SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK海力士、三星电子：整体DRAM生产线已超两成用于HBM内存https://www.ithome.com/0/767/877.htm———2024-05-132024-05-022024-04-222024-03-212024-03-142024-03-072024-03-012024-02-232024-02-13

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

通用 DRAM 需求尚未恢复 三星和 SK 海力士相关工厂开工率 80%-90%

通用DRAM需求尚未恢复三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。

SK海力士将扩大无锡工厂DDR3/4的产能 消费级DRAM价格难以反弹

SK海力士将扩大无锡工厂DDR3/4的产能消费级DRAM价格难以反弹TrendForce报告称，SKhynix曾计划将其无锡工厂的主流工艺从1Ynm过渡到1Znm，减少传统工艺的产出。然而，由于美国禁令的限制，该公司转而选择增加其21纳米生产线的份额，专注于DDR3和DDR44Gb产品。SKhynix的长期战略包括将其产能扩张转移回韩国，而无锡工厂则满足中国国内需求和传统工艺的消费类DRAM市场。DDR3和DDR44Gb芯片在SKhynix的整体消费类DRAM出货量中占不到30%。然而，该公司正在扩展其传统生产线，这意味着低密度消费类DRAM的供应将逐渐增加。对台湾供应链的分析显示，南亚、华邦和PSMC（协助IC设计公司生产DRAM）都供应DDR34Gb；只有南亚提供大规模出货的DDR44Gb。三家主要供应商和南亚的DDR34Gb的工艺节点约为20纳米。三星目前同时为DDR44Gb提供20纳米和1X纳米的工艺节点，并计划在2023年下半年过渡到1Z纳米，在工艺结构上处于领先地位。然而，美光不提供这种特定的芯片密度，而SKhynix和南亚都在20纳米左右。总的来说，其他台湾制造商主要专注于DDR3产品，他们的产品节点仍在25纳米。尽管华邦和PSMC正在开发20纳米工艺，但在大规模生产方面，它们仍然落后于其竞争对手。由于早期电视库存的消化，需求略有回升，导致SoC订单小幅增加，但市场仍然面临挑战。汽车需求相对稳定，但市场规模仍然有限，网络通信行业对芯片需求的能见度仍然很低。TrendForce断言，尽管DRAM供应商已经削减了消费类DRAM的产量，但考虑到库存水平，目前的供应和去化状况仍倾向于供过于求。因此，23年第二季度的平均价格应该会下降10-15%。从长远来看，无锡工厂的产量增加可能会给供应商带来额外的压力，使消费类DRAM价格更加难反弹。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358145.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358145.htm