TrendForce：美光、三星、SK 海力士、模组厂已停止 DRAM 报价

TrendForce：美光、三星、SK海力士、模组厂已停止DRAM报价《科创板日报》3日讯，今日中国台湾地区突发7.3级地震，TrendForce指出，存储器行业中，由于美光DRAM产能主要集中在中国台湾地区，因此该公司率先停止DRAM报价，灾后的损失评估后再度启动2024年Q2合约价谈判。除此之外，三星、SK海力士也跟进停止报价，尽管两大供应商并没有DRAM生产位于台湾地区，但也希望观望后市后再行动。存储器现货市场的DRAM与NANDFlash并未在今日产生剧烈波动，整体仅限小幅上涨格局，买气仍然清淡。TrendForce预计，短期DRAM现货价格会有小幅涨幅，但需求疲弱态势不变，涨价的延续性有待观察。同时，因为DRAM供应商目前大致处于停止报价阶段，模组厂也已在今日跟进停止报价。

存储器原厂强势涨价 但模组厂不愿跟进

存储器原厂强势涨价但模组厂不愿跟进日前，据报道，存储器上游原厂喊出大幅涨价，然而业界普遍认为涨幅过高，虽然企业级储存及云端服务器应用的需求非常强劲，但消费性及其他应用市场将难以负担，部分存储器模组业者私下透露将不会跟进此次涨价，并将弃单不采购，暂时保持观望，毕竟终端需求并不好，要是再贸然跟进涨价，客户或将流失，况且若采购成本无法向下游市场反映报价调涨，恐将导致自己本身获利遭到侵蚀或营运亏损。(Digitimes)

内存、闪存全面涨价！1TB、12/16GB大内存手机且买且珍惜

内存、闪存全面涨价！1TB、12/16GB大内存手机且买且珍惜10月15日消息，TrendForce发布新的报告，自2024年第四季度起，DRAM和NAND闪存均价开始全面上涨。其中DRAM预计按季度上涨3~8%，涨势是否能够延续还要看供应商是否坚持减产策略，以及市场的回暖程度，重点在于通用型服务器领域。报告中还指出，随着三星、SK海力士等存储大厂持续减产，10月前后DRAM、NAND原厂芯片价格出现小幅上升。目前合约价已陆续落底，库存跌价损失将获得改善，去库存化成效的显现有望使营业利益率转亏为盈。在这之前，有供应链上下游龙头公司透露，受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响，内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点，国内有存储器下游龙头企业，NAND闪存芯片采购成本上涨近20%，DRAM内存芯片采购成本上涨约30%。预计从今年第四季度开始，存储元器件成本上涨所带来的影响将逐渐传导至消费端，笔记本电脑、手机等终端产品可能面临涨价局面。来源：https://www.eet-china.com/mp/a258373.html投稿：@ZaiHuaBot频道：@TestFlightCN

存储行业上下游市况分化：原厂强势涨价，模组厂却选择不跟

存储行业上下游市况分化：原厂强势涨价，模组厂却选择不跟业界普遍认为存储器目前涨幅过高，虽然企业级储存及云端服务器应用的需求非常强劲，但消费性及其他应用市场将难以负担。下游模组厂商对于上游提高报价的反应冷淡，配合调涨价格的意愿较低。部分模组厂商私下透露，将不会跟进此次涨价，并将弃单不采购，与上游拉锯。毕竟终端需求并不好，要是再贸然跟进涨价，客户恐将流失。https://www.cls.cn/detail/1647829

