苹果有望采用可能为2TB iPhone铺平道路的技术

苹果有望采用可能为2TBiPhone铺平道路的技术研究公司TrendForce本周表示，预计苹果将在2026年开始推出配备四层闪存(QLC)的iPhone。这项技术将为未来推出2TB存储容量的iPhone铺平道路。与现有iPhone存储芯片所使用的三层存储单元(TLC)技术相比，QLC是一种密度更高的存储技术，因此可以在相同的物理尺寸内实现更高的存储容量。此外，QLC存储的每GB价格通常比TLC便宜。然而，QLC存储的一个缺点是读写速度通常比TLC存储慢。QLC的密度和成本优势可能为苹果为未来的iPhone推出2TB存储容量铺平道路。——

预计Apple将在2026年发布使用QLC颗粒的大储存iPhone

预计Apple将在2026年发布使用QLC颗粒的大储存iPhone台湾研究公司TrendForce表示，预计苹果将在2026年之前开始发布QLC存储的iPhone。年初《DigiTimes》发布报告，苹果正在评估iPhone16Pro和iPhone16ProMax的1TB机型的QLC。QLC存储技术比现有iPhone使用的三层单元（TLC）技术更密集，允许在相同物理空间内提供更高的存储容量，并且成本效益更高，但读写速度可能较慢。关注频道@ZaiHuaPd投稿爆料@ZaiHuabot

QLC尚未普及HLC又来 写入寿命堪忧

QLC尚未普及HLC又来写入寿命堪忧从原理看，数据是以电荷的方式存储在NAND FLASH的存储单元中。如果说NANDFLASH是一个容器，存储单元就可看做容器中的一个个“格子”，根据格子中存储数据的位数不同，就有了大家熟知的SLC、MLC、TLC、已经在市面有销售但未全面普及的QLC，以及铠侠（原东芝）刚刚开发出来的HLC。其实，从SLC到HLC，都是为了满足用户大量存储数据的需求，其中SLC每个存储单元可储存1bit数据，MLC可储存2bit数据，TLC可储存3bit数据，QLC可存储4bit数据，PLC可存储5bit数据。而铠侠HLC（Hepta-level）使用单晶硅取代了多晶硅作为内部通道材料，可存储数据达到了7bits，比QLC几乎翻倍。由此可见，可见单个存储单元存储的数据的位数越高，NAND闪存颗粒的容量就越大，PCB上的存储芯片数量也随之减少，极大降低固态硬盘的制造成本。而HLC的研制成功，则意味着即使闪存堆叠技术没有任何改进，固态硬盘的容量也能实现直接翻倍，以后千元左右的M.2固态硬盘容量做到了8TB、16TB也不是什么奇怪的事。当然，闪存容量的提升也是要做出一些牺牲和妥协的。首先是读写速度，简单来说SLC最快、价格最贵，但早已停售；MLC次之，相关产品也基本绝迹。目前市场主流产品为TLC，也有部分低价产品采用QLC，当然QLC的缓外速度已经被人嗤之以鼻了。其次是写入寿命，依然是SLC最高、MLC其次，然后是TLC，QLC依然被鄙视，而HLC也就可想而知了。不过我们也不用过于担心，毕竟QLC都开始应用于企业级了。为了保证QLC和HLC颗粒的性能和耐久度，将来的固态硬盘主控芯片也会带来更先进的损耗平衡和错误校正算法，以及更大的SLC缓存，毕竟缓外速度还不及机械硬盘，恐怕这是谁都不希望看到的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1357577.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1357577.htm

