三星三季度将把动态随机存储器(DRAM)和NAND的价格上调15-20%。(韩国每日经济新闻)

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【报道:三星三季度将提高DRAM和NAND价格】三星三季度将把动态随机存储器(DRAM)和NAND的价格上调15-20%。(韩国

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三星将在第三季度将DRAM和NAND价格提高15-20%据韩国《每日经济新闻》报道,三星三季度将把动态随机存储器(DRAM)和N

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【存储器价格触底反弹:三星Nand Wafer合约价已上调9%-11%】

【存储器价格触底反弹:三星NandWafer合约价已上调9%-11%】华尔街见闻从供应链多个信源处独家获悉,近期存储器市场价格触底回升,三星电子NandWafer合约价已上调9%-11%。智能手机行业已开始进入新一轮加单扩张阶段,PC市场也有所回暖。相应地,存储器价格触底回升。供应链人士还透露,除了三星电子,美光价格也上调了约10%;海力士和长江存储将很快加入涨价行列,#涨幅可能均达10%一线。另据摩根士丹利最新产业报告透露,因中国市场模组与智能手机客户需求增强,NA­ND价格已触底,部分客户已接受30%-35%价格上涨。(作者周源)

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研究人员开发出一种新型相变存储器 结合DRAM和NAND的优点

研究人员开发出一种新型相变存储器结合DRAM和NAND的优点DRAM速度快但易挥发,这意味着当电源被切断时(比如当你关闭电脑时),存储在其中的数据就会消失。而NAND闪存(如固态硬盘中使用的闪存)即使断电也能保留数据,但速度又明显慢于DRAM。PCM既快又不会丢失数据,但传统上制造成本高,耗电量大(将相变材料熔化成非晶态需要热量,这就影响了能效)。早期解决高功耗问题的方法主要是通过尖端光刻技术缩小整个设备的物理尺寸。但改进效果微乎其微,而且在更小的技术上制造所增加的成本和复杂性也不合理。ShinhyunChoi教授和团队设计了一种方法,只缩小直接参与相变过程的元件,从而制造出可相变的纳米丝。与使用昂贵的光刻工具制造的传统相变存储器相比,这种新方法将功耗降低了15倍,而且制造成本也低得多。新型相变存储器保留了传统存储器的许多特性,如速度快、开/关比率大、变化小以及多级存储器特性。Choi说,他们希望研究成果能成为未来电子工程的基础,并能惠及高密度三维垂直存储器、神经形态计算系统、边缘处理器和内存计算系统等应用。该团队的研究成果发表在本月早些时候出版的《自然》杂志上,论文标题为《通过相变自约束纳米丝实现相变记忆》:https://www.nature.com/articles/s41586-024-07230-5...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428539.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1428539.htm

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三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判 提价15-20%

三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判提价15-20%因此,公司决定与大客户展开谈判,以期将价格调整至一个更为合理的水平。此前,国内重量级的NAND相关业者指出,NAND芯片供应商为了实现盈利目标,必将继续积极推高报价。业内人士预测,NAND芯片价格至少需要上涨四成以上,才能使大厂们达到盈亏平衡点。而要实现真正的盈利,未来报价涨幅至少要达到五成,甚至可能更高。对于消费者而言,NAND芯片价格的上涨意味着存储成本的增加。无论是智能手机、平板电脑还是笔记本电脑,它们都离不开NAND芯片作为存储媒介。因此,NAND芯片价格上涨最终会反映在这些消费电子产品的售价上,导致价格上涨。对于NAND芯片供应商而言,价格上涨是他们所期望的。在经历了价格下跌的困境后,他们迫切需要通过涨价来改善盈利能力。在竞争激烈的存储市场中,只有保持健康的盈利水平,才能确保有足够的资金用于研发和生产,从而保持竞争优势。值得注意的是,此前有业内人士预测,未来短期内还有可能掀起一波高达50%的迅猛涨价潮。这无疑将对整个存储市场造成更为巨大的冲击。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1423556.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1423556.htm

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三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资平泽P3晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将P3晶圆厂的产能增加8万片DRAM和3万片NAND晶圆,但现在产能扩张已削减至5万片DRAM和1万片NAND晶圆。尽管2023年下半年价格反弹,但三星对市场复苏的前景似乎仍然保守。P3扩产投资的缩减可能意味着三星预计未来一年的供应不会大幅增加,特别是在NAND方面。NAND投资削减幅度大于DRAM,这也意味着三星预计NAND市场复苏将放缓。预计2023年三星在设备上的资本支出将达到36万亿或37万亿韩元(约合270亿美元)。不过,随着最新的投资缩减,到今年底总支出可能会减少至29万亿韩元。同时,根据韩国证券公司报告,随着DRAM制造进入第四代10nm节点(1a)和第五代10nm节点(1b)加工技术,加工配方将发生重大变化。设备升级期间,生产线将暂停,安装新设备。这正是企业选择在淡季采取这一行动的原因,以避免对产量造成太大影响。因此,由于扩产缩减和设备升级,三星内存产线的利用率将在Q4处于较低水平,因此其DRAM和NAND供应在Q4可能会大幅减少。事实上,过去六个月DRAM价格已经触底并保持平稳,据报道,存储公司已要求客户提高NAND产品的合同价格。业界普遍预计,三星、SK海力士和美光将有望从经济周期中复苏,盈利能力也可能很快恢复。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388531.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1388531.htm

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