低于1.6美元拒绝出货 存储巨头或酝酿涨价 但买方仍在观望

低于1.6美元拒绝出货存储巨头或酝酿涨价但买方仍在观望据台湾电子时报昨日消息，在NANDFlash调涨趋势下，大陆存储模组厂近日暂停报价及接单，将配合原厂报价调高8%-10%。尽管买卖双方仍处拉锯阶段，但产业涨价风向愈趋明确，NAND价格逐步朝制造成本线靠拢。值得注意的是，三星内部规划将暂停平泽P1产线，预计将延续至少1个月或更久，该产线主打的便是128层堆叠的第6代V-NAND成熟制程产品。而近一年多以来，三星积极去化的主力就是V6产品，由于V6产能规模庞大，目前库存水位仍有不少，但去化带来成效，也有助于降低短期出货压力。由于存储芯片原厂积极推动去化库存，不时会要求特定存储芯片模组配合拿货。台媒指出，先前曾传出3家大陆模组厂商于二季度与三星签下大单，各家将承接6000万颗512GbIC，将分批在未来6个月内完成拉货，成本价格约在1.45美元。近期NAND涨价传言不断，许多中小型客户均计划趁涨价前再拉低价囤货。随着原厂减产动作发酵，存储芯片模组业者也配合涨价，有助于推动OEM客户重启备货。此外，从存储芯片业界近期释出的信号来看，产业景气确有接近谷底迹象。例如封测厂南茂在2023年下半年展望中明确指出，DRAM订单回温，NAND模组厂也已陆续恢复拉货，2024年有望进入复苏周期。存储芯片控制IC设计厂商慧荣科技也指出，公司第三季营收有望环比增长15%-20%，毛利率则持稳往上。NANDFlash跌幅有望收敛但涨价效应有待继续观察展望第三季，进入传统备货旺季之后，NAND报价跌幅有望进一步收敛。TrendForce便预估，第三季NANDFlash报价将环比下降3%-8%，跌幅收敛。存储芯片厂商则指出，整体而言，存储芯片报价有落底现象，大厂全面启动减产，效应预估第三季开始反应，报价已非全面下跌，HBM在AI风潮带动下，需求大增，价格也不错，预计存储芯片报价于2024年重回上涨周期的概率颇高。不过，存储芯片短期出货有望反弹的预期，有一部分原因来自iPhone15即将上市、其他手机品牌也陆续推出新品。但目前终端需求疲软，iPhone15系列新机虽然将在秋季上市，但最新产业报告预估目标产量大降至7700万台，对电子产业的拉动效果恐不明朗。因此虽然产业链开始暂停报价、拟调涨报价，但买方仍在观望，涨价效应有待继续观察，特别是主流存储芯片报价上涨时间可能有所延后。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1377849.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1377849.htm

三星、美光闪存先后大涨价 幅度达35％客户也接受

三星、美光闪存先后大涨价幅度达35％客户也接受摩根士丹利在最新报告中指出，由于NAND价格已触底，闪存厂商群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。今年8月初，业内就传出消息称，三星已通知客户，打算将512GbNANDFlash晶圆的报价提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。有两大厂商私下对此予以证实，并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位，未来不会再出现了”。随后在8月17日，Digitime爆料称，国内的NANDFlash模组厂近日已暂停报价及接单，将配合原厂（三星）报价调高8~10%。此举将有望拉动NANDFlash价格逐步回升到制造成本线。9月3日，市场研究机构TrendForce发布报告指出，近期NANDFlash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动，部分品项出现较积极询价需求。近日，日系外资也发布报告称，DRAM受AI服务器需求带动，库存水平下滑而价格上涨，NAND Flash价格已经低于供应商现金成本，未来价格下降幅度有限，预计7-9月维持稳定，10-12月份开始回升。存储芯片市场的企稳，主要是得益于铠侠、美光、SK海力士、三星等头部存储厂商的积极减产。有业内人士爆料称，三星已制定生产计划，目标年底NANDFlash库存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NANDFlash库存周转天数超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至了18周。TrendForce的报告显示，三星最初的减产幅度为25%，第四季减产可能扩大到35%。随着这些头部厂商的持续扩大减产，这也自然将加速存储市场的触底反弹。至于模组厂，由于NANDFlash晶圆涨价已带来成本提升压力，模组厂近期纷纷释出调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品方面，金士顿（Kingston）、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易，不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示，由于产品价格便宜，从8月起拒绝客户降价，并会重建部分NAND库存。另外，据台媒8月31日消息，近1个月来，NANDFlash现货价格持续小幅调升，单月涨幅约达5%，逐渐靠拢合约价。不过也有机构提醒，由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现，是否有实际终端订单支撑仍待观察。近期，康佳集团旗下存储企业——康盈半导体创始人兼CEO冯若昊在接受芯智讯采访时也表示，近期上游NANDFlash原厂确实在涨价，涨幅大概在10%左右，但是对于模组厂来说，想配合，但是客户端并不一定会接受，所以客户都还是在观望。但是随着上游原厂持续减产，以及一些需求的缓慢恢复，四季度随着供应持续减少，客户库存消耗加速，会达到供需平衡或者供应偏紧张的情况，从而带动整体市场对于涨价的接受。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1382529.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1382529.htm