台积电涨超 6% 创新高 消息称英伟达 H200 及 B100 将分别采其 4nm 及 3nm 制程

台积电涨超6%创新高消息称英伟达H200及B100将分别采其4nm及3nm制程台积电(TSM.US)涨超6%，最高触及141.99美元，创历史新高。台积电台股今日收涨近5%，亦创历史新高。有台媒称，英伟达H200将于第二季上市，B100采用Chiplet设计架构、已下单投片，H200及B100将分别采台积电4nm及3nm制程。有机构指出，英伟达订单强劲，台积电3、4nm产能几近满载。

三星4nm工艺良品率提升至75%以上 已接近台积电

此前有报道称，三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍，第三代4nm工艺提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度，而且良品率已提升至60%，甚至引发了苹果内部讨论。有消息称，AMD已经和三星签约，将部分4nm芯片订单从台积电转移过去。据BusinessKorea报道，三星已经将4nm工艺的良品率提升至75%，与台积电4nm工艺的80%良品率已经很接近了。三星在4nm工艺上取得了一系列的进展，使得不少芯片设计公司对其先进工艺再次产生了兴趣，比如高通和英伟达，增加了三星再次获得订单的可能性。当三星的半导体制造工艺进入10nm及以下制程后，就遇到了一系列的问题，迟迟未能提升良品率就是其中之一，这也导致了三星主要客户先后转单到台积电。过去几年里，台积电拉大了与三星之间的差距，2022年的资本支出（CAPEX）和产能（CAPA）分别是三星的3.4倍和3.3倍，占据了90%的7nm及以下工艺市场份额。市场需求处于低谷期，一定程度上是三星提高收益的机会，较低的开工率使其能够集中更多资源在先进工艺上。除了4nm工艺外，三星的3nm工艺在良品率方面也提升至60%以上，让三星更有信心夺回之前流向台积电的订单。由于台积电不断提高晶圆代工的价格，使得许多芯片设计公司重新考虑生产外包的多样化问题，也给了三星更多的机会。投稿：@ZaiHuaBot频道：@TestFlightCN

AMD新一代GPU MIX350年底推出 升级4nm、HBM3E

AMD新一代GPUMIX350年底推出升级4nm、HBM3E接下来的InstinctMI350，应该会继续基于CDNA3架构，或者略有改进，工艺进步为台积电4nm，内存升级为新一代HBM3E，容量更大、速度更快。NVIDIA即将出货的H200已经用上了141GBHBM3E，刚宣布的新一代B200进一步扩容到192GBHBM3E，从而抵消了AMD在容量上的优势。AMDMI350的具体内存容量不详，但肯定不会少于192GB，否则就不够竞争力了。AMDCTOMarkPapermaster之前就说过，正在准备新版MI300系列，重点升级HBM内存，但没有给出详情。值得一提的是，美国针对中国的半导体禁令不仅包括现有产品，比如AMDMI250/MI300系列、NVIDIAA100、H100/H200、B100/B200/GB200、A800/H800、4090系列，IntelGaudi2，还直接纳入了下一代产品，这自然就包括AMDMI350系列，以及Intel刚刚宣布的Gaudi3。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426984.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426984.htm

TrendForce：英伟达 GB200 推升台积电 2024 年 CoWoS 产能提升逾 150%

TrendForce：英伟达GB200推升台积电2024年CoWoS产能提升逾150%TrendForce指出，英伟达GB200前一代为GH200，出货量估仅占整体英伟达高端GPU约5%。目前行业对英伟达GB200寄予厚望，预估2025年出货量有机会突破百万颗，占英伟达高端GPU近四至五成。预期GB200及B100等产品要等到今年第四季至2025年第一季有机会正式放量。由于英伟达B系列包含GB200、B100、B200等将耗费更多CoWoS产能，台积电亦提升2024全年CoWoS产能需求，预估至年底每月产能将逼近4万，相较2023年总产能提升逾150%。

英伟达H200订单Q3开始交付，预计B100明年上半年出货

英伟达H200订单Q3开始交付，预计B100明年上半年出货英伟达AIGPUH200上游芯片端于Q2下旬起进入量产期，预计在Q3以后大量交货。但英伟达Blackwell平台上市时程提前至少一到两个季度，影响终端客户采购H200的意愿。供应链指出，目前待出货的客户端订单仍多集中于HGX架构的H100，H200比重有限，Q3将量产交货的H200主要为英伟达DGXH200；至于B100则已有部分能见度，预计出货时程落在明年上半年。——