三星发布32Gb DDR5 DRAM 为最高128GB容量内存模块打好基础

三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布，该公司采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前，三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位，并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示："凭借我们的12nm级32GbDRAM，我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案，使我们能够在人工智能（AI）和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位（Kb）DRAM以来，三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术，提高了集成密度并优化了设计，拥有业界最高的单个DRAM芯片容量，在相同封装尺寸下，其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前，使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而，通过使用三星的32GbDRAM，现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，与使用16GbDRAM的128GB模块相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础，三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线，通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM，该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm

AMD锐龙7000全力押注 DDR5内存价格明年降至DDR4水平

AMD锐龙7000全力押注DDR5内存价格明年降至DDR4水平去年Intel的12代酷睿首发了DDR5内存支持，但同时也兼容DDR4内存，很快还会有13代酷睿上市，前不久AMD发布的锐龙7000也加入了DDR5阵营，坚决地放弃了DDR4内存，两家的新品会陆续在9月到10月上市。DDR5属于升级换代的新品，刚开始上市时价格很夸张，去年底上车DDR5的玩家深有体会，当时DDR5内存价格一度达到了DDR4内存的三五倍以上，甚至还有黄牛炒作到了天价，ebay上32GB的DDR5现货内存炒到国最高2500美元（约合1.6万元人民币）。今年开始，DDR5内存随着供应稳定及PMIC电源芯片价格的下调，价格也一路下滑，相比年初已经腰斩，总体上相对DDR4还是要贵一些，不过差价在50%以内。当然，频率超过6000MHz的DDR5内存依然很贵，比DDR4翻倍也不是问题，这种主要是面向针对发烧级玩家的。整个2022年内，DDR5内存的价格都太可能达到DDR4水平，二者的平价要到2023年才能实现，具体要取决于内存的跌价速度，今年Q3到Q4季度内存价格也是在不断下滑的。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1312051.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1312051.htm

三星电子开发出业界首个12nm工艺的DDR5 DRAM

三星电子开发出业界首个12nm工艺的DDR5DRAM利用最新的DDR5标准，三星的12纳米级DRAM将有助于释放每秒7.2Gbps的速度。这相当于在一秒钟内处理两部30GB的UHD电影。与新DRAM的速度相匹配的是更高的电源效率，与之前的DRAM相比，12纳米级DRAM的功耗降低了23%。三星电子DRAM产品和技术执行副总裁JooyoungLee对此表示："12纳米级DRAM将成为推动DDR5DRAM在市场上广泛采用的关键因素。凭借卓越的性能和电源效率，预计我们的新DRAM将成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续的运营基础。""创新往往需要与行业伙伴密切合作，以推动技术的发展，"AMD高级副总裁、企业研究员和客户、计算和图形首席技术官JoeMacri说。"我们很高兴能再次与三星合作，特别是在推出在"Zen"平台上优化和验证的DDR5内存产品方面。"随着2023年开始量产，三星计划将基于这种尖端的12纳米级工艺技术的DRAM阵容扩大到广泛的细分市场。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1335825.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1335825.htm

三星正在开发 DDR5 内存，频率可达 7200MHz

三星正在开发DDR5内存，频率可达7200MHzhttps://article.pchome.net/content-2129462.html三星电子在3月25日宣布，正在开发业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组。存储颗粒采用高电介质金属栅极晶体管工艺制造，进一步降低漏电。单DRAM芯片的容量是16GB(2GB)，通过TSV穿孔技术实现了8层堆叠，让容量达到16GB，凑成512GB的话总计需要32颗。（但是如今DRAM价格又涨回去了）

澜起科技开始试产7200 MT/s DDR5 RCD驱动芯片

澜起科技开始试产7200MT/sDDR5RCD驱动芯片以前，时钟驱动器功能集成在用于服务器RDIMM或LRDIMM模块的寄存时钟驱动器(RCD)芯片中，而不是部署到PC中。在DDR5时代，随着数据传输速率攀升至6400MT/s及以上，时钟驱动器已成为客户端内存不可或缺的组件。澜起科技的CKD芯片主要用于DDR5客户端内存模块，包括CUDIMM、CSODIMM和CAMM，用于缓冲客户端中央处理器和DRAM之间的时钟信号，提高高速时钟信号的完整性和可靠性。该芯片符合JEDECDDR5CKD01规范，支持7200MT/s的数据传输速率。它提供双面总线地址访问，支持I²C和I3C接口。通过配置寄存器控制字，芯片可以改变其输出信号特性，以匹配各种DIMM拓扑结构，通过禁用未使用的输出信号，还可以降低功耗。随着人工智能技术的不断发展，人工智能驱动的PC时代正在迅速到来，从而推动了对更高数据速率DDR5内存的需求。为进一步提升内存数据传输效率，澜起科技在业内率先推出DDR5第一代CKD芯片，并成功实现量产。目前，澜起科技已经与业界主流的客户端CPU和内存厂商进行了紧密合作，为内存厂商提供了大批量的DDR5CKD芯片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427039.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427039.htm

三星电子12纳米DDR5 16Gb DRAM开始量产 效率提升23%

三星电子12纳米DDR516GbDRAM开始量产效率提升23%三星之所以能够开发出12纳米级的工艺技术，是因为使用了一种新的高κ材料，有助于提高电池电容。高电容会使数据信号出现明显的电势差，从而更容易准确区分这些信号。公司在降低工作电压和减少噪音方面的努力也有助于提供客户需要的解决方案。三星的12纳米级DDR5DRAM阵容拥有每秒7.2Gbps的最高速度，也就是大约一秒钟内可以处理两部30GBUHD电影的速度，这使得它可以支持越来越多的应用，包括数据中心、人工智能和下一代计算。三星公司去年12月完成了与AMD兼容的16千兆位DDR5DRAM评估，并继续与全球IT公司合作，推动下一代DRAM市场的创新。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360335.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360335.htm