机构：AI 需求高涨，2024 年 Server DRAM 单机平均搭载容量预估年增 17.3%

机构：AI需求高涨，2024年ServerDRAM单机平均搭载容量预估年增17.3%TrendForce集邦2月5日发布研报称，2024年市场持续聚焦AI议题，供应商也陆续推出AI高端芯片，随着运算速度的提升，2024年DRAM及NANDFlash在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，ServerDRAM单机平均容量预估年增17.3%；EnterpriseSSD则预估年增13.2%。

机构：云端 CSPs 将扩大边缘 AI 发展，带动 2025 年 NB DRAM 平均搭载容量增幅至少达 7%

机构：云端CSPs将扩大边缘AI发展，带动2025年NBDRAM平均搭载容量增幅至少达7%TrendForce集邦咨询认为，2025年随着AI应用完善、能处理复杂任务、提供更好的用户体验并提高生产力，将带动消费者对于更智能、更高效的终端设备需求迅速增长，AINB渗透率将快速成长至20.4%的水位，预期AINB浪潮亦将带动DRAMContent增长。TrendForce集邦咨询预估，NBDRAM平均搭载容量将自2023年的10.5GB年增12%至2024年的11.8GB。展望2025年，随AINB渗透率自2024年的1%提升至2025年的20.4%，且AINB皆搭载16GB以上DRAM，将至少带动整体平均搭载容量增长0.8GB，增幅至少为7%。

机构：2024 全年 HBM 供给位元年增预估高达 260%，产能将占 DRAM 产业 14%

机构：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%据TrendForce集邦咨询预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBMTSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

机构：2024 全年 HBM 供给位元年增预估高达 260% 产能将占 DRAM 产业 14%

机构：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%产能将占DRAM产业14%由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBMTSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

机构：2024年笔记本电脑内存平均搭载容量将增至11.8GB

机构：2024年笔记本电脑内存平均搭载容量将增至11.8GB此外，因为AIPC或AI笔记本电脑在计算机设备基本架构组成方面与AI服务器较为接近，具有一定程度运算能力，可运行较小型大语言模型（LLM)、生成式AI等应用，有望成为云端AI基础设施及边缘AI小型训练或推理应用的最后一里路。机构认为，2025年随着AI应用完善、能处理复杂任务、提供更好的用户体验并提高生产力，将带动消费者对于更智能、更高效的终端设备需求迅速增长，AI笔记本电脑渗透率将快速增长至20.4%的水平，预期这一浪潮亦将带动DRAM搭载容量增长。机构预估，笔记本电脑DRAM内存平均搭载容量将自2023年的10.5GB年增至2024年的11.8GB。展望2025年，随AI笔记本渗透率自2024年的1%提升至2025年的20.4%，且AI笔记本皆搭载16GB及以上DRAM，将至少带动内存整体平均搭载容量进一步增长0.8GB，增幅至少为7%。TrendForce认为，AI笔记本除了带动DRAM容量提升之外，还将带动更省电、高频率芯片需求，也就是LPDDR对传统DDR的取代趋势。对原本追求可扩展性的DDR、SO-DIMM方案而言，转换至同属模块化的LPDDR、LPCAMM方案，亦为板载LPDDR内存之外的选项之一。对于笔记本电脑处理器方面，机构表示英特尔的LunarLake及AMD的StrixPoint都是在6月COMPUTEX展会首次发布的SoC，并都符合AIPC标准。搭载这两类处理器的PC机型，预计将成为未来市场主要关注焦点。华硕、宏碁、微星等品牌均将发售搭载LunarLake或StrixPoint处理器的新机型，预计新款AIPC建议售价落在1399~1899美元（约合10158~13789元人民币）之间。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436047.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1436047.htm

机构：2025 年 HBM 价格调涨约 5~10%，占 DRAM 总产值预估将逾三成

机构：2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（ConventionalDRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。吴雅婷指出，今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。