SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺SK海力士封装开发负责人LeeKang-Wook表示，该公司今年将在韩国投资超过10亿美元，以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤，特别是先进封装工艺。该工艺的创新是HBM作为最受欢迎的AI内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在HBM市场领先地位的关键。虽然SK海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为105亿美元。这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee在接受采访时表示，“半导体行业的前50年一直是前端为主”，即芯片的设计和制造。“但接下来的50年将是全部是后端为主”，即封装。Lee表示，SK海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充（MR-MUF）和硅通孔（TSV）技术中，Lee曾领导这两种技术的发明，现在均已成为HBM制造的基础核心技术。——

在人工智能热潮中 SK海力士酝酿“差异化”HBM内存

在人工智能热潮中SK海力士酝酿“差异化”HBM内存SKHynix高级封装开发主管HoyoungSon以副总裁的身份表示："开发客户专用的人工智能存储器需要一种新方法，因为技术的灵活性和可扩展性变得至关重要。"在性能方面，采用1024位接口的HBM内存发展相当迅速：从2014-2015年的1GT/s数据传输速率开始，到最近推出的HBM3E内存设备，其数据传输速率已达到9.2GT/s-10GT/s。随着HBM4的推出，内存将过渡到2048位接口，这将确保带宽比HBM3E有稳步提升。但这位副总裁表示，有些客户可能会受益于基于HBM的差异化（或半定制）解决方案。HoyoungSon在接受BusinessKorea采访时说："为了实现多样化的人工智能，人工智能存储器的特性也需要变得更加多样化。我们的目标是拥有能够应对这些变化的各种先进封装技术。我们计划提供能够满足任何客户需求的差异化解决方案。"由于采用2048位接口，根据我们从有关即将推出的标准的官方和非官方信息中了解到的情况，许多（如果不是绝大多数）HBM4解决方案很可能是定制的，或者至少是半定制的。一些客户可能希望继续使用内插器（但这一次内插器将变得非常昂贵），而另一些客户则倾向于使用直接接合技术将HBM4模块直接安装在逻辑芯片上，但这种技术也很昂贵。生产差异化的HBM产品需要复杂的封装技术，包括（但肯定不限于）SKHynix的高级大规模回流模塑底部填充（MR-RUF）技术。鉴于该公司在HBM方面的丰富经验，它很可能会推出其他产品，尤其是差异化产品。HoyoungSon说："要实现不同类型的人工智能，人工智能存储器的特性也需要更加多样化。我们的目标是拥有一系列先进的封装技术，以应对不断变化的技术环境。展望未来，我们计划提供差异化的解决方案，以满足所有客户的需求。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422033.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1422033.htm