NAND闪存需求复苏乏力 三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产

NAND闪存需求复苏乏力三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产外媒最新的报道就显示，同DRAM相比，NAND闪存需求复苏缓慢，包括三星电子、SK海力士在内的存储芯片厂商，也就处在了艰难的境地。随着人工智能需求的增加，DRAM的利润状况有改善，但DRAM闪存的需求受到了抑制。而外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。从外媒的报道来看，在二季度的财报分析师电话会议上，三星电子表示在下半年将继续削减以NAND闪存为中心的存储半导体的产量；SK海力士也宣布他们计划在下半年将NAND闪存的产量削减5%-10%。外媒在报道中也提到，三星电子和SK海力士半导体产品的库存，在上半年都有一定程度的增加。三星电子负责存储业务的设备解决方案部门的库存，在上半年结束时已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。SK海力士在上半年结束时的库存为16.42万亿韩元，较去年年底也增加了5%。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378465.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378465.htm

三星、SK海力士等减产倒逼涨价：存储行业翻转太难 还会降价需求低迷

三星、SK海力士等减产倒逼涨价：存储行业翻转太难还会降价需求低迷存储芯片价格跌势超预期，最近的数据显示产业信心不足，所以即便是这些大厂降价，也不能刺激价格的走高，因为大家的需求根本没有回升，这需要一个过程。存储行业人士表示，芯片制造商的存储芯片库存下跌速度，没有他预料的那么快，库存过剩问题可能延续至2024年上半年。他表示，目前第四季度交货价格比预期要差，当前的趋势令人难以相信明年的价格会大幅上涨。不少相关厂商也表示，产业目前预估的情况是存储芯片价格明年年初会上涨，若价格跌势未能按预期扭转，产业复兴的时间点将不可避免地延后。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378941.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378941.htm

DDR3内存时代终结 三星、SK海力士停产 涨价20％

DDR3内存时代终结三星、SK海力士停产涨价20％而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年会上涨5-10％。数据显示，HBM内存在2023年的市占率只有2％，2024年可扩大至5％，2025年再次翻番到10％。在这种情况下，原厂停产DDR3、扩产HBM已是必然，直接导致DDR3内存近期价格明显上涨，最高幅度达20％。此举连带也会影响DDR5的供应，再加上存储行业处于上升周期，预测价格也会上涨20％。美光以及南亚等台系厂商将会继续生产DDR3，但美光也可能不会坚持太久。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1430973.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1430973.htm

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8GbDDR4DRAM通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。——

知情人士：三星、SK海力士等NAND制造商考虑涨价

知情人士：三星、SK海力士等NAND制造商考虑涨价据电子时报报道，知情人士透露，包括三星电子和SK海力士在内的NAND闪存芯片制造商正在考虑提高报价。报道称，NANDFlash价格暴跌给供应商造成了巨大损失，他们现在正在努力止血。PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360559.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360559.htm