美光推出采用单片32Gb颗粒的128 GB DDR5-8000 RDIMM

美光推出采用单片32Gb颗粒的128GBDDR5-8000RDIMM美光公司最近开始利用其经过验证的成熟1β技术制造的单片32GbDDR5颗粒。与标准的JEDEC规格相比,这种新芯片的位密度提高了45%以上,能够达到8000MT/s,同时还能以更积极的时序延迟运行。该公司声称,与竞争对手的3DSTSV产品相比,它的能效提高了24%,更快的运行速度也有助于加快人工智能训练时间。避免使用3DSTSV可以让美光更好地优化数据输入缓冲器和关键I/O电路,同时减少数据线上的引脚电容。这些都有助于降低功耗和提高速度。得益于CMOS工艺的进步和阵列效率的提高,美光的单片芯片密度每3年左右就会翻一番。该公司认为,随着技术的不断进步,未来实现48Gb和64Gb单片机的前景十分明朗。美光公司还宣称,其1β节点已领先于竞争对手实现量产,并在公司历史上实现了最快的良率成熟。采用1βDRAM的双芯片封装和高外形尺寸(TFF)模块有望在不久的将来实现1TB模块。在宣布采用1β技术的128GBRDIMM的同时,该公司还为即将推出的产品制定了路线图。HDM和GDDR7预计将主导对带宽要求较高的应用,而RDIMM、MCRDIMM和CXL解决方案则将用于需要大容量的系统。LPDDR5X和LPCAMM2解决方案最高可达192GB,预计最早将于2026年出现在功耗敏感型系统中。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395745.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1395745.htm

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美光推出基于32 Gb DDR5的128GB模块样品

美光推出基于32GbDDR5的128GB模块样品美光总裁兼首席执行官SanjayMehrotra说:"我们推出了基于单片芯片的128GB模块,从而扩展了我们的大容量D5DRAM模块产品组合,我们已经开始向客户交付样品,以帮助支持他们的人工智能应用需求。我们预计该产品将在2024年第二季度实现营收。"美光的单片32GbDDR5芯片是在该公司的1β(1-beta)制造工艺上制造的,这是最后一个生产节点,完全依赖于使用深紫外(DUV)光刻技术的多图案化,而不使用极紫外(EUV)光刻工具。目前,我们对美光32GbDDR5集成电路的了解仅此而已:该公司没有透露其最高速度,但我们可以预计,与两个在相同电压和数据传输速率下工作的16GbDDR5集成电路相比,其功耗将有所下降。美光公司新推出的32Gb内存芯片为只用8个独立内存芯片就能为个人电脑制造出标准的32GB模块,以及用32个这样的集成电路制造出面向服务器的128GB模块铺平了道路。此外,这些芯片使生产1TB容量的内存模块成为可能,而这在今天看来是无法实现的。这些1TB的模块现在看来可能过大,但它们有利于人工智能、大数据和服务器数据库等领域。此类模块可使服务器每个插槽支持高达12TB的DDR5内存(在12通道内存子系统的情况下)。谈到DDR5内存的总体情况,值得注意的是,该公司预计其DDR5的位产量将在2024年初超过DDR4,在行业中处于领先地位。Mehrotra说:"美光在业界向D5过渡的过程中也占据了有利地位。我们预计美光D5的产量将在2024年初超过D4,领先于业界。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1386977.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1386977.htm

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美光发布大容量96GBDDR5-4800RDIMM内存美光公司的96GBDDR5RDIMM模块符合第四代AMDEPYC处理器的要求。此外,Supermicro8125GS-一款基于AMD的系统包括美光96GBDDR5模块,可用来实施高性能计算、人工智能和深度学习培训以及工业服务器工作负载。"提供大容量内存解决方案,为计算密集型工作负载提供合适的性能,对美光作为领先的内存创新者和制造商的角色至关重要。"美光公司计算产品部副总裁兼总经理PraveenVaidyanathan表示:"美光公司的96GBDDR5DRAM模块为我们的客户建立了一个新的优化总体拥有成本的解决方案。我们与像超微这样灵活的系统供应商合作,利用我们各自的优势,为客户提供最新的内存技术,以解决他们最具挑战性的数据中心需求。"超微公司全球销售部高级副总裁DonClegg说:"超微公司与美光公司的市场化合作使众多关键客户受益。美光先进的内存和存储产品组合,与超微广泛的服务器和存储创新相配合,为数据中心的部署和先进的工作负载提供了经过验证、测试和证明的解决方案。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1364057.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1364057.htm

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三星发布32Gb DDR5 DRAM 为最高128GB容量内存模块打好基础

三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布,该公司采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前,三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位,并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示:"凭借我们的12nm级32GbDRAM,我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案,使我们能够在人工智能(AI)和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案,打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位(Kb)DRAM以来,三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术,提高了集成密度并优化了设计,拥有业界最高的单个DRAM芯片容量,在相同封装尺寸下,其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前,使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而,通过使用三星的32GbDRAM,现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块,与使用16GbDRAM的128GB模块相比,功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础,三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线,通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM,该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm

