消息称三星电子NAND厂开工率已提高至90%

消息称三星电子NAND厂开工率已提高至90%由于全球半导体衰退所积累的库存得到消除以及需求的复苏，NANDFlash衰退的尽头已经开始显现。据了解，三星位于中国西安工厂的开工率大幅提升。西安工厂是核心生产基地，占三星电子NAND产量的30-40%，决定着三星的整体产量。三星首先提高了西安工厂的开工率，并逐步提高了平泽工厂的开工率。三星NAND利用率的提升证明了其在减产方面的表现。由于NAND供应过剩，三星从去年第一季度开始减产。据解读，当前库存很大一部分已经耗尽，供需已经平衡。另一位业内人士表示，“我们的一些客户还有剩余库存，但还没有达到影响利用率提升的水平。”人工智能（AI）热潮也对复苏做出了巨大贡献。随着人工智能公司扩大服务器规模，对NAND的需求也随之增加，特别是企业SSD市场正在振兴并带动NAND需求。据悉，尤其是北美和中国的云服务提供商对企业级SSD的需求正在增加，并且有强烈的增加库存动向。据悉，三星电子正在与客户谈判，将NAND价格提高20%，以应对市场状况的变化。市场研究公司TrendForce也预测，随着库存持续下降，第二季度NAND固定交易价格将上涨13-18%。预计NAND复苏将在三星4月30日公布的第一季度财报中得到一定程度的体现。证券分析师估计，三星在第一季度成功扭亏为盈。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428223.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428223.htm

通用 DRAM 需求尚未恢复 三星和 SK 海力士相关工厂开工率 80%-90%

通用DRAM需求尚未恢复三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。

据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70

据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。（新浪）

三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层报道显示，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层（第8代）NAND的设备。三星决定升级其西安工厂的原因主要由两个：第一个原因是三星想要在目前尚未复苏的NAND芯片市场继续保持全球领先地位。从去年年底开始的半导体市场疲软影响到了三星NAND业务，即便是4月开始采取减产措施后也没有明显改变。因此三星选择了升级工艺来确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。再加上由于三星的减产措施，其西安工厂的整体开工率也是大幅下降到了20%左右。另一个原因就是美国的无限期豁免。三星西安工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元（约合795亿元人民币），2017年开始建造的第二工厂，先后投资了150亿美元（约合1097亿元人民币）。目前三星西安工厂已经成为了世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。三星那么多的投资，再加上美国现在又对其进行了豁免，升级生产工艺也就在情理之中了。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390285.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390285.htm

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员HanDong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NANDFlashQ4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NANDFlash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388411.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388411.htm