SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂当天，SK海力士首席执行官郭鲁正、韩国驻美大使赵贤东、印第安纳州州长EricHolcomb、参议员ToddYoung、白宫科技政策办公室主任AratiPrabhakar等一众人员出席了签约活动。据悉，该芯片工厂将以下一代高带宽内存（HBM）芯片生产线为中心，这些芯片是训练人工智能系统的图形处理器的关键组件。上个月，SK海力士开始批量生产用于人工智能（AI）服务器的HBM3E芯片。作为HBM芯片的领先设计和制造商，SK海力士已经发展成为人工智能开发热潮中的关键参与者。这推动其股价年内迄今涨逾25%，市值也轻松突破了1000亿美元，使其成为韩国市值规模第二大的公司。大约两年前，SK海力士承诺，将通过研发项目、材料、在美国建立先进的封装和测试工厂，向半导体产业投资150亿美元。该公司在周三表示，最新的合作协议是此前承诺的一部分，公司还向美国政府申请了《芯片与科学法案》提供的补贴。新项目也标志着美国在芯片行业迈出了重要一步，先进封装产能是美国政府重振半导体产业努力中的一个瓶颈。美国的封装能力只占全球的3%，这意味着在美国生产芯片的公司通常还得把芯片运到亚洲组装使用。SK海力士声称：“印第安纳州的工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于人工智能的芯片，新工厂将在当地创造1000个以上的工作岗位，为地区社会发展做出贡献。”印第安纳州州长EricHolcomb表示：“印第安纳州是创造将成为未来经济原动力的创新产品的全球领先者。坚信与SK海力士的伙伴关系将带来印第安纳州和普渡大学等地区社会的长期发展。”工厂位于普渡大学附近，该校是美国最大的半导体和微电子工程专业所在地之一。SK海力士此前也曾考虑过亚利桑那州，该州有一个新兴的芯片产业，台积电和英特尔的工厂就位于该州。SK海力士首席执行官郭鲁正表示，考虑到州政府的全力支持、丰富的制造基础设施，以及普渡大学的优秀人才等，最终选择了印第安纳州。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426130.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426130.htm

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

传SK海力士计划明年在美开建芯片封装工厂

传SK海力士计划明年在美开建芯片封装工厂USNews援引两位知情人士的话称：韩国电子巨头之一的SK海力士，正为其计划在美新设的先进芯片封装厂进行选址。如果一切顺利，新厂将于2023年1季度破土动工。预估投资总额达“数十亿”、可创造约1000个工作岗位，且有望于2025-2026年实现大规模生产。资料图在致路透社的一份声明中，SK海力士没有披露与这座新工厂有关的更多细节，但消息人士称其很有可能坐落于一所拥有充足工程人才的大学附近。此外该公司将构建一个全国性的研发合作伙伴和设施网络，并将自家存储芯片和其它美国公司设计的机器学习（ML）和人工智能（AI）应用逻辑芯片打包封装。据悉，作为美国面向半导体、绿色能源和生物科学项目的220亿美元一揽子投资计划的一部分，韩国SK集团于上月宣布了新厂计划。此外白宫方面表示，通过支持鼓励材料和先进封测设施的研发项目，该计划将向半导体行业拨付150亿美元的资金。消息人士称，芯片研发设施与封装工厂都可从中分得一杯羹。此前出于国际分工的考量，美国芯片厂商习惯了将低价值的封测业务交给亚洲地区的海外工厂。然而随着先进封装技术竞赛日趋白热化，美国政府正试图通过《芯片法案》和配套激励措施来提升本土制造的竞争力。本周签署的该法案，为芯片研发制造领域提供了520亿美元的补贴。此外对于芯片工厂来说，还有240亿美元的税收抵免。最后，除了最新宣布在美设厂以获得补贴资格的SK海力士，台积电、三星、英特尔也都宣布了一系列扩张计划。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1303705.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1303705.htm

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片，预期2026年投产在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。从HBM4产品开始，海力士准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。https://api3.cls.cn/share/article/1652041

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片预期2026年投产（来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的RadeonR9Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GBHBM3E12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任AllenCheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。”...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427912.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427912.htm

SK 海力士计划投资 146 亿美元扩大芯片产能 以满足人工智能开发需求

SK海力士计划投资146亿美元扩大芯片产能以满足人工智能开发需求SK海力士计划斥资约20万亿韩元（146亿美元）在韩国构建新的存储芯片产能，进行重大的产能升级，以满足快速增长的人工智能开发需求。这家韩国公司将初步拨出5.3万亿韩元，于4月底左右开始建设一家新工厂或晶圆厂，计划在2025年11月完工。根据声明，SK海力士将长期逐步发展该设施，总投资将超过20万亿韩元。SK海力士将于周四发布季度业绩，目前正在忙于供应一种专为人工智能量身定制的高带宽内存(HBM)芯片。该芯片能与英伟达供应的加速器形成良好配合，而SK海力士在此方面已经领先三星电子。