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美光推出基于1β工艺的16GbDDR5-7200MT/s内存美光基于1β的DDR5内存采用先进的高K值CMOS器件技术、4相时钟和时钟同步技术,与上一代产品相比,性能提升高达50%,每瓦性能提高33%。随着CPU内核数的增加以满足数据中心工作负载的需求,对更高内存带宽和容量的需求也大幅增长,以克服"内存墙"的挑战,同时优化客户的总体拥有成本。用于客户端和数据中心平台的1βDDR5DRAM的大批量生产和上市也标志着该行业的一个重要里程碑。1βDDR5DRAM允许计算能力以更高的性能进行扩展,从而支持跨数据中心和客户端平台的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。新的1βDDR5DRAM产品线提供当前的模块密度,速度从4800MT/s到7200MT/s,适用于数据中心和客户端应用。美光的1β技术使美光能够提供广泛的基于内存的解决方案组合,包括使用16Gb、24Gb和32GbDRAM芯片的DDR5RDIMM和MCRDIMM、使用16Gb和24GbDRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。新的美光16GbDDR5内存产品将通过直销和渠道合作伙伴提供。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389279.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1389279.htm

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SKHynix实现爆炸式财务增长宣布推出64GB容量的32GbDDR5DRAM该公司成功地从总收入中获取了23%的利润,这被认为是继2018年第一季度该公司业绩之后的第二高利润。SK海力士认为,该公司终于迎来了经济反弹,进入了持续主导市场的时代。此外,SK海力士还指出,他们的季度营业利润收入大幅增长了734%,这完全归功于人工智能对他们的巨大推动作用。该公司指出,在接下来的几个月里,人工智能部门将催化其财务业绩,而随着DRAM行业的复苏,该公司也将收回失去的利润。SKHynix还对其HBM3E供应表现出极大的乐观,声称已收到来自行业客户的大量兴趣。主要亮点包括:3月,开始量产/供应1bnmHBM3E根据客户需求增加HBM3E的供应量利用提高的生产能力扩大客户群与台积电签署开发HBM4和合作开发下一代封装技术的谅解备忘录128GB+模块的强劲销售促进了DDR5的销售将推出1bnm32GbDDR5产品以支持高密度SVDRAM需求计划在24年内推出PCIeGen5cSSD,供人工智能PC采用在谈到未来工艺时,SKHynix还宣布其1bnm32GbDDR5内存已步入正轨,将于今年内亮相,这意味着单条DIMM可实现64GB的容量,企业级产品更是可通过新技术获得128GB的容量。进入人工智能PC时代后,内存将在处理能力方面发挥至关重要的作用,韩国巨头希望充分利用这一点,与三星等公司一起采用第五代10纳米技术。人工智能又一次成功地将另一家公司从不断下滑的财务业绩中拯救出来,SK海力士看起来已经准备好在未来占据主导地位,尤其是凭借其与台积电和英伟达(NVIDIA)等领先企业的密切关系。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428737.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1428737.htm

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GeForceRTX5090GPU将采用大面积单片式GB202"Blackwell"芯片现在,根据内部人士Kopite7kimi发布的一条新推文,GPU将采用单片式设计。虽然英伟达已经为其HPC/AI芯片(如B100和B200)转向了芯片组设计,但该公司似乎仍希望为其面向消费者的GPU芯片保留单片封装。据说,GB202"Blackwell"GPU将采用物理单片设计,而且从早先的报道中,我们知道它的SM和内核数量预计将是GB203的两倍,而GB203则是用于GeForceRTX5080等产品的更为精简的芯片。这将使两款显卡的性能相差悬殊,但RTX5090将是一款不折不扣的猛兽。让我们先来谈谈GB202"黑井"图形处理器本身,目前可以确认的是它会是单片设计,英伟达可能会将两个GB203芯片封装在一个单片封装上,而不会使其看起来像Chiplet结构。这样可以更好地实现芯片间的通信,而不会出现芯片外通信瓶颈。虽然NVIDIA拥有克服瓶颈的解决方案,如NVLINK和其他互连技术,但它们可能会有点昂贵,因为它们会增加GPU的复杂性。英伟达已经有了一种解决方案,这种解决方案已经以GA100和GH100的形式在市场上推出,GA100和GH100本质上是一个较小芯片的两半,通过互连连接,并通过一个分离的二级缓存进行通信。英伟达的BryanCatanzaro解释说,这种实现方式提高了可扩展性,他们最初向这种设计的过渡非常顺利。预计该芯片还将采用台积电4NP工艺节点(5纳米),密度将提高30%(晶体管),因此除了架构升级外,也会带来不错的改进。现在,NVIDIA可能也会在游戏方面采取同样的做法,这意味着如果整个项目取得成功,那么我们就能在未来看到B100/B200型芯片组产品。现在回到NVIDIAGeForceRTX5090,有多份报告称,我们可能会在这款下一代旗舰显卡上采用512bit接口,而且已经有消息称,新一代怪兽级别显卡将采用全新的冷却和PCB解决方案。考虑到有传言称AMD将凭借其RDNA4阵容退出超高端图形性能领域,看起来英伟达一旦推出BlackwellGPU,可能会进一步推动其在游戏领域的领先地位。GeForceRTX5090预计将在RTX5080上市几周后推出,而RTX5080据传将是首款上架的Blackwell游戏GPU。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432488.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1432488.htm

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