SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。”SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E以及最新的第四代HBM3芯片。2023年4月，SK开发出全球首款12层HBM3DRAM产品，内存容量为24千兆字节(GB)，为业内最大。2023年8月，该公司推出了业界性能最佳的第五代HBMDRAMHBM3E，用于AI应用，并向其客户NVIDIACorp.提供了样品以进行性能评估。今年3月，SK海力士开始大批量生产HBM3E芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代HBM4芯片的量产提前到2025年。大容量NAND受到业界关注SK海力士副总裁兼HBM工艺集成（PI）负责人KwonUn-oh表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人SonHo-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官KwakNoh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁OhHae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心(RTC)副总裁YiJae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器(SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和相变存储器(PCM)芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIACorp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433025.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433025.htm

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士市场认定了HBM赢家？SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员KimSun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是NvidiaH100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GBHBM3E12HDRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423143.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1423143.htm

消息称 HBM4 标准放宽 三星、SK 海力士推迟引入混合键合技术

消息称HBM4标准放宽三星、SK海力士推迟引入混合键合技术据科技媒体ZDNETKorea报道，业界消息称，国际半导体标准组织（JEDEC）的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米（μm），比上一代的720微米更厚。据悉，该协议预计将对三星电子、SK海力士、美光等主要内存制造商的未来封装投资趋势产生重大影响。如果封装厚度为775微米，使用现有的键合技术就可以充分实现16层DRAM堆叠HBM4。考虑到混合键合的投资成本巨大，存储器公司很可能将重点放在升级现有键合技术上。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

SK海力士在服务器DRAM市场超过三星 稳居第一

SK海力士在服务器DRAM市场超过三星稳居第一市场份额计算不包括主要用于人工智能（AI）服务器的高带宽内存（HBM），如果包括HBM在内，SK海力士和三星电子之间的差距估计会更大。据悉，服务器DRAM约占整个DRAM市场的35%-40%，SK海力士在服务器DRAM市场份额激增超越三星电子，主要因为SK海力士在模块类产品竞争中的领先地位，其中包括最新标准服务器DRAM以及第五代双倍数据速率内存（DDR5）。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1401677.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1401677.htm