编码型快闪存储器(NORFlash)受惠于库存回补,尤其每台AI终端装置搭载的NORFlash容量以数倍爆发性增长,引领NORF

编码型快闪存储器(NORFlash)受惠于库存回补,尤其每台AI终端装置搭载的NORFlash容量以数倍爆发性增长,引领NORFlash接棒启动新一波存储器涨价潮,预计下月起先涨5%,明年第2季再涨10%。业界分析,华邦、旺宏、兆易创新等NORFlash供应商去年底逐步启动减产后,有效降低市场库存量,前一段时间业界库存水位平均约三至四周;近期终端需求回温引动拉货效应,OEM及系统厂库存快速降至仅二周左右,回补库存迫在眉睫,在需求增加、供给减少下,推升此波NORFlash报价涨势。(台湾经济日报)

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存储器原厂强势涨价但模组厂不愿跟进日前,据报道,存储器上游原厂喊出大幅涨价,然而业界普遍认为涨幅过高,虽然企业级储存及云端服务器应用的需求非常强劲,但消费性及其他应用市场将难以负担,部分存储器模组业者私下透露将不会跟进此次涨价,并将弃单不采购,暂时保持观望,毕竟终端需求并不好,要是再贸然跟进涨价,客户或将流失,况且若采购成本无法向下游市场反映报价调涨,恐将导致自己本身获利遭到侵蚀或营运亏损。(Digitimes)

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三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格今年以来,三星一直奉行减产战略,1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域,之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量,眼下正试图推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹,而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模,降低供应量,再提高产品价格来寻求反转,其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员HanDong-hee认为,三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。值得一提的是,三星9月已与客户(包括小米、OPPO及谷歌)签署了内存芯片供应协议,DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20%。三星电子预计,从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。另外,原厂近期已通知下游厂商,Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同,但涨幅几乎都在双位数水平,其中NANDFlashQ4合约价有望涨一至两成,DRAM则约涨一成。10月初,威刚董事长陈立白表示,存储芯片产业苦熬两年,黑暗将过,2024年下半年更可能出现短缺。他认为,由于三大存储芯片巨头积极减产,效益开始显现,NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价,陈立白估计,DRAM及NANDFlash第四季度合约价将上涨10%-15%,三星甚至计划调涨20%,仍待观察成交价。从行业供给端来看,中信证券预计,2023年行业供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言,目前终端厂商已处于去库存的后期,全年出货有望呈现前低后高,看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。总体上,分析师预计下半年随着库存去化,需求逐步回归,行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇,建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388411.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1388411.htm

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三星、美光闪存先后大涨价幅度达35%客户也接受摩根士丹利在最新报告中指出,由于NAND价格已触底,闪存厂商群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强,部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。今年8月初,业内就传出消息称,三星已通知客户,打算将512GbNANDFlash晶圆的报价提高到1.60美元,比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%,这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。有两大厂商私下对此予以证实,并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位,未来不会再出现了”。随后在8月17日,Digitime爆料称,国内的NANDFlash模组厂近日已暂停报价及接单,将配合原厂(三星)报价调高8~10%。此举将有望拉动NANDFlash价格逐步回升到制造成本线。9月3日,市场研究机构TrendForce发布报告指出,近期NANDFlash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动,部分品项出现较积极询价需求。近日,日系外资也发布报告称,DRAM受AI服务器需求带动,库存水平下滑而价格上涨,NAND Flash价格已经低于供应商现金成本,未来价格下降幅度有限,预计7-9月维持稳定,10-12月份开始回升。存储芯片市场的企稳,主要是得益于铠侠、美光、SK海力士、三星等头部存储厂商的积极减产。有业内人士爆料称,三星已制定生产计划,目标年底NANDFlash库存正常化(6-8周水平)。今年年初,三星NANDFlash库存周转天数超过20周,最高一度飙升至28周,但最近已降至了18周。TrendForce的报告显示,三星最初的减产幅度为25%,第四季减产可能扩大到35%。随着这些头部厂商的持续扩大减产,这也自然将加速存储市场的触底反弹。至于模组厂,由于NANDFlash晶圆涨价已带来成本提升压力,模组厂近期纷纷释出调涨终端产品的意向,主要体现在SSD产品方面,金士顿(Kingston)、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易,不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示,由于产品价格便宜,从8月起拒绝客户降价,并会重建部分NAND库存。另外,据台媒8月31日消息,近1个月来,NANDFlash现货价格持续小幅调升,单月涨幅约达5%,逐渐靠拢合约价。不过也有机构提醒,由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现,是否有实际终端订单支撑仍待观察。近期,康佳集团旗下存储企业——康盈半导体创始人兼CEO冯若昊在接受芯智讯采访时也表示,近期上游NANDFlash原厂确实在涨价,涨幅大概在10%左右,但是对于模组厂来说,想配合,但是客户端并不一定会接受,所以客户都还是在观望。但是随着上游原厂持续减产,以及一些需求的缓慢恢复,四季度随着供应持续减少,客户库存消耗加速,会达到供需平衡或者供应偏紧张的情况,从而带动整体市场对于涨价的接受。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1382529.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1382529.htm

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