技嘉推出Gen 4 4000E M.2 NVMe SSD

技嘉推出Gen44000EM.2NVMeSSDhttps://www.expreview.com/92377.html技嘉Gen44000E系列SSD为2280M.2规格，采用PCIe4.0x4接口，无独立缓存，采用共享系统内存的HMB方案，顺序读取速度可达4000MB/s耐久度方面，250GB、500GB和1TB分别对应150/300/320TBW。不过，技嘉并没有透露Gen44000E系列SSD采用的是哪款主控芯片和3DNAND闪存

Nextorage展示PCIe Gen5 NVMe M.2 SSD 读写速度提升35%

Nextorage展示PCIeGen5NVMeM.2SSD读写速度提升35%该制造商位于日本，为消费系统（如PC）和索尼PlayStation5游戏机提供固态硬盘。由于游戏机只能利用第四代固态硬盘的优势，他们的第五代固态硬盘目前只针对高级台式电脑。活动期间展示的NextoragePCIeGen5.0NVMeM.2将采用标准的M.2外形尺寸，但有两种选择，一种是带有铜膜的标准型，另一种是带有巨大散热器的高端型。我们已经看到一些制造商对PCIeGen5.0固态硬盘的主动和被动冷却都很感兴趣，Nextorage似乎选择了后者。所展示的散热片具有几个从底板延伸出来的鳍片，可以在PC中占据很大的空间。Nextorage仍在评估最终的散热器设计，所以照片上显示的可能不是最终的形态。至于规格方面，Nextorage的PCIeGen5.0NVMeM.2固态硬盘的连续读取速度高达10000MB/s，写入速度也超过9500MB/s。该存储设备最初将以2TB和1TB的形式出货。1TB型号将以稍慢的9500读和8500MB/s写速度运行。其使用176层NAND闪存，这可以解释为什么速度还没有突破10GB/s以上的大关。作为比较，三星990Pro是目前最快PCIe4.0固态硬盘，它的读取速度高达7450MB/s，写入速度为6900MB/s。NextoragePCIeGen5NVMe固态硬盘的读取速度提高了35%，写入速度提高了48%，而这甚至还不是使用Gen5标准的最快的固态硬盘!PCIeGen5NVMeSSD在连续读取时可以产生了10GB/s的读取和10GB/s的写入速度，NAND闪存在配备散热器时最高达到59摄氏度，但在没有散热器的情况下温度甚至可以飙升至77摄氏度以上。样品达到如此高的温度的原因之一可能是由于这仍然是一个早期样品，没有启用热降速功能。这表明NAND闪存在Gen5NVMeM.2SSD上会变得非常热，厂商肯定需要一些好的冷却解决方案。这就是为什么我们看到一些主板制造商在他们最近的X670和Z790主板上采用了一些特别笨重的M.2散热器设计。Nextorage确实在2022年的TGS上展示了一个非常大的散热片设计，但Shimizu_OC表示，新的散热片采用了全新的设计，比那个小得多，同时提供更好的散热。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1333777.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1333777.htm

首款骁龙8 Gen4旗舰将于10月发布 小米15有望首发

首款骁龙8Gen4旗舰将于10月发布小米15有望首发据悉，高通骁龙8Gen4将首次采用台积电3nm工艺，这也意味着安卓阵营正式迈入3nm时代。去年，苹果率先切入3nm工艺，A17Pro成为全球首颗3nm芯片，由iPhone15Pro和iPhone15ProMax首发搭载。据爆料，台积电规划了多达五种3nm工艺，包括N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。其中N3B是其首个3nm节点，A17Pro使用的就是N3B。二今年10月份登场的骁龙8Gen4预计将会采用台积电第二代3nm工艺N3E。N3E是N3B的增强版，其功耗表现优于N3B工艺，并且良率更高、成本也相对较低。另外值得一提的事，高通骁龙8Gen4将会启用自研的Nuvia架构，不再使用Arm公版架构方案，这将是高通骁龙历史上的一次重大变化。据了解，目前高通骁龙8Gen4性能极强，但是因为频率设定过高，功耗表现一般，预计量产时频率会降低。在骁龙8Gen4正式到来之前，依然会有大批旗舰新机上市，主要集中在骁龙8sGen3、天玑9300+、骁龙8Gen3等。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429611.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429611.htm