DDR3内存时代终结 三星、SK海力士停产 涨价20％

DDR3内存时代终结三星、SK海力士停产涨价20％而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年会上涨5-10％。数据显示，HBM内存在2023年的市占率只有2％，2024年可扩大至5％，2025年再次翻番到10％。在这种情况下，原厂停产DDR3、扩产HBM已是必然，直接导致DDR3内存近期价格明显上涨，最高幅度达20％。此举连带也会影响DDR5的供应，再加上存储行业处于上升周期，预测价格也会上涨20％。美光以及南亚等台系厂商将会继续生产DDR3，但美光也可能不会坚持太久。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430973.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1430973.htm

2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14%

2024年HBM供应量预计增长260%占DRAM产业的14%Wu解释说，就HBM和DDR5的生产差异而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工艺和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb与24Gb相比）。HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，生产周期（包括TSV）比DDR5长1.5到2个月。由于HBM从晶圆开始到最终封装的生产周期较长，需要两个季度以上，因此渴望充足供应的买家需要提前锁定订单。 TrendForce获悉，2024年大部分订单已提交给供应商，除非验证失败，否则不可取消。三星和SKhynix的HBM生产计划在今年年底前最为激进。预计到年底，三星的HBM总产能将达到13万片左右（包括TSV）；SKhynix约为12万片，但产能可能会根据验证进度和客户订单而变化。关于目前主流HBM3产品的市场份额，SKhynix占据了HBM3市场90%以上的份额，而随着AMD的MI300在未来几个季度的逐步发布，三星预计将紧随其后。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424110.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424110.htm

存储芯片概念探底回升 好上好 2 连板

存储芯片概念探底回升好上好2连板存储芯片概念探底回升，好上好2连板，盈方微水下直线拉升涨超7%，深南电路、大为股份、华海诚科、香农芯创、大港股份等跟涨。消息面上，由于AI需求强劲，HBM和DDR5的订单有望增加，三星电子和SK海力士加强对高价值DRAM产品的关注，正在考虑增加工厂的半导体晶圆投入量，以加快向10纳米第四代（1a）和第五代（1b）版本的过渡，生产HBM、DDR5和LP-DDR5等高价值产品。

机构：2025 年 HBM 价格调涨约 5~10%，占 DRAM 总产值预估将逾三成

机构：2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（ConventionalDRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。吴雅婷指出，今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。

HBM芯片市场前景可期 三星2023年订单同比增长一倍以上

HBM芯片市场前景可期三星2023年订单同比增长一倍以上SK海力士预测，到2027年，人工智能的蓬勃发展，将使HBM市场复合年均增长率达到82%。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁表示，目前客户的HBM订单比去年增长了一倍以上，未来HBM生产、封装等能力，将决定竞争力。此外，三星预测2024年HBM市场将增长超过100%。目前三星、SK海力士正在全力投入HBM芯片的研发和生产。此种芯片将多个DRAM垂直堆叠，以获得带宽的提升，从而有助于提高AI芯片运算速度。业内专家称，人工智能带来的HBM芯片增长，同时带动了多种高附加值DRAM芯片，包括PIM存内计算芯片、DDR5内存以及CXL高速接口（computeexpresslink）。为了在市场上保持领先地位SK海力士和三星都将全力以赴开发下一代存储芯片产品。SK海力士9月12日公布了一项计划，将于2026年推出第六代HBM芯片：HBM4。三星也在重点开发更高性能的DDR5，以及CXL，公司高管表示，CPU与PIM、CXL接口的整合，将进一步扩大DRAM的使用范围。尽管存储芯片行业经历了下行周期，但随着各大原厂减产效果显现，预计第四季度DRAM行业有望回升。此外英特尔第四代至强处理器SapphireRapids的推广，也将带动DDR5需求增长。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1383271.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1383271.htm

机构：HBM3e 产出放量带动，2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%

机构：HBM3e产出放量带动，2024年底HBM投片量预估占先进制程比重35%据TrendForce集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alphanm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。