中国在芯片技术方面悄然取得进展，以减少对先进 ASML 光刻机的依赖

中国在芯片技术方面悄然取得进展，以减少对先进ASML光刻机的依赖据知情人士透露，中国的北方华创科技集团上个月开始研发光刻系统，中国本土的半导体设备制造商试图在不使用荷兰巨头阿斯麦最新设备的情况下生产先进芯片，这一突破可能会挫败美国遏制中国芯片制造能力的企图。这些努力涉及中国半导体供应链的多个参与者，并取得了初步研究进展，华为技术有限公司上个月申请的一项专利披露了一种称为“自对准四重图案化(SAQP)”的技术，该技术通过在硅片上多次蚀刻线路，提高晶体管密度，进而增强芯片性能。这项专利结合了先进的蚀刻和光刻技术，“可以提高电路图案设计的自由度”。彭博社曾报道，利用SAQP技术，使用深紫外光刻(DUV)设备中国就可以制造出5纳米级芯片，而无需只有阿斯麦尔才能供应的更先进的极紫外(EUV)设备。知情人士透露，北方华创去年12月就拟定计划，要于今年3月开始研发光刻系统。北方华创发言人表示，报道的消息并不准确，但没有进一步说明详情。——

美国芯片管控引ASML吐槽：倒逼中国厂商造出更先进光刻机

美国芯片管控引ASML吐槽：倒逼中国厂商造出更先进光刻机过去一段时间，美国一直在向荷兰施压，以阻止中国获得关键的半导体技术。去年，荷兰政府宣布了新的半导体设备出口管制措施，主要针对先进制程的芯片制造技术，阿斯麦首当其冲。根据ASML今年1月1日发布的声明，荷兰政府撤销的是2023年颁发的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系统的出口许可证，“此禁令将影响少数在华客户”。为进一步遏制中国的科技发展，美国日前还要求荷兰政府对中国境内部分阿斯麦设备的维修服务增加限制。中国已连续三个季度成为ASML最大市场，今年第一季度，对华出口占到ASML系统销售额的49%。ASML十分担忧对华出口进一步受限。公司CEO甚至表示，限制措施会让中国更有动力开发自己的高端技术（光刻机），“施加的限制越多，就越会促使对方自力更生。”相关文章:ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433912.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433912.htm

【光刻机巨头ASML回应

【光刻机巨头ASML回应#美国出口管制新规：受影响的中国大陆晶圆厂数量有限】美国政府周二颁布了更新后的关于先进计算和半导体制造设备规则，增加了对先进芯片制造技术的出口限制。这些规定将在30天后生效。对此，荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)在给《中国日报》的声明中表示，“根据目前收到的信息，我们认为适用该新规的涉及先进芯片制造的中国大陆晶圆厂数量有限。”ASML表示鉴于新规的篇幅和复杂性，它需要仔细评估潜在的影响。

ASML部分先进DUV光刻机出口受限：对准精度不高于2.5nm

ASML部分先进DUV光刻机出口受限：对准精度不高于2.5nm同时公司还表示“新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统，先进程度相对较低的浸润式光刻系统已能很好满足成熟制程为主的客户的需求。”据中国经营报，荷兰方面的动议未提及会对服务采取限制措施的表述，换言之，业内人士相信，已完成进口的DUV设备大都还处在关键部件的设计寿命以内，只要正常维护保养就暂无影响。一般，DUV设备6个月进行一次维护以替换或维修老化和损耗部件。另外，按照目前业界理解，不受出口限制的DUV将停留在对准精度2.5纳米的水平。ASML已经出货的DUV光刻机中对准精度最高的是1.5nm的NXT:2050i。所谓“对准精度”是指，光刻机在进行芯片加工时，在对准芯片和掩模图案时能够达到的精度。对准精度一般以纳米衡量，纳米数值越小，产品越先进。至于所谓浸没式光刻机（浸润式光刻机），属于193nm（光源）光刻机（分为干式和浸没式），可以被用于16nm至7nm先进制程芯片的制造，但是目前也有被业界广泛应用在45nm及以下的成熟制程当中。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1350131.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1350131.htm