SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术
SKhynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术SKhynix表示,与全球顶级代工厂台积电的合作将带来更多的HBM技术创新。通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作,此次合作有望在存储器性能方面实现突破。两家公司将首先致力于提高安装在HBM封装最底部的基础芯片的性能。HBM是在采用TSV技术的基底芯片上堆叠核心DRAM芯片,并通过TSV将DRAM堆叠中的固定层数与核心芯片垂直连接成HBM封装。位于底部的基础芯片连接到GPU,由GPU控制HBM。SKhynix采用专有技术制造HBM3E以下的基础芯片,但计划在HBM4的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺,这样就可以在有限的空间内封装更多的功能。这也有助于SKhynix生产定制的HBM,满足客户对性能和能效的需求。SKhynix和台积电还同意合作优化SKhynix的HBM和台积电的CoWoS技术的整合,同时合作应对客户在HBM方面的共同要求。Khynix总裁兼AIInfra负责人JustinKim说:"我们期待与台积电建立强大的合作伙伴关系,帮助我们加快与客户的开放式合作,并开发出业界性能最佳的HBM4。有了这次合作,我们将通过增强在定制存储器平台领域的竞争力,进一步巩固我们作为全面人工智能存储器供应商的市场领导地位。""多年来,台积电和SKhynix已经建立了牢固的合作伙伴关系。多年来,台积电与SKhynix已经建立了稳固的合作关系,我们共同致力于整合最先进的逻辑和最先进的HBM,提供全球领先的人工智能解决方案。展望下一代HBM4,我们有信心继续紧密合作,提供最佳集成解决方案,为我们的共同客户开启新的人工智能创新。"...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427903.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1427903.htm