纯E核的至强，架构代号Darkmont，而第一代的SierraForest今年上半年登场，最多288核心288线程。终于PantherLake，应该是第三代酷睿Ultra。基辛格指出，Intel2025年的晶圆生产主力还是Intel10/7工艺，2025年开始上量Intel3，并有小批量的Intel18A，然后在2026年就会大规模出货Intel18A。至于Intel14A，具体投产节点仍未公布，看起来应该能在2026年落地。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426156.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426156.htm

英特尔 CEO 亲自站台：Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺

英特尔CEO亲自站台：Intel18A优势略高于台积电N2工艺https://www.ithome.com/0/740/746.htm基辛格表示Intel18A凭借着良好的晶体管和强大的功率传输，略微领先于N2。此外台积电的封装成本更高，而英特尔可以提供更有竞争力的价格优势。———台积电呛声：N3P制程优于Intel18A，N2制程还会扩大领先优势（2023/10/19）https://finance.technews.tw/2023/10/19/n3p-process-is-better-than-intel18a/

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％Intel3作为现有Intel4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合——Intel4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel3相比于Intel4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel3、Intel4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度xCPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435481.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435481.htm