三星 HBM 芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

三星HBM芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试三位知情人事表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达的测试，无法用于这家美国公司的人工智能处理器。消息人士表示，这影响了三星的HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)芯片。这是首次报道三星未能通过英伟达测试的原因。三星在给路透社的声明中表示，HBM是一种定制的内存产品，需要“根据客户需求进行优化过程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。三星拒绝对具体客户发表评论。——