郭明𫓹：预计英伟达下一代 AI 芯片将在 4Q25 量产 能耗亦是重点

郭明𫓹：预计英伟达下一代AI芯片将在4Q25量产能耗亦是重点分析师郭明𫓹预计，英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在2025年4季度量产，系统/机柜方案预计将在2026年上半年量产。R100将采台积电的N3制程与CoWoS-L封装(与B100相同)。R100预计将搭配8颗HBM4。英伟达已理解到AI伺服器的耗能已成为CSP/Hyperscale采购与资料中心建置挑战，故R系列的晶片与系统方案，除提升AI算力外，耗能改善亦为设计重点。

郭明𫓹：英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在明年四季度量产

郭明𫓹：英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在明年四季度量产R100的Interposer尺寸尚未定案，有2–3种选择。R100预计将搭配8颗HBM4。GR200的GraceCPU将采台积电的N3制程（vs.GH200/GB200的CPU采用台积电N5）。目前，英伟达已经意识到，AI服务器的高耗能已成为CSP（云服务提供商）/Hyperscale（超大规模数据中心）采购和数据中心建设的重要挑战。因此，在R系列芯片与系统方案的设计中，除了提升AI算力外，还特别注重了能耗的改善，以满足市场对高效能、低功耗AI解决方案的迫切需求。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430064.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1430064.htm

“特斯拉劲敌”Rivian发布R3Crossover电动汽车。预计将从2026年上半年开始交付R2（电动SUV）。将在美国伊利诺

“特斯拉劲敌”Rivian发布R3Crossover电动汽车。预计将从2026年上半年开始交付R2（电动SUV）。将在美国伊利诺伊州生产R2，预计产能将扩大至每年21.5万辆。暂停关于在佐治亚州新建电动汽车工厂的那些计划，预计这将带来超过22.5亿美元（财务）结余。新款R2SUV起售价大约为4.5万美元。Rivian（RIVN）涨幅迅速扩大至约8.0%，涨幅随后扩大至12%。

英伟达H200订单Q3开始交付，预计B100明年上半年出货

英伟达H200订单Q3开始交付，预计B100明年上半年出货英伟达AIGPUH200上游芯片端于Q2下旬起进入量产期，预计在Q3以后大量交货。但英伟达Blackwell平台上市时程提前至少一到两个季度，影响终端客户采购H200的意愿。供应链指出，目前待出货的客户端订单仍多集中于HGX架构的H100，H200比重有限，Q3将量产交货的H200主要为英伟达DGXH200；至于B100则已有部分能见度，预计出货时程落在明年上半年。——

SK hynix宣布2026年量产HBM4 为下一代AI GPU做准备

SKhynix宣布2026年量产HBM4为下一代AIGPU做准备随着人工智能在市场上的应用迅速增加，我们在迈向未来的过程中需要更强的计算能力，值得注意的是，HBM在人工智能计算如何定位自己的现代生活中发挥了至关重要的作用，因为它是制造人工智能加速器的关键部件。SKhynix副总裁KimChun-hwan在2024年韩国半导体展（SEMICONKorea2024）上发表主题演讲时透露，该公司打算在2026年之前开始量产HBM4，并声称这将推动人工智能市场的巨大增长。他认为，除了早日实现下一代产品过渡之外，重要的是要认识到HBM行业面临着巨大的需求；因此，创造一种既能无缝供应又具有创新性的解决方案更为重要。Kim认为，到2025年，HBM市场预计将增长高达40%，并已提前定位，以充分利用这一市场。关于对HBM4的期待，Trendforce分享的路线图预计，首批HBM4样品的每个堆栈容量将高达36GB，而完整规格预计将在2024-2025年下半年左右由JEDEC发布。首批客户样品和可用性预计将于2026年推出，因此距离我们看到新的高带宽内存人工智能解决方案的实际应用还有很长的时间。目前还不确定哪种类型的人工智能产品将采用新工艺，因此我们暂时无法做出任何预测。随着SKhynix的加入，HBM市场的竞争似乎会变得更加激烈，哪家公司会崛起并登上王者宝座，让我们拭目以待。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1415875.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1415875.htm

SK hynix发布321层TLC NAND 1Tb闪存技术将于2025年上半年量产

SKhynix发布321层TLCNAND1Tb闪存技术将于2025年上半年量产该公司表示，已量产的全球最高238层NAND的成功为其积累了技术竞争力，为321层产品的顺利开发铺平了道路。"随着解决堆叠限制的又一次突破，SKhynix将开启300层以上NAND的时代，引领市场潮流。"321层1TbTLCNAND与早一代238层512Gb相比，生产率提高了59%，这得益于技术的发展，它可以在单个芯片上堆叠更多的单元和更大的存储容量，这意味着在单个晶圆上可以生产的总容量增加了。ChatGPT的推出加速了生成式人工智能市场的发展，自此，对能以更快速度处理更多数据的高性能、大容量存储器产品的需求迅速增长。因此，在本届FMS上，SKhynix还推出了针对这种人工智能需求进行优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIeGen5接口和UFS4.0的企业级固态硬盘。该公司希望这些产品能够实现业界领先的性能，充分满足客户对高性能的需求。同时，SKhynix还宣布已开始开发下一代PCIeGen6和UFS5.0，并通过这些产品获得了更完善的解决方案开发技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1375869.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1375869.htm