ASML 的 High-NA EUV 太贵了，我非常喜欢 High-NA EUV 的能力，但不喜欢它的价格

代工一哥直呼太贵，台积电考虑A16节点不用ASML的High-NAEUV设备https://www.ithome.com/0/768/083.htm台积电张晓强博士于5月14日出席在阿姆斯特丹举办的技术研讨会，他直言：“ASML的High-NAEUV太贵了，我非常喜欢High-NAEUV的能力，但不喜欢它的价格”。———2024-04-252024-05-05

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASMLHigh-NAEUV初期产能TheElec获悉，ASML截至明年上半年的高数值孔径EUV(High-NAEUV)设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和SK海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML的高数值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元。——

消息称英特尔包揽 ASML High-NA EUV 初期产能 单台成本超 26 亿元

消息称英特尔包揽ASMLHigh-NAEUV初期产能单台成本超26亿元ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NAEUV）设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和SK海力士2025下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML的高数值孔径EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元（当前约26.47亿元人民币）。

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A161.6nm制程不会采用High-NAEUV光刻机访问：NordVPN立减75%+外加3个月时长另有NordPass密码管理器据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NAEUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“PowerVia”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官JungKi-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NAEUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NAEUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NAEUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431296.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431296.htm

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASMLHighNAEUV光刻机晶圆制造速度提升150%可打印8nm线宽根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的MartinvandenBrink的说法，新的HighNAEUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NAEUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NAEUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NAEUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。MartinvandenBrink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对HighNAEUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行HighNAEUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成HighNAEUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel14A节点制程的大量生产当中。MartinvandenBrink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NAEUV光刻机了，以进一步扩展其High-NAEUV光刻机的潜在路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1432933.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1432933.htm

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NA EUV光刻机搞不掂

2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NAEUV光刻机搞不掂在业内，比Intel、台积电、三星还要早就能接触到ASML光刻机新品的是比利时微电子研究中心（IMEC），虽然名气不大，但其实它是世界上最大的半导体专门研究机构。因为离得近，ASML的原型试做机，往往在完工后就第一时间送交IMEC评估尝鲜。日前，IMEC首席执行官LucVandenhove在公开路线图时表示，当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平，不过，想要超越，必须要靠下一代高NAEUV光刻机。他督促ASML在未来3年内，全力投产高NA光刻机。所谓高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55，进而增加光刻分辨率，以便制备更精密的为电路图像。当前的EUV光刻机均停留在0.33的水平。一切顺利的话，ASML会在明年推出其首款高NAEUV光刻机，Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂，其中Intel下手最快。这款光刻机价值高达4亿美元（约合26亿元人民币），组装好的体积有双层巴士大、重超200吨。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1302961.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1302961.htm