力积电与SBI在宫城县的半导体工厂将扩大建设用地

力积电与SBI在宫城县的半导体工厂将扩大建设用地14日从相关人士处获悉，有关日本SBI控股和台湾力晶积成电子制造公司在宫城县大衡村新建的半导体工厂，建设预定地将比起初扩大约1成。总投资额预计因成本高涨等因素，增加约1000亿日元，或超过9000亿日元。建设预定地是大衡村的“第二仙台北部中核工业园区”。在推进工厂基本设计的过程中，占地面积从最初设想的16.8公顷扩大至18.8公顷。厂区内计划建造2栋工厂楼等。据SBI称，3月在当地启动了钻探调查。工厂的基本计划为2025年动工建设、2027年开工投产，力争投产时间提前。截至投产，将投资建设费等超过5000亿日元。据悉，在预计2029年以后实现的全面开工时期，计划向生产设备追加投资超过4000亿日元，将半导体产量增至4倍。——

消息人士称台积电考虑在日本引进先进芯片封装产能

消息人士称台积电考虑在日本引进先进芯片封装产能两位知情人士透露，台积电正考虑在日本建设先进封装产能，此举将为日本重启其半导体制造业务增添动力。他们补充说，审议工作还处于早期阶段，但由于信息尚未公开，因此拒绝透露姓名。其中一名知情人士透露，台积电正考虑将将其晶圆基片芯片(CoWoS)先进封装技术引入日本。知情人士称，由于目前仍处于早期商讨阶段，尚未就潜在投资规模或时间表做出决定。CoWoS是一种高精度技术，涉及将芯片堆叠在一起，提高处理能力，同时节省空间并降低功耗。目前，台积电的CoWoS产能全部位于台湾。——