兆易创新:DRAM、NAND 价格企稳,判断 2024 年价格继续小幅反弹

兆易创新:DRAM、NAND价格企稳,判断2024年价格继续小幅反弹兆易创新2月7日在互动平台上称,从2022年下半年到2023年全年,随着供求反转、需求低迷和竞争加剧,公司所有产品线单价都呈下滑态势。到2023年Q4,多条产品线价格接近或触达底部,DRAM、NAND价格企稳,判断2024年价格继续小幅反弹;NOR和MCU价格处于行业底部,2024年预期比较平稳;指纹芯片经过一年多价格持续下行,2023年年底价格触底。

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兆易创新:预计 SLC NAND 价格将温和上涨

兆易创新:预计SLCNAND价格将温和上涨5月9日,兆易创新举办2023年度暨2024年第一季度业绩说明会,对于存储产品价格走势,公司高管预计2024年第二季度及第三季度利基DRAM价格将持续温和上涨。SLCNAND需求回暖和价格上涨比利基DRAM大约晚一个季度,判断SLCNAND未来价格将温和上涨;NOR产品价格后续走势仍需要持续观察。成本端,随着上游代工厂商价格触底和稼动率提升,目前看不到其进一步降价动力。(证券时报)

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NAND现货价格增长 DRAM需求小幅回升

NAND现货价格增长DRAM需求小幅回升另一方面,由于现货价格上涨过快,买家有些犹豫不决,接受高价的意愿变低。由于主流DRAM产品整体需求并未好转,因此预计价格将持续波动。主流芯片是指DDR41Gx82666MT/s,其平均价格从上周的1.498美元上涨至本周的1.500美元,涨幅0.13%。NAND现货市场方面,由于晶圆供应减少,近期NAND现货价格出现大幅反弹,导致存储卡、USB闪存设备、eMMC等现货价格上涨。尽管如此,买家跟进意愿不强,价格短期内再次回落。本周,512GbTLC晶圆现货价格上涨3.96%,达到1.757美元。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1387033.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1387033.htm

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兆易创新:预计2024年DRAM业务持续增长5月9日,兆易创新举办2023年度暨2024年第一季度业绩说明会,公司高管表示,2024年公司营收(目标)达到73亿元较有挑战性,需要公司一如既往做好自身工作,落实战略发展目标,继续以扩大市占率和扩大营收作为核心目标。在DRAM产品上,预计2024年DRAM产品采购代工的金额比2023年有大幅增长,DRAM业务持续呈现成长趋势;其他各产品线也将进一步提升研发效率和产品力。

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大摩:预计2024年第一季DRAM和NAND闪存价格将环比上涨18%~23%摩根士丹利指出,PC及智能手机ODM、OEM厂目前的库存水位仍低,厂商正在积极建立库存。其援引TrendForce数据称,智能手机商移动DRAM库存为4~6周,且NAND(eMMC、UFS)库存6~7周,TrendForce预计2024年第一季DRAM和NAND闪存价格较2023年第四季上涨18%~23%。

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三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资平泽P3晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将P3晶圆厂的产能增加8万片DRAM和3万片NAND晶圆,但现在产能扩张已削减至5万片DRAM和1万片NAND晶圆。尽管2023年下半年价格反弹,但三星对市场复苏的前景似乎仍然保守。P3扩产投资的缩减可能意味着三星预计未来一年的供应不会大幅增加,特别是在NAND方面。NAND投资削减幅度大于DRAM,这也意味着三星预计NAND市场复苏将放缓。预计2023年三星在设备上的资本支出将达到36万亿或37万亿韩元(约合270亿美元)。不过,随着最新的投资缩减,到今年底总支出可能会减少至29万亿韩元。同时,根据韩国证券公司报告,随着DRAM制造进入第四代10nm节点(1a)和第五代10nm节点(1b)加工技术,加工配方将发生重大变化。设备升级期间,生产线将暂停,安装新设备。这正是企业选择在淡季采取这一行动的原因,以避免对产量造成太大影响。因此,由于扩产缩减和设备升级,三星内存产线的利用率将在Q4处于较低水平,因此其DRAM和NAND供应在Q4可能会大幅减少。事实上,过去六个月DRAM价格已经触底并保持平稳,据报道,存储公司已要求客户提高NAND产品的合同价格。业界普遍预计,三星、SK海力士和美光将有望从经济周期中复苏,盈利能力也可能很快恢复。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388531.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1388531.htm

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涨价前兆PC、手机DRAM内存将出现供应短缺与HBMDRAM相比,通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片,这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。自2024年初以来,通用型DRAM的产能仅提升了大约10%,而智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减,也未能显著推动DRAM需求的复苏。与此同时,企业级固态硬盘(eSSD)的需求因人工智能的普及而激增,导致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。铠侠也在市场条件改善后结束了减产,NAND产能利用率恢复至100%。尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度,但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。PC制造商和智能手机厂商,如三星和苹果,正在积极探索AI技术在各自产品中的应用,以期带动市场需求。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1436147.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1436147.htm

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