QLC闪存性能追上TLC 可靠性逆袭 32PBW写不死

QLC闪存性能追上TLC可靠性逆袭32PBW写不死Solidigm是SK海力士收购Intel闪存业务之后成立的合资公司，独立运营，技术体系源于之前的Intel、美光合资IMFT公司，日前推出了新一代数据中心硬盘D5-P5430系列，PCIe4.0技术的。D5-P5430有E1.S、E3.S、U2三种规格尺寸，容量3.84TB起，E1.S规格最高15.36TB容量，其他两个规格最高30.72TB，不过目前上市容量最大的依然是15.3TB，30.72TB的要到年底上市。闪存方面，它使用的是192层的3DQLC闪存，但是敢于叫板TLC闪存，Solidigm对比的都是友商的TLC闪存数据中心硬盘，7GB/s的读取速度略高于其他竞品，最大容量是友商的2-4倍。说缺点的话，写入性能3G/s依然是比不过TLC闪存的，只有友商的一半多，但是放到4K、8K等实际性能来看，也不算多差，还是能打的。QLC先天的写入性能差是硬伤，但寿命是可以优化的，这本来是QLC闪存第二大槽点，可Solidigm的192层QLC做到了0.58DWPD、总计32PBW的数据寿命。作为对比的话，美光最新的232层TLC闪存的6500IONSSD也不过是0.3DWPD，QLC几乎高出一倍的写入寿命。总之，相比TLC闪存，QLC还有写入速度的硬伤不好追，但在数据寿命上超越TLC也不是啥问题，再考虑到容量及成本上的优势，在数据中心市场依然有足够的吸引力。当然，这种QLC闪存后续也是会用到消费级SSD上的，15/30TB容量不想了，将4TB、8TB硬盘的价格打下来就行。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1360621.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1360621.htm

西部数据推出迄今容量密度最大的2Tb闪存芯片 基于3D QLC技术打造

西部数据推出迄今容量密度最大的2Tb闪存芯片基于3DQLC技术打造虽然各位看到QLC就摇头但按照发展趋势来看QLC颗粒占据市场是无法回避的事情，毕竟容量大而且价格相对来说确实足够便宜。西部数据在最新的投资者会议上展示了该公司研发的最新3DQLC闪存芯片，该芯片容量达到2Tb也是目前全球单芯片中容量最高的。WD2Tb3DQLC闪存芯片基于西部数据的218层BiCS8生产，具有体积小和功耗低的特点，图片中可以看到闪存芯片放在指尖，因此OEM可以基于这些闪存芯片快速制造大容量的固态硬盘。西部数据称在同类型闪存芯片中，2Tb3DQLC无论是功耗、存储密度还是I/O性能方面都领先于竞争对手，而这些芯片至少现阶段主要是面向数据中心和AI存储的需求，并不是面向消费级市场的。在数据中心和AI行业中目前对大容量和高性能存储的需求非常高，QLC确实在寿命方面不如TLC等，但对数据中心来说只要经过合理的配置也可以使用，这样可以提供更大的容量并降低成本。单芯片容量为2Tb也就是256GB，OEM可以使用4块芯片打造1TB的固态硬盘，使用8块芯片打造2TB的固态硬盘，或者使用16块芯片直接封装4TB的固态硬盘。随着时间的推移这些闪存芯片最终还是会面向消费级市场推出的，用户对于QLCSSD的选择才是最重要的，如果价格真的足够便宜的话，相信在消费级市场还是会有订单的。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1434739.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1434739.htm

三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

三星正准备量产第8代V-NAND闪存持续改进存储密度与传输性能三星正准备量产第8代V-NAND闪存，包括即将推出的PCIe5.0SSD在内的产品，都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着V-NAND升级到236层，同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考，去年发布的第7代V-NAND已提供176层、且支持高达2.0GT/s的传输速率。除了台式机和笔记本电脑，智能手机也有望迎来基于最新一代V-NAND的UFS3.1（以及最新的UFS4.0）标准的高速闪存。不过想要堆砌更多层的3D-NAND也并非易事，尽管三星早在2013年就率先发布了初代V-NAND，但实际推行仍相当谨慎。于是在突破200层大关的时候，三星分别被美光（232L）和SK海力士（238L）给反超。直到去年提供超过200层的V-NAND闪存样品，三星才逐渐积累了所需的先验知识。虽然我们尚未知晓三星第8代V-NAND的确切规格参数，但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。作为参考，美光声称其232层NAND可实现单颗2TB容量，以及11.68GB/s读取和10GB/s的写入速度。在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时，整体读取延迟也有所改进，意味着传输速度的继续提升。最后，随着AMD锐龙7000和英特尔RaptorLake平台即将上市，相信三星页会很快向客户交付更大容量@10+GB/s速率的固态驱动器。相关文章:SK海力士基于UFS4.0规范的238层V8NAND最早明年上半年量产JEDEC宣布UFS4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新...PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1306233.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1306233.htm