三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型 HBM 存储芯片

三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型HBM存储芯片三星电子周二表示，它已经开发出一种新型高带宽存储芯片，具有业界“迄今为止最高容量”。三星称HBM3E12H“将性能和容量提高了50%以上”。三星表示，已开始向客户提供芯片样品，并计划于2024年上半年量产。它将确保已经与三星签约的Nvidia在基于更高层(12L)的更高密度(36GB)HBM3E产品方面的领先地位。三星表示，HBM3E12H具有12层堆叠，但采用先进的热压非导电薄膜，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前的HBM封装要求。其结果是芯片具有更强的处理能力，而不增加其物理占用空间。三星表示：“三星不断降低其NCF材料的厚度，实现了业界最小的芯片间隙(7微米)，同时还消除了层间空隙。与HBM38H产品相比，这些努力使垂直密度提高了20%以上。”——