SK海力士宣布下一代HBM计划
SK海力士宣布下一代HBM计划在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。”SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E以及最新的第四代HBM3芯片。2023年4月，SK开发出全球首款12层HBM3DRAM产品，内存容量为24千兆字节(GB)，为业内最大。2023年8月，该公司推出了业界性能最佳的第五代HBMDRAMHBM3E，用于AI应用，并向其客户NVIDIACorp.提供了样品以进行性能评估。今年3月，SK海力士开始大批量生产HBM3E芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代HBM4芯片的量产提前到2025年。大容量NAND受到业界关注SK海力士副总裁兼HBM工艺集成（PI）负责人KwonUn-oh表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人SonHo-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官KwakNoh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁OhHae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心(RTC)副总裁YiJae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器(SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和相变存储器(PCM)芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIACorp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433025.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1433025.htm
