iPhone SE 2020 $99 at MetroByT-Mobile

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iPhone SE 4 CAD 图流出，设计跟 iPhone 14 相近

根据《》本周获取的最新CAD档案资料，Apple正在开发一款全新的第四代iPhoneSE，此次更新似乎将采用更现代化的设计。据传，新款iPhoneSE4将拥有与iPhone14类似的外观。从CAD渲染图来看，iPhoneSE4将配备一块6.1吋的显示屏，顶部设有一个浏海，用于容纳新的FaceID感应器和前置摄像头。背面则设有单一摄像头切口及闪光灯感应器。根据《91mobiles》的报导，iPhoneSE4的尺寸为147.7x71.5x7.7mm，相较于现行iPhoneSE的138.4x67.3x7.3mm，这一变化显示了为了适应更大的6.1吋显示屏，iPhoneSE4的尺寸将显著增加。此外，之前的传言也提到iPhoneSE4将改用USB-C接口而非Lightning。标签:#Apple#iPhone频道:@GodlyNews1投稿:@GodlyNewsBot

iPhone SE 4可能重复使用现有的iPhone 14电池

iPhoneSE4可能重复使用现有的iPhone14电池已经有人看到下一代iPhoneSE的部分组装原型机配备了型号为A2863的锂离子电池，苹果过去已经使用过这种电池。内部设计文件也证实了这一变化。与目前的iPhoneSE3相比，电池本身的容量有所提高：iPhoneSE3：2018毫安时iPhone14（A2863）：3279毫安时与第三代iPhoneSE使用的电池相比，A2863电池的容量增加了1250毫安时，这会明显延长用户的电池续航时间。与iPhoneSE4的大部分电池一样，苹果选择了A2863电池作为iPhone14的沿用电池。据称，苹果公司已经为iPhone16Pro开发出了具有更强散热能力的全新电池，而第四代iPhoneSE将继续使用现有部件，以降低成本。为iPhoneSE4开发新部件会给苹果带来额外的研发成本，因此使用现有电池将有助于保持该设备与苹果其他iPhone机型相比的相对经济性。这也符合苹果公司之前关于iPhoneSE的决定，例如第二代iPhoneSE使用的电池与旧款iPhone8完全相同。在其他相关升级方面，第四代iPhoneSE将采用基于iPhone14的外壳设计，并将配备Action按钮和USB-C接口。但需要知道的是，这里提供的信息是试生产前的信息。虽然iPhoneSE4的原型机使用的是A2863电池，但由于该设备距离发布时间尚远，苹果的计划可能会发生变化。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1402601.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1402601.htm

爆料称苹果将继续更新iPhone SE 4 沿用iPhone XR外形

爆料称苹果将继续更新iPhoneSE4沿用iPhoneXR外形苹果秋季新品发布会定档北京时间9月8日凌晨1点，似乎全世界的目光都在即将推出的iPhone14系列上。不过在苹果产品线中，实际上还有更便宜的iPhoneSE，如果预算有限，它同样是不错的选择。现款iPhoneSE3采用了iPhone8几乎一样的外形，最新爆料称，苹果正在研制的iPhoneSE4，设计变化“天翻地覆”，简单来说俨然是一代神机iPhoneXR的翻版。这意味着，iPhoneSE4将取消掉正面Home键，同时加大显示屏面积。如果是刘海屏，那么会支持FaceID面容识别，如果是挖孔屏，那么对应的是侧面指纹，但前者可能性更大。只是为了降低成本，iPhoneSE4可能还会使用一块LCD液晶屏，而非OLED。苹果之所以要对iPhoneSE进行大刀阔斧的调整，原因在于SE3销量不佳。尽管老用户有情节，可小屏幕、糟糕的续航都让iPhoneSE3成为“只可远观而不可亵玩”的存在。外界预计iPhoneSE4将在明年3月发布，起步价维持3499元。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1310425.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1310425.htm

爆料称iPhone SE 4将沿用iPhone XR的外形设计

爆料称iPhoneSE4将沿用iPhoneXR的外形设计据知名泄密者JonProsser称，第四代iPhoneSE将采用与iPhoneXR几乎完全相同的设计。在他的FrontPageTechYouTube频道上的一段视频中说，第四代iPhoneSE将沿用2018年的iPhoneXR的设计。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1328903.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1328903.htm

美光推出采用单片32Gb颗粒的128 GB DDR5-8000 RDIMM

美光推出采用单片32Gb颗粒的128GBDDR5-8000RDIMM美光公司最近开始利用其经过验证的成熟1β技术制造的单片32GbDDR5颗粒。与标准的JEDEC规格相比，这种新芯片的位密度提高了45%以上，能够达到8000MT/s，同时还能以更积极的时序延迟运行。该公司声称，与竞争对手的3DSTSV产品相比，它的能效提高了24%，更快的运行速度也有助于加快人工智能训练时间。避免使用3DSTSV可以让美光更好地优化数据输入缓冲器和关键I/O电路，同时减少数据线上的引脚电容。这些都有助于降低功耗和提高速度。得益于CMOS工艺的进步和阵列效率的提高，美光的单片芯片密度每3年左右就会翻一番。该公司认为，随着技术的不断进步，未来实现48Gb和64Gb单片机的前景十分明朗。美光公司还宣称，其1β节点已领先于竞争对手实现量产，并在公司历史上实现了最快的良率成熟。采用1βDRAM的双芯片封装和高外形尺寸(TFF)模块有望在不久的将来实现1TB模块。在宣布采用1β技术的128GBRDIMM的同时，该公司还为即将推出的产品制定了路线图。HDM和GDDR7预计将主导对带宽要求较高的应用，而RDIMM、MCRDIMM和CXL解决方案则将用于需要大容量的系统。LPDDR5X和LPCAMM2解决方案最高可达192GB，预计最早将于2026年出现在功耗敏感型系统中。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395745.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1395745